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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (2017年度)

専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)  副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック), 諏訪 智之 (東北大)

「from:2017-12-22 to:2017-12-22」による検索結果

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講演検索結果
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 20件中 1~20件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
10:30
京都 京都大学 薄型結晶シリコン太陽電池に向けたナノインプリントテクスチャの光閉じ込め効果
中井雄也石河泰明浦岡行治奈良先端大EID2017-11 SDM2017-72
薄型結晶シリコン太陽電池の実現には光吸収層内での光り閉じ込め効果が重要であり,光の多重反射を目的としたテクスチャを形成す... [more] EID2017-11 SDM2017-72
pp.1-4
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
10:45
京都 京都大学 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ~ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ~
小澤愼二竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-12 SDM2017-73
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である.高濃度Alドープ4H... [more] EID2017-12 SDM2017-73
pp.5-8
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:00
京都 京都大学 高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ~ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ~
西畑凜哉竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-13 SDM2017-74
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である.Al濃度が1... [more] EID2017-13 SDM2017-74
pp.9-12
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:15
京都 京都大学 Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ~ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ~
日高淳輝竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-14 SDM2017-75
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である.高濃度A... [more] EID2017-14 SDM2017-75
pp.13-16
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:30
京都 京都大学 Si太陽電池とLEDマトリクスからなる超高出力トランジスタとサイリスタ
岡本研正光半導体デバイス応用技術研
Siバイポーラトランジスタを作るにはPNPあるいはNPNの3層構造の素子を作らねばならない。またSiサイリスタを作るには... [more]
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:45
京都 京都大学 薄膜コイルを有した生体刺激デバイスへのワイヤレス給電
三澤慶悟冨岡圭佑三宅康平木村 睦龍谷大EID2017-15 SDM2017-76
我々は薄膜デバイスでの生体刺激デバイスに注目している.特に,低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)... [more] EID2017-15 SDM2017-76
pp.17-22
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
13:15
京都 京都大学 GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用
髙木 瞭龍谷大)・梅田鉄馬奈良先端大)・松田時宜龍谷大)・上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2017-16 SDM2017-77
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O(a-GTO)薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] EID2017-16 SDM2017-77
pp.23-28
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
13:30
京都 京都大学 レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定
野村竜生荒牧達也松田時宜龍谷大)・梅田鉄馬上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2017-17 SDM2017-78
廃熱を回収し,効率よく熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができれば石油の使用量等を減らすとこができると考えられて... [more] EID2017-17 SDM2017-78
pp.29-34
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
13:45
京都 京都大学 Three-dimension periodic nano-structure fabricated by proximity nano-patterning process (PnP)
Xudongfang WangYasuaki IshikawaShinji ArakiYukiharu UraokaNAIST)・Seokwoo JeonKAISTEID2017-18 SDM2017-79
In recent years, 3D periodic nanostructure have attracted co... [more] EID2017-18 SDM2017-79
pp.35-38
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
14:00
京都 京都大学 IGZO薄膜を可変抵抗素子として用いた脳型集積システム
山川大樹柴山友輝生島恵典杉崎澄生龍谷大)・宮前義範ローム)・木村 睦龍谷大EID2017-19 SDM2017-80
 [more] EID2017-19 SDM2017-80
pp.39-44
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
14:15
京都 京都大学 アモルファス酸化物半導体を用いたクロスポイント型シナプス
田中 遼杉崎澄生木村 睦龍谷大EID2017-20 SDM2017-81
我々は脳型集積システムに向けたクロスポイント型シナプスをアモルファス酸化物半導体を用いて作製した。クロスポイント型シナプ... [more] EID2017-20 SDM2017-81
pp.45-49
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
14:30
京都 京都大学 強誘電体キャパシタを用いたニューラルネットワークのシミュレーション
小川功人横山朋陽木村 睦龍谷大EID2017-21 SDM2017-82
ニューラルネットワークは、生体の脳・神経系が持つ高度な情報処理の機能や原理に学んで、新しい工学的情報処理システムの実現を... [more] EID2017-21 SDM2017-82
pp.51-55
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
14:45
京都 京都大学 シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響
平出 惇山口正樹芝浦工大)・増田陽一郎八戸工大EID2017-22 SDM2017-83
シリコン基板上に堆積した強誘電体薄膜は,不揮発性メモリ,フォトニック結晶,圧電MEMSなどへの応用が期待されている.しか... [more] EID2017-22 SDM2017-83
pp.57-62
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
15:00
京都 京都大学 ミストCVD法を用いたGaSnO薄膜の特性評価
岡本龍吾福嶋大貴松田時宜木村 睦龍谷大EID2017-23 SDM2017-84
 [more] EID2017-23 SDM2017-84
pp.63-66
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
15:30
京都 京都大学 Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ
西口尚希内海弘樹原 明人東北学院大EID2017-24 SDM2017-85
新たな半導体デバイス材料の一つとしてゲルマニウムスズ(GeSn)が注目されている。 薄膜でのGeSnの低温結晶化として銅... [more] EID2017-24 SDM2017-85
pp.67-70
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
15:45
京都 京都大学 薄膜トランジスタを用いた薄膜生体刺激デバイスの動作検証
三宅康平冨岡圭佑三澤慶悟木村 睦龍谷大EID2017-25 SDM2017-86
薄膜トランジスタ (TFT) の特性から医療分野への応用が期待されている.そこで,生体刺激デバイスに TFT が使用でき... [more] EID2017-25 SDM2017-86
pp.71-76
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
16:00
京都 京都大学 Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果
吉岡尚輝秋田佳輝部家 彰松尾直人兵庫県立大)・小濱和之伊藤和博阪大EID2017-26 SDM2017-87
 [more] EID2017-26 SDM2017-87
pp.77-80
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
16:15
京都 京都大学 円柱状Ge膜のFLA結晶化における光学的バンドギャップの効果
吉岡尚輝部家 彰松尾直人秋田佳輝兵庫県立大EID2017-27 SDM2017-88
 [more] EID2017-27 SDM2017-88
pp.81-84
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
16:30
京都 京都大学 DNA/Si-MOSFETの正孔,電子伝導に関する検討
中野 響松尾直人部屋 彰高田忠雄山名一成兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大)・大村泰久関西大EID2017-28 SDM2017-89
 [more] EID2017-28 SDM2017-89
pp.85-88
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
16:45
京都 京都大学 グラフェンの電気抵抗に関する解析的検討
松尾直人部家 彰兵庫県立大EID2017-29 SDM2017-90
 [more] EID2017-29 SDM2017-90
pp.89-92
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