| 大会名称 |
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016-09-06
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| セッション番号 |
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BS-4
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| セッション名 |
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次世代のエネルギーエレクトロニクス産業を担う高周波スイッチング技術
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| 講演日 |
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2016/9/23
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| 講演場所(会議室等) |
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工学部 C棟 C207
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| 講演番号 |
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BS-4-9
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| タイトル |
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GaNデバイスを駆動するための高周波共振型ゲート駆動回路
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| 著者名 |
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◎中務智貴, 西嶋仁浩,
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| キーワード |
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ゲート駆動回路, 高周波駆動, GaNデバイス, 可変容量コンデンサ
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| 抄録 |
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高周波でスイッチング素子を駆動する場合、スイッチの誤動作が起きづらいといった点や、駆動損失を低減できるといった点から正弦波駆動回路が用いられていた。しかし、従来の正弦波駆動回路では、駆動周波数が共振周波数に固定されてしまう問題があった。本稿では高周波動作可能な、可変容量コンデンサを用いた正弦波駆動回路について非絶縁型と絶縁型の二方式を提案する。提案回路では可変容量コンデンサにより、LLCコンバータのような周波数制御(PFM制御)するコンバータに適用可能である。また、実際に回路を試作し、GaN FETを5.8~8.2MHzの高周波で駆動できることを確認した。
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