講演番号 | 題目/著者 |
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C-4-1 | AlGaN系深紫外LEDの進展と展望 ○平山秀樹, 高野隆好, 阪井 淳, 美濃卓哉, 椿 健治, 定 昌史, 前田哲利, 大島一晟, 松本卓磨, 鎌田憲彦, 鹿嶋行雄, 松浦恵里子, |
C-4-10 | DFB LDにおける高速波長切替時の光出力安定化に関する検討 ◎上野雄鋭, 望月敬太, 長谷川清智, 野上正道, 有賀 博, |
C-4-11 | 薄膜DFBレーザとPIN-フォトダイオードを集積した10 Gbit/s光リンク ◎井上大輔, 平谷拓生, 福田 快, コ シチン, 冨安高弘, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久, |
C-4-12 | インピーダンス測定による半導体薄膜DFBレーザの帯域解析 ○瓜生達也, 井上大輔, 平谷拓生, 福田 快, 冨安高弘, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久, |
C-4-13 | 斜め導波路構造を用いたTバンド量子ドット半導体光増幅器の増幅特性評価 ○吉田尚也, 山本直克, 赤羽浩一, 梅沢俊匡, 松本 敦, 外林秀之, |
C-4-14 | 100GbE用集積TOSAの小型化のための高精度レンズ実装 ○望月敬太, 村尾覚志, 加茂芳幸, 安井伸之, 三國雅知, 上山幸嗣, 吉本崇広, 越前谷大介, 下野真也, 三田千夏, 小寺秀和, 野上正道, |
C-4-15 | 可変光減衰器を内蔵した100Gbit/s小型コヒーレントレシーバ ◎黒川宗高, 武智 勝, 立岩義弘, 佐伯智哉, 鈴木三千男, 藤村 康, |
C-4-16 | InP-SOAのフリップチップ実装によるシリコン光回路の光増幅技術 ○松本 武, 倉橋輝雄, 谷澤 健, 鈴木恵治郎, 植竹理人, 高林和雅, 池田和浩, 河島 整, 秋山 傑, |
C-4-17 | 窒素プラズマ活性化接合法で作製したGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの室温連続発振動作 ◎林 侑介, 鈴木純一, 井上慧史, 伊東憲人, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久, |
C-4-18 | III-V/Siハイブリッドデバイスの高効率動作に向けたハイブリッド領域/シリコン領域テーパ接続構造の検討 ◎井上慧史, 林 侑介, 鈴木純一, 伊東憲人, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久, |
C-4-19 | シリコン基板上への16ch(4ch×4)集積レーザアレイ光源の実装 ○西沢元亨, 羽鳥伸明, 田中 有, 栗原 充, 蔵田和彦, |
C-4-2 | MEMSミラーを用いた青色波長可変レーザの多波長発振特性 ◎石丸浩二, 小林弘和, 岩下 克, |
C-4-20 | 半導体薄膜レーザの導波路損失低減に向けた検討 ◎冨安高弘, 平谷拓生, 井上大輔, 福田 快, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久, |
C-4-21 | 薄膜分布反射型レーザの高効率動作の実現 ◎平谷拓生, 井上大輔, 冨安高弘, 福田 快, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久, |
C-4-22 | シリコンフォトニック波長可変レーザの広波長帯域化 ○北 智洋, |
C-4-23 | HCG MEMS VCSELの製作と温度無依存化に向けた特性評価 ◎井上俊也, 中濵正統, 松谷晃宏, 坂口孝浩, 小山二三夫, |
C-4-24 | 850nm帯25Gbps-VCSELの信頼性 ○田村和之, 増井勇志, 中田英彦, 丹野克晴, 乙黒雄太, 金子慎吾, 古嶋裕司, |
C-4-25 | 円形共振器を有する光励起型フォトニック結晶レーザの評価 ◎須賀昇舞, 日野貴文, 笠松郷志, 張 秀宇, 熊 一帆, 梶井博武, 森藤正人, 近藤正彦, |
C-4-26 | L帯 SOA 集積 EADFBレーザ(AXEL)の変調時高出力(9.0 dBm)動作 ◎進藤隆彦, 小林 亘, 藤原直樹, 大礒義孝, 長谷部浩一, 石井啓之, 井藤幹隆, |
C-4-27 | 低消費電力 L 帯波長可変レーザダイオード ○堀口裕一郎, 後藤田光伸, 高林正和, 松本啓資, 加治屋 哲, 石村栄太郎, |