| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| C-2A |
| セッション名 |
| マイクロ波A |
| 講演日 |
| 2016/9/20 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 情報科学研究科棟 A31 |
| 講演番号 |
| C-2-21 |
| タイトル |
| 第3象限領域でのVDS-ID特性の再現性を改善したGaN HEMTデバイスモデルの提案 |
| 著者名 |
| ○安井 吏, 石川 亮, 本城和彦, |
| キーワード |
| GaN HEMT, デバイスモデリング |
| 抄録 |
| 近年GaN HEMTなどの能動素子を用いたRF整流器が提案されているが，これらの回路を設計する際には一般にRF回路シミュレータが使用される．一方，RF整流器の動作は能動素子のVDS-ID特性の第1象限領域（ドレイン電圧，ドレイン電流が共に正の領域）に加えて第3象限領域（ドレイン電圧，ドレイン電流が共に負の領域）を使用するため，これらの領域でのデバイスモデルの特性の再現性が重要になるが，他の多くの用途では第3象限領域は通常使用されないため重視されず，デバイスモデルの再現性は低い．本稿では，従来のモデルに対して第3象限領域の再現性をより改善したGaN HEMTデバイスモデルを提案する． |
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