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電子デバイス研究会 (ED)  (2015年度)

専門委員長 須原 理彦 (都立大)  副委員長 藤代 博記 (東京理科大)
幹事 岩田 達哉 (富山県立大), 小谷 淳二 (富士通研)
幹事補佐 堤 卓也 (NTT)

「from:2015-05-28 to:2015-05-28」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
13:00
愛知 豊橋技科大VBL棟 液体原料を用いた熱CVDによるグラフェンの合成
岸 直希岩田鷹明岩間一樹包 建峰劉 会濤曽我哲夫名工大ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18
我々は安全・簡便なグラフェン合成を目指し、炭素源として液体原料であるエタノールを、またキャリアガスとして窒素を用いたグラ... [more] ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18
pp.1-4
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
13:25
愛知 豊橋技科大VBL棟 マイクロ波表面波プラズマCVDによる多数層グラフェン合成と紫外光カットによる高品質化
市村 進内田秀雄脇田紘一中部大)・林 靖彦岡山大)・梅野正義中部大ED2015-17 CPM2015-2 SDM2015-19
本研究に置いては,グラフェンをバイオセンサ、生体適合材料として応用する事を主眼に置き研究を進めた。信頼性の観点、電気伝導... [more] ED2015-17 CPM2015-2 SDM2015-19
pp.5-10
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
13:50
愛知 豊橋技科大VBL棟 SiC基板表面における浸漬法による自己組織化膜形成
鈴木悠矢広瀬雄治玉置祥平宮川鈴衣奈木下隆利江龍 修名工大ED2015-18 CPM2015-3 SDM2015-20
高品質なGaNの結晶成長を実現するため、ペプチド素子の自己組織化を用いたSiC微細加工法を提案する。ペプチド素子のもつ電... [more] ED2015-18 CPM2015-3 SDM2015-20
pp.11-15
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
14:15
愛知 豊橋技科大VBL棟 分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性
光野徹也静岡大)・酒井 優山梨大)・岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21
直径50-200 nm、高さ1500 nmのGaNナノ支柱状結晶上に直径が200-800 nm程度で厚さが50 nmの極... [more] ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21
pp.17-19
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
14:50
愛知 豊橋技科大VBL棟 Semi-polar GaN (10-13) grown on nominal Si (001) substrate with sputtered AlN buffer layer
Hojun LeeTadashi MitsunariYoshio HondaHiroshi AmanoNagoya Univ.
 [more]
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
15:15
愛知 豊橋技科大VBL棟 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御
浦上法之山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22
表面窒化による窒素添加と数原子層(ML)のGaAsで埋め込むことにより希薄窒化物混晶であるGaAsNを成長し,成長条件が... [more] ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22
pp.21-26
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
15:40
愛知 豊橋技科大VBL棟 コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作
伊藤義人金子健太郎・○藤田静雄京大ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23
サファイア基板を用いたコランダム構造の酸化物半導体について、適切なバッファ層を導入しミストCVD法による成長条件を明らか... [more] ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23
pp.27-30
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
16:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製
古賀優太原田和也花田賢志大石敏之嘉数 誠佐賀大ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ... [more] ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
pp.31-34
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
16:40
愛知 豊橋技科大VBL棟 浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析
山口修造・○大石敏之佐賀大)・山口裕太郎山中宏治三菱電機ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25
GaNショットキーバリアダイオード(SBD)を高電力で使用する場合,逆方向だけでなく、順方向にも大きな電圧が印加される。... [more] ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25
pp.35-39
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
17:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション
