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集積回路研究会 (ICD)  (2016年度)

専門委員長 永田 真 (神戸大)  副委員長 高橋 真史 (キオクシア)
幹事 柘植 政利 (ソシオネクスト), 廣瀬 哲也 (阪大)
幹事補佐 新居 浩二 (TSMCデザインテクノロジージャパン), 宮地 幸祐 (信州大), 久保木 猛 (九大)

「from:2016-04-14 to:2016-04-14」による検索結果

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講演検索結果
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 16件中 1~16件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2016-04-14
10:10
東京 機械振興会館 [依頼講演]低消費電力MCU向け40-nm 4-Mb組込みSRAMを用いた効率的なスクリーニング手法
良田雄太ルネサス システムデザイン)・横山佳巧石井雄一郎ルネサス エレクトロニクス)・稲田敏浩田中浩司田中美紀辻橋良樹ルネサス システムデザイン)・新居浩二ルネサス エレクトロニクスICD2016-1
低消費マイコン(MCU)向けに、効率的なテストスクリーニング回路を搭載した組込みシングルポートSRAMを開発した。室温で... [more] ICD2016-1
pp.1-6
ICD 2016-04-14
10:35
東京 機械振興会館 [依頼講演]容量結合データ書込技術を用いた7T-SRAM
高島大三郎遠藤真人東芝)・島崎一浩齋 学東芝マイクロエレクトロニクス)・谷野雅章東芝情報システムICD2016-2
本論文では、容量性結合によるデータ書込技術を用いた7Tr. SRAMについて述べる。従来SRAM固有の電流衝突を引き起こ... [more] ICD2016-2
pp.7-12
ICD 2016-04-14
11:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]298-fJ/writecycle 650-fJ/readcycleを実現する画像処理プロセッサ向け28-nm FD-SOI 8T 3ポートSRAM
森 陽紀中川知己北原佑起河本優太高木健太吉本秀輔和泉慎太郎神戸大)・新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・川口 博吉本雅彦神戸大ICD2016-3
28-nm FD-SOIプロセス技術を用いた, 低消費電力かつ低電圧な画像処理向け64-kb 8T3ポートSRAMを提案... [more] ICD2016-3
pp.13-16
ICD 2016-04-14
11:25
東京 機械振興会館 A 64kb 16nm Asynchronous Disturb Current Free 2-Port SRAM with PMOS Pass-Gates for FinFET Technologies
Hidehiro FujiwaraLi-Wen WangYen-Huei ChenKoo-Cheng LinDar SunShin-Rung WuJhon-Jhy LiawChin-Yung LinMu-Chi ChiangHung-Jen LiaoShien-Yang WuJonathan ChangTSMCICD2016-4
 [more] ICD2016-4
pp.17-20
ICD 2016-04-14
13:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察
高橋庸夫北大)・工藤昌輝九大)・有田正志北大ICD2016-5
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている.しかし、その長期信頼... [more] ICD2016-5
pp.21-26
ICD 2016-04-14
13:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路
田中誠大石井智也蜂谷尚悟寧 渉洋竹内 健中大ICD2016-6
バッテリーレスなIoT向け端末に組み込まれるデータストレージとして,低電圧・低電力書き込み可能な抵抗変化型メモリ(ReR... [more] ICD2016-6
pp.27-32
ICD 2016-04-14
13:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]確率微分方程式によるReRAM信頼性予測方法開発
魏 志強PSCS)・江利口浩二京大)・村岡俊作片山幸治安原隆太郎河合 健早川幸夫島川一彦三河 巧米田慎一PSCSICD2016-7
確率微分方程式に基づき、ReRAM固有な抵抗ばらつきを含めた抵抗分布を記述する方程式を開発した。この式を用い、フィラメン... [more] ICD2016-7
pp.33-37
ICD 2016-04-14
14:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]ReRAM reliability characterization and improvement by machine learning
Tomoko Ogura IwasakiSheyang NingHiroki YamazawaChao SunShuhei TanakamaruKen TakeuchiChuo Univ.ICD2016-8
The low voltage and fast program capability of ReRAM is very... [more] ICD2016-8
pp.39-44
ICD 2016-04-14
14:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance
齋藤 仁中村 亘小澤聡一郎佐次田直也三原 智彦坂幸信王 文生堀 智之高井一章中澤光晴小杉 騰濱田 誠川嶋将一郎恵下 隆松宮正人FSLICD2016-9
我々は低電圧1.2 V動作, 書き換え回数1E17 サイクルの強誘電体RAM(FRAM)を開発した。我々が新たに開発した... [more] ICD2016-9
pp.45-49
ICD 2016-04-14
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計
小池洋紀三浦貞彦本庄弘明渡辺俊成佐藤英夫佐藤創志那須野 孝野口靖夫安平光雄谷川高穂丹羽正昭伊藤顕知池田正二大野英男遠藤哲郎東北大ICD2016-10
高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な,高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧(Vref)生成回路,... [more] ICD2016-10
pp.51-56
ICD 2016-04-14
15:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]Power reduction based on MRAM
Hiroaki YodaShinobu FujitatoshibaICD2016-11
 [more] ICD2016-11
pp.57-59
ICD 2016-04-14
16:15
東京 機械振興会館 [招待講演]混載STT-MRAMテクノロジのトレンドと近未来のアプリケーション
藤田 忍東芝ICD2016-12
 [more] ICD2016-12
pp.61-64
ICD 2016-04-15
09:30
東京 機械振興会館 [依頼講演]ガベージコレクション最適化によるLBA scramblerを使用したしたSSDの高速化
松井千尋荒川飛鳥孫 超Tomoko Ogura Iwasaki竹内 健中大ICD2016-13
NANDフラッシュSSDは,空のブロックを確保するガベージコレクション(GC)動作によって書き込み性能が制限される.以前... [more] ICD2016-13
pp.65-69
ICD 2016-04-15
09:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]データアクセスパターンを考慮したSCM/NANDハイブリッドSSDシステムの設計
山田知明岡本 峻孫 超蜂谷尚悟トモコ オグラ イワサキ竹内 健中大ICD2016-14
 [more] ICD2016-14
pp.71-76
ICD 2016-04-15
10:20
東京 機械振興会館 [依頼講演]長期保存向け半導体データストレージの高信頼手法
高橋知紀山﨑泉樹田中丸周平Tomoko Ogura Iwasaki蜂谷尚悟竹内 健中大
 [more]
ICD 2016-04-15
10:55
東京 機械振興会館 [招待講演]車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発
中西 悟三谷秀徳松原 謙吉田 浩河野隆司帯刀恭彦伊藤 孝倉藤 崇野口健二日高秀人山内忠明ルネサス エレクトロニクスICD2016-15
車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、90nmプロセスの1T-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマク... [more] ICD2016-15
pp.77-81
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