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光エレクトロニクス研究会 (OPE)
超伝導エレクトロニクス研究会 (SCE)
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
人工知能と知識処理研究会 (AI)
クラウドネットワークロボット研究会 (CNR)
コンピュテーション研究会 (COMP)
合意と共創研究会 (Consen)
コンピュータシステム研究会 (CPSY)
ディペンダブルコンピューティング研究会 (DC)
データ工学研究会 (DE)
マルチメディア情報ハイディング・エンリッチメント研究会 (EMM)
教育工学研究会 (ET)
情報論的学習理論と機械学習研究会 (IBISML)
情報通信システムセキュリティ研究会 (ICSS)
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知能ソフトウェア工学研究会 (KBSE)
ライフインテリジェンスとオフィス情報システム研究会 (LOIS)
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ソフトウェアサイエンス研究会 (SS)
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通信研究会 (IEE-CMN)
誘電・絶縁材料研究会 (IEE-DEI)
電子デバイス技術委員会 (IEE-EDD)
電子材料研究会 (IEE-EFM)
電磁環境技術委員会 (IEE-EMC)
電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
ITS研究会 (IEE-ITS)
マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
スマートファシリティ研究会 (IEE-SMF)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
ED
,
LQE
,
CPM
(共催)
2018-11-29
14:40
愛知
名古屋工業大学
n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定
○
塩島謙次
・
前田昌嵩
(
福井大
)・
三島友義
(
法政大
)
ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90
GaN自立基板を用いた厚膜低キャリア濃度ショットキー電極に対して電圧を印加しながら界面顕微光応答測定(scanning ...
[more]
ED2018-36
CPM2018-70
LQE2018-90
pp.17-20
ED
2018-10-24
14:25
東京
機械振興会館 地下3階1号室
大電力パルススパッタ法によるスピント型陰極作製における放電ガス(アルゴン、クリプトン)の効果
○
谷口日向
・
大家 溪
・
中野武雄
(
成蹊大
)・
長尾昌善
・
大崎 壽
・
村上勝久
(
産総研
)
ED2018-27
スピント型エミッタは真空電子源のひとつである。この陰極は、上部にホールの開いた微細キャビティを基板上に形成し、ホールを通...
[more]
ED2018-27
pp.5-8
CPM
,
LQE
,
ED
(共催)
2016-12-12
13:25
京都
京大桂キャンパス
界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価
○
塩島謙次
・
村瀬真悟
・
前田昌嵩
(
福井大
)・
三島友義
(
法政大
)
ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74
GaN自立基板上に形成した、Ni/n-GaNショットキー接触に電流値を制限した逆方向電圧ストレスを繰り返して印加し、劣化...
[more]
ED2016-58
CPM2016-91
LQE2016-74
pp.5-8
VLD
,
DC
(共催)
CPM
,
ICD
,
IE
(共催)
CPSY
,
RECONF
(併催)
[詳細]
2016-11-29
09:00
大阪
立命館大学大阪いばらきキャンパス
ランダムばらつきが低減されたプロセスにおける超低電圧条件下でのSTIストレス効果と逆狭チャネル効果による閾値ばらつきの実測
○
小笠原泰弘
・
小池帆平
(
産総研
)
CPM2016-76 ICD2016-37 IE2016-71
本論文では超低電圧下におけるレイアウト依存性効果に起因する閾値変動効果の影響を実測より示す。65nm SOTB CMOS...
[more]
CPM2016-76
ICD2016-37
IE2016-71
pp.1-6
EE
,
WPT
(併催)
2016-10-07
10:50
京都
龍谷大学 セミナーハウス ともいき荘 (京都市)
電圧分割型E級増幅器の負荷変動時における準最適動作について
○
平山克利
・
白川拓也
(
長崎大
)・
末次 正
(
福岡大
)・
丸田英徳
・
黒川不二雄
(
長崎大
)
EE2016-25
本論文では, 複数個のトランジスタを直列に接続し, この複数個接続したトランジスタのうちいくつかを常時オンにし, 残りを...