大石敏之東 竜太郎原田和也古賀優太佐賀大)・平間一行NTT)・嘉数 誠佐賀大ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26
H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ,Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシ... [more] ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26
pp.41-44
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
17:30
愛知 豊橋技科大VBL棟 自由電子レーザー照射による面内配向単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御の可能性
川口大貴吉田圭佑小林弥生春宮清之介永田知子山本 寛・○岩田展幸日大ED2015-25 CPM2015-10 SDM2015-27
ホットウォール型(Hot Wall Type : HW-)CVD装置と波長800nmの自由電子レーザー(Free Ele... [more] ED2015-25 CPM2015-10 SDM2015-27
pp.45-50
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
17:55
愛知 豊橋技科大VBL棟 サファイア基板上におけるCo/Pt/r面配向Cr2O3積層膜の成膜条件最適化
隅田貴士橋本浩佑福井慎二郎永田知子山本 寛・○岩田展幸日大ED2015-26 CPM2015-11 SDM2015-28
r面配向[Pt/Co]3/Pt/Cr2O3積層膜をDC-RFマグネトロンスパッタ法により作製し、結晶構造解析及び磁気特性... [more] ED2015-26 CPM2015-11 SDM2015-28
pp.51-56
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
08:40
愛知 豊橋技科大VBL棟 ピクセル間感度差に基づく溶液電位の算出によるガラス管参照電極を不要とするpHイメージセンサ
渡邊 愼太齋文博岩田達哉石田 誠服部敏明澤田和明豊橋技科大ED2015-27 CPM2015-12 SDM2015-29
電気化学測定を行う際に,検体の電位を固定するために参照電極が用いられる.一般的な参照電極はガラス管を用いて構成されており... [more] ED2015-27 CPM2015-12 SDM2015-29
pp.57-61
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
09:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用
熊崎祐介渡部晃生谷田部然治佐藤威友北大ED2015-28 CPM2015-13 SDM2015-30
 [more] ED2015-28 CPM2015-13 SDM2015-30
pp.63-66
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
09:30
愛知 豊橋技科大VBL棟 混合導電性SrFeO3-δの結晶構造と酸素透過特性
籠宮 功白川史朗柿本健一名工大ED2015-29 CPM2015-14 SDM2015-31
結晶異方性を持ち、酸素欠損量が多く、高い全導電率を示すことが知られているSrFeO3-δ(δ= ~0.25)に着目し、酸... [more] ED2015-29 CPM2015-14 SDM2015-31
pp.67-69
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
09:55
愛知 豊橋技科大VBL棟 4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価
小濱公洋森 祐人加藤正史市村正也名工大ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32
SiCバイポーラデバイスにおいて重要なパラメータであるキャリアライフタイムの制限因子のひとつに表面再結合速度がある。本研... [more] ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32
pp.71-76
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
10:30
愛知 豊橋技科大VBL棟 電気化学堆積CuxZnyS薄膜の熱処理
トン バインガルディ市村正也名工大ED2015-31 CPM2015-16 SDM2015-33
 [more] ED2015-31 CPM2015-16 SDM2015-33
pp.77-80
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
10:55
愛知 豊橋技科大VBL棟 溶液成長法によるSnS堆積量と撹拌の関係
鈴木大司・○高野 泰石田明広静岡大ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタノールアミン、チオアセトアミド... [more] ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34
pp.81-84
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
11:20
愛知 豊橋技科大VBL棟 電気化学堆積法によるCu2O/Fe-Oヘテロ接合太陽電池の作製
張 朝龍名工大)・Junie Jhon M. Vequizo豊田工大)・市村正也名工大ED2015-33 CPM2015-18 SDM2015-35
 [more] ED2015-33 CPM2015-18 SDM2015-35
pp.85-90
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
11:45
愛知 豊橋技科大VBL棟 電気化学堆積硫化鉄薄膜の硫黄アニール処理とZnOとのヘテロ接合への応用
梶間崇宏名工大)・川井正一デンソー)・市村正也名工大ED2015-34 CPM2015-19 SDM2015-36
電気化学堆積法は水溶液中のイオンを還元させることで薄膜を堆積させる方法である。FeS2(パイライト)は豊富かつ無毒な元素... [more] ED2015-34 CPM2015-19 SDM2015-36
pp.91-95
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