| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| A-1 |
| セッション名 |
| 回路とシステム |
| 講演日 |
| 2016/9/21 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 N棟 N307 |
| 講演番号 |
| A-1-25 |
| タイトル |
| アクティブインダクタの高Q値化に関する研究 |
| 著者名 |
| ○星野裕也, 安田 彰, 山下喜市, 吉田知郎, 吉野理貴, |
| キーワード |
| アクティブインダクタ |
| 抄録 |
| 発振器の低雑音化には大きいQ値が効果的だが，LC発振器などのQ値の大きいインダクタLを使用するとIC化に際して回路面積が大きくなってしまう．そこで本手法では，広範囲に亘りHigh-Q化が可能な，抵抗とキャパシタ、MOSFETからなるアクティブインダクタを用いた回路構成を提案し，従来のアクティブインダクタと比較・検討した．シミュレーションの結果，従来型の場合零点が途中で発生してしまいインダクタ成分が狭い範囲でしか観測できなかったが，提案型では零点が消え広い範囲でHigh-Q化していることが観測できた．以上から，提案するアクティブインダクタを用いた回路構成により，インダクタ面積の低減とHigh-Q化できることを確認した． |
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