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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (2018年度)

専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)  副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック), 諏訪 智之 (東北大)

「from:2018-10-17 to:2018-10-17」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2018-10-17
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山口泰男山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2018-52
 [more] SDM2018-52
pp.1-5
SDM 2018-10-17
14:50
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F スパッタリングプロセスを用いた新しい圧電材料とセンサへの応用
今泉文伸小山高専)・柳田幸祐 SDM2018-53
 [more] SDM2018-53
pp.7-10
SDM 2018-10-17
15:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating
Kaname ImokawaKyushu Univ)・Nozomu TanakaKyushu Univ.)・Akira SuwaKyushu Univ)・Daisuke NakamuraTaizoh SadohKyushu Univ.)・Tetsuya GotoNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.)・Hiroshi IkenoueKyushu UnivSDM2018-54
Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温(~500度)のプロセスが必要とされ,プリンタブ... [more] SDM2018-54
pp.11-14
SDM 2018-10-17
16:05
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討
工藤聡也堀内勇介大見俊一郎東工大SDM2018-55
我々は高速・低電圧動作可能な不揮発性メモリ実現のために、Si(100)表面を原子レベル平坦化した基板上にHf系MONOS... [more] SDM2018-55
pp.15-19
SDM 2018-10-17
16:35
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ
畑山祥吾須藤祐司安藤大輔小池淳一東北大SDM2018-56
相変化メモリは次世代型の不揮発性メモリとして注目されている. 現在, 実用化されている相変化材料はGe-Sb-Te化合物... [more] SDM2018-56
pp.21-26
SDM 2018-10-18
09:30
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング熊本テクノロジーセンターでの熊本震災からの教訓
鈴木裕巳熊本大)・上田康弘ソニーSDM2018-57
ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング(株)熊本テクノロジセンターでは、デジタルカメラなどの画像センサーの開発、製造... [more] SDM2018-57
pp.27-30
SDM 2018-10-18
10:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering
Min Gee KimRengie Mark D. MailigShun-ichiro OhmiTokyo Tech.SDM2018-58
In this study, we investigated thin film formation of ferroe... [more] SDM2018-58
pp.31-34
SDM 2018-10-18
10:50
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Schottky barrier height reduction of Pd2Si/Si(100) diodes by dopant segregation process
Rengie Mark D. MailigMin Gee KimShun-ichiro OhmiTokyo Tech.SDM2018-59
In this paper, the reduction of the Schottky barrier height ... [more] SDM2018-59
pp.35-40
SDM 2018-10-18
13:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセン/SiO2界面特性向上に関する検討
前田康貴朴 鏡恩小松勇貴大見俊一郎東工大SDM2018-60
これまで我々は、窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセンデバイスの特性向上に関する検討を行い、デバイス特性の向上に窒素... [more] SDM2018-60
pp.41-45
SDM 2018-10-18
13:30
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F ラマン分光法による熱電デバイス応用へ向けたSiナノワイヤのプロセス評価
横川 凌明大)・富田基裕渡邉孝信早大)・小椋厚志明大SDM2018-61
Siナノワイヤ(SiNW)はバルクSiと比較して電気伝導率を維持しつつ熱伝導率が大幅に低下することから次世代熱電材料とし... [more] SDM2018-61
pp.47-50
SDM 2018-10-18
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析
市野真也寺本章伸黒田理人間脇武蔵諏訪智之須川成利東北大SDM2018-62
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす,しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ(RTN)といったMOSト... [more] SDM2018-62
pp.51-56
SDM 2018-10-18
14:30
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]熊本地域でのシリコンアイランドの推進と地震からの復興 ~ 日本の半導体産業をどう発展させるか ~
久保田 弘熊本大SDM2018-63
熊本地震復興後に一度、これまでの産学連携研究活動の原点に戻り、大学人の立場から日本の半導体産業の方向について考え直す機会... [more] SDM2018-63
pp.57-61
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