| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| C-4 |
| セッション名 |
| レーザ・量子エレクトロニクス |
| 講演日 |
| 2016/9/21 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 C棟 C214 |
| 講演番号 |
| C-4-12 |
| タイトル |
| インピーダンス測定による半導体薄膜DFBレーザの帯域解析 |
| 著者名 |
| ○瓜生達也, 井上大輔, 平谷拓生, 福田 快, 冨安高弘, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久, |
| キーワード |
| 半導体レーザ, DFBレーザ |
| 抄録 |
| オンチップ光配線には極低消費電力かつ高速動作する光源が必要とされている。そのような光源として、我々は半導体薄膜DFBレーザを提案し、これまでに低しきい値動作、高速動作を報告してきた。今回、薄膜DFBレーザの高周波インピーダンスを測定し、寄生成分の影響を評価した結果、レーザの真性な応答として14.8 GHzの3dB帯域を得たので、ご報告する。 |
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