| 大会名称 |
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016-09-06
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| セッション番号 |
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C-2A
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| セッション名 |
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マイクロ波A
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| 講演日 |
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2016/9/20
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| 講演場所(会議室等) |
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工学部 情報科学研究科棟 A31
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| 講演番号 |
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C-2-20
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| タイトル |
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単一GaN HEMTを用いたデュアルバンド電力増幅器における2波同時増幅動作時の線形性改善
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| 著者名 |
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◎丸山有彗, 高山洋一郎, 石川 亮, 本城和彦,
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| キーワード |
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マイクロ波, デュアルバンド電力増幅器, 低ひずみ
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| 抄録 |
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マルチバンド・マルチアクセス技術に対応するための電力増幅器が必要とされている。本研究では2周波数同時増幅を前提とした単一FETデュアルバンド電力増幅器に関して、複数周波数を同時増幅した場合でも出力電力の線形特性が劣化しない設計法についての検討を行った。トランジスタの非線形によって生じる2次相互変調成分を短絡させるスタブを入力側整合回路に付けた上で基本波のインピーダンス整合を行う。実際に試作したGaN HEMT増幅器により評価を行い、その結果低入力電力レベルでの特性劣化改善に効果があることが確認された。
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