| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| A-6 |
| セッション名 |
| VLSI設計技術 |
| 講演日 |
| 2016/9/20 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 C棟 C209 |
| 講演番号 |
| A-6-2 |
| タイトル |
| NBTIによるしきい値電圧変動のストレス確率依存性の評価 |
| 著者名 |
| ◎忻 瑞徳, 森田俊平, 新谷道広, 廣本正之, 佐藤高史, |
| キーワード |
| NBTI, 信頼性, しきい値電圧変動 |
| 抄録 |
| 負バイアス温度不安定性（NBTI）は集積回路の微細化に伴う主要な信頼性課題の一つである．NBTIによるトランジスタ劣化はpMOSFETのゲートに負バイアスが印加される確率（ストレス確率）に強く影響を受ける．NBTIの予測モデルとしてRDモデルが提案されているが，高ストレス確率時の劣化を実際に測定した例は少なく，モデルの正当性が不明である．本稿では，商用プロセスで製造されたpMOSトランジスタアレイを用い，高ストレス確率時のしきい値電圧の実測を行った．その結果，実測値とRDモデルによるシミュレーション結果が同様の傾向を示すことを確認し，既存モデルの妥当性を明らかにした． |
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