| 大会名称 |
|---|
| 2015年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2015S |
| 開催年 |
| 2015 |
| 発行日 |
| 2015-08-25 |
| 講演日 |
| 講演場所(会議室等) |
| 講演番号 |
| A-1-1 |
| タイトル |
| A-1-1 電荷基準モデルに基づく縦型SiCパワーMOSFETの電流特性モデル化の検討(A-1.回路とシステム,一般セッション) |
| 著者名 |
| 周 瑞, 新谷 道広, 廣本 正之, 佐藤 高史, |
| キーワード |
| 抄録 |
| 本文pdf |
|
PDF download
|
| 大会名称 |
|---|
| 2015年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2015S |
| 開催年 |
| 2015 |
| 発行日 |
| 2015-08-25 |
| 講演日 |
| 講演場所(会議室等) |
| 講演番号 |
| A-1-1 |
| タイトル |
| A-1-1 電荷基準モデルに基づく縦型SiCパワーMOSFETの電流特性モデル化の検討(A-1.回路とシステム,一般セッション) |
| 著者名 |
| 周 瑞, 新谷 道広, 廣本 正之, 佐藤 高史, |
| キーワード |
| 抄録 |
| 本文pdf |
|
PDF download
|