電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (2009年度)

専門委員長 品田 高宏 (東北大)  副委員長 平野 博茂 (パナソニック・タワージャズ)
幹事 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (キオクシア)
幹事補佐 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)

「from:2009-11-12 to:2009-11-12」による検索結果

[シリコン材料・デバイス研究会ホームページへ] 
講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・昇順)
 17件中 1~17件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2009-11-12
10:10
東京 機械振興会館 [招待講演]誘導結合通信による低消費電力3次元システムインテグレーションとその展望
黒田忠広慶大
 [more]
SDM 2009-11-12
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]MOSFETコンパクトモデルと今後の展開 ~ バルクMOSFETからマルチゲートMOSFETに向けて ~
三浦道子三宅正尭上口 光楠 隼太石村健太菊地原秀行Feldmann UweMattausch Hans Juergen広島大SDM2009-135
 [more] SDM2009-135
pp.1-6
SDM 2009-11-12
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]2009 SISPADレビュー
田中克彦MIRAI-SeleteSDM2009-136
2009 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] SDM2009-136
pp.7-11
SDM 2009-11-12
13:40
東京 機械振興会館 [招待講演]2009 SISPADレビュー (2)
小川真人神戸大SDM2009-137
ホテル デル コロナドで開催された2009 SISPADの内容のうち,量子効果デバイス,
ナノスケールデバイスについて... [more]
SDM2009-137
pp.13-17
SDM 2009-11-12
14:40
東京 機械振興会館 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル
辻 博史阪大/JST)・鎌倉良成谷口研二阪大SDM2009-138
多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)の新たなドレイン電流モデルを提案する.poly-Si TFTの緩... [more] SDM2009-138
pp.19-22
SDM 2009-11-12
15:05
東京 機械振興会館 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT"
三宅正尭舛岡弘基ウヴェ フェルドマン三浦道子広島大SDM2009-139
高耐圧デバイスIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を用いた数百ボルトから数千ボルトクラスの電力変換回路の設計に... [more] SDM2009-139
pp.23-27
SDM 2009-11-12
15:30
東京 機械振興会館 MEMS等価回路ジェネレータの開発
藤原信代浅海和雄みずほ情報総研)・小池智之マイクロマシンセンター)・土屋智由京大)・橋口 原静岡大SDM2009-140
CMOS-MEMS(micro electromechanical system)デバイスの設計効率向上のために「等価回... [more] SDM2009-140
pp.29-32
SDM 2009-11-12
15:55
東京 機械振興会館 CMOSバイオセンサー応用のためのデバイスモデリングとシミュレーション
宇野重康中里和郎名大SDM2009-141
CMOS バイオセンシングにおいて中心的役割を担うIon-sensitive Field-Effect Transist... [more] SDM2009-141
pp.33-37
SDM 2009-11-13
10:00
東京 機械振興会館 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響
鎌倉良成森 伸也阪大/JST)・谷口研二阪大SDM2009-142
ナノスケールSi-MOSFET 内部における非平衡光学フォノンの発生とそれが電気特性に与える影響を数値シミュレーションを... [more] SDM2009-142
pp.39-44
SDM 2009-11-13
10:25
東京 機械振興会館 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション
ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也鎌倉良成阪大/JSTSDM2009-143
原子論に基づく量子輸送計算のための離散版R行列法を定式化した.開発した手法を用いることにより,デバイスシミュレーションに... [more] SDM2009-143
pp.45-48
SDM 2009-11-13
10:50
東京 機械振興会館 フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析
竹田 裕NECエレクトロニクス)・河田道人NEC情報システムズ)・竹内 潔羽根正巳NECエレクトロニクスSDM2009-144
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] SDM2009-144
pp.49-53
SDM 2009-11-13
11:15
東京 機械振興会館 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション
来栖貴史和田 真松永範昭梶田明広谷本弘吉青木伸俊豊島義明柴田英毅東芝SDM2009-145
LSIの金属配線設計において、サイズ縮小に伴って配線の抵抗率が上昇するという“抵抗率のサイズ効果”が問題となっている.次... [more] SDM2009-145
pp.55-60
SDM 2009-11-13
13:00
東京 機械振興会館 [チュートリアル招待講演]薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し ~ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 ~
大村泰久関西大SDM2009-146
本報告では、先ず、過去50年のSOIデバイス技術の歴史を見たとき、現代の薄層SOI MOSFET技術の到達点と近未来の3... [more] SDM2009-146
pp.61-66
SDM 2009-11-13
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき
竹内 潔MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス)・西田彰男MIRAI-Selete)・平本俊郎MIRAI-Selete/東大SDM2009-147
 [more] SDM2009-147
pp.67-71
SDM 2009-11-13
15:00
東京 機械振興会館 チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用
坂本浩則有本 宏増田弘生船山 敏熊代成孝MIRAI-SeleteSDM2009-148
 [more] SDM2009-148
pp.73-78
SDM 2009-11-13
15:25
東京 機械振興会館 High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション
鈴木 研伊藤雄太井上達也三浦英生東北大)・吉川英樹小林啓介物質・材料研究機構)・寒川誠二東北大SDM2009-149
原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し,High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点... [more] SDM2009-149
pp.79-84
SDM 2009-11-13
15:50
東京 機械振興会館 構造緩和したSiO2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用
川端研二市川尚志渡辺浩志東芝SDM2009-150
昨今の微細化の進展により、デバイスサイズはナノオーダーに突入しつつあり、これまで見過ごされてきた微細化極限物性的な問題が... [more] SDM2009-150
pp.85-90
 17件中 1~17件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会