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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE)  (2005年度)

専門委員長 有賀 博 (三菱電機)  副委員長 八坂 洋 (東北大)
幹事 川北 泰雅 (古河電工), 永井 正也 (阪大)
幹事補佐 瀬川 徹 (NTT)

「from:2005-12-09 to:2005-12-09」による検索結果

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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2005-12-09
10:00
東京 機械振興会館 1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御
内山泰宏武田一隆宮本智之小山二三夫東工大
 [more] LQE2005-112
pp.1-4
LQE 2005-12-09
10:25
東京 機械振興会館 光インターコネクション用1.1μm帯InGaAsVCSEL
鈴木尚文畠山 大阿南隆由深津公良屋敷健一郎辻 正芳NEC
超高速計算機内のデータ転送速度増大のため、高速化、高密度化可能な光伝送の適用が検討されており、光源として消費電力、高密度... [more] LQE2005-113
pp.5-8
LQE 2005-12-09
10:50
東京 機械振興会館 Tunable Twin Guide DFB レーザの波長可変特性
早川明憲高林和雅田中信介苫米地秀一江川 満森戸 健富士通研
 [more] LQE2005-114
pp.9-12
LQE 2005-12-09
11:15
東京 機械振興会館 ラダー型フィルタとリング共振器を用いたデジタル型波長可変レーザ
松尾慎治鄭 錫煥瀬川 徹岡本 浩川口悦弘近藤康洋鈴木博之吉國裕三NTT
レーザキャビティにラダー型フィルタとリング共振器を含むデジタル型波長可変レーザについて報告する。本素子はリング共振器の周... [more] LQE2005-115
pp.13-16
LQE 2005-12-09
11:40
東京 機械振興会館 バーニア型DBRレーザを用いた波長可変光クロックパルス発生
西村哲也後藤田光伸西川智志徳田安紀三菱電機/光協会
バーニア型回折格子を有する4電極波長可変DBRレーザを開発し,波長可変幅30nm以上のCW発振動作を報告してきた.今回,... [more] LQE2005-116
pp.17-20
LQE 2005-12-09
13:20
東京 機械振興会館 短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作
篠田和典北谷 健青木雅博日立)・向久保 優内田憲治魚見和久日本オプネクスト
10Gbit/s伝送用1.3μm帯直接変調レーザの駆動電流低減を目的として、数十μm長の短い活性領域を持つ短共振器型In... [more] LQE2005-117
pp.21-24
LQE 2005-12-09
13:45
東京 機械振興会館 10Gbit/s 非冷却LDモジュールの給電回路の検討
岡田規男安井伸之有賀 博白井 聡大島 功杉立厚志八田竜夫渡辺 斉三菱電機
XFPを始め、XENPAK,X2などの光送受信器に搭載可能な低コスト10Gbit/s LDモジュールを開発した。並列容量... [more] LQE2005-118
pp.25-28
LQE 2005-12-09
14:10
東京 機械振興会館 シングルモードDFB量子カスケードレーザの分光分析への応用
枝村忠孝秋草直大杉山厚志落合隆英山西正道菅 博文浜松ホトニクス)・上原喜代治慶大
 [more] LQE2005-119
pp.29-32
LQE 2005-12-09
14:35
東京 機械振興会館 2次元半導体レーザの発振特性
福嶋丈浩岡山県立大/ATR)・原山卓久ATR
近年の半導体プロセス技術の発展により,ディスク形,6角形,スタジアム形など,様々な形の2次元半導体レーザが製作され,その... [more] LQE2005-120
pp.33-36
LQE 2005-12-09
15:15
東京 機械振興会館 MEMS集積化フォトニック結晶導波路の作製と評価
岩本 敏東大)・山田博仁徳島正敏五明明子NEC)・肥後昭男年吉 洋石田悟己荒川泰彦東大
 [more] LQE2005-121
pp.37-40
LQE 2005-12-09
15:40
東京 機械振興会館 GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ
三浦幸治タノーム プルームウォンロート西本頼史大平和哉東工大)・八木英樹丸山武男荒井滋久東工大/JST
EB露光、CH4/H2-RIE、及びOMVPEによる埋め込み再成長法を用いて作製したGaInAsP/InP長波長帯歪補償... [more] LQE2005-122
pp.41-44
LQE 2005-12-09
16:05
東京 機械振興会館 高密度高均一量子ドットを用いた量子ドットレーザ
天野 建菅谷武芳小森和弘産総研
高密度(8x10^10cm^-2)で高均一(25 meV)な量子ドットを独自手法で製作した.
これを半導体レーザに用い... [more]
LQE2005-123
pp.45-48
LQE 2005-12-09
16:30
東京 機械振興会館 長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振
清水 均Shanmugam Saravanan吉田順自ATR)・井部紗代子横内則之古河電工
 [more] LQE2005-124
pp.49-52
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