[more]
EE2016-25
pp.37-41
EE
,
IEE-SPC
(連催)
2016-07-14
14:45
東京
機械振興会館
電圧分割型E級増幅器について
○
平山克利
・
古川雄大
・
白川拓也
(
長崎大
)・
末次 正
(
福岡大
)・
丸田英徳
・
黒川不二雄
(
長崎大
)
EE2016-10
本論文では, 主スイッチの電圧ストレスを低減させるため, トランジスタを複数個直列に接続したE級増幅器回路を提案する。ス...
[more]
EE2016-10
pp.49-52
SDM
2015-01-27
15:30
東京
機械振興会館
[招待講演]n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測
○
水林 亘
・
森 貴洋
・
福田浩一
・
柳 永勛
・
松川 貴
・
石川由紀
・
遠藤和彦
・
大内真一
・
塚田順一
・
山内洋美
・
森田行則
・
右田真司
・
太田裕之
・
昌原明植
(
産総研
)
SDM2014-143
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs(TFETs)のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの...
[more]
SDM2014-143
pp.33-36
EE
2013-10-10
16:00
北海道
北海道大学 クラーク会館 大集会室
スイッチトキャパシタを用いた高電圧アプリケーション用LLCコンバータ
○
三井 航
・
佐藤輝被
・
西嶋仁浩
・
鍋島 隆
(
大分大
)
EE2013-21
本論文では高電圧入力を必要とするアプリケーション用のスイッチトキャパシタを用いたLLCコンバータ回路について提案する.今...
[more]
EE2013-21
pp.5-9
EE
2013-10-10
16:30
北海道
北海道大学 クラーク会館 大集会室
電圧ストレスを低減できるカップルドトランス位相シフト制御コンバータ
○
宮田祥平
・
佐藤輝被
・
西嶋仁浩
・
鍋島 隆
(
大分大
)
EE2013-22
本論文では,位相制御型コンバータのスイッチの電圧ストレスを低減する方法を提案する.提案する回路は,スイッチの数が従来型と...
[more]
EE2013-22
pp.11-15
VLD
,
IPSJ-SLDM
(連催)
2013-05-16
09:00
福岡
北九州国際会議場
レイアウト依存効果を考慮したパラメータ化セルによる性能駆動SRAMマクロ設計手法
○
張 宇
・
中武繁寿
(
北九州市大
)
VLD2013-1
ナノスケール·プロセスでは、
Shallow Trench Isolation(STI)ストレスとウェル...
[more]
VLD2013-1
pp.1-6
ICD
,
SDM
(共催)
2012-08-02
10:00
北海道
札幌市男女共同参画センター
SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術
○
クマール アニール
・
更屋拓哉
(
東大
)・
宮野信治
(
半導体理工学研究センター
)・
平本俊郎
(
東大
)
SDM2012-65 ICD2012-33
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより,SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS...
[more]
SDM2012-65
ICD2012-33
pp.13-16
ICD
2012-04-24
14:50
岩手
つなぎ温泉清温荘(岩手県)
[依頼講演]0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計
○
小田部 晃
・
伊藤清男
・
竹村理一郎
・
土屋龍太
(
日立
)・
堀口真志
(
ルネサス エレクトロニクス
)
ICD2012-15
0.5 V動作高速CMOS LSIの実現可能性について検討を行った。はじめに,しきい値ばらつきを低減する技術として,完全...
[more]
ICD2012-15
pp.79-84
EE
2011-11-18
10:30
東京
機械振興会館
素子クランプ機能付き昇圧コンバータのインダクタンス設計法
○
菅 郁朗
(
三菱電機/長崎大
)・
竹島由浩
(
三菱電機
)・
黒川不二雄
(
長崎大
)
EE2011-24
素子電圧クランプ機能を有する高効率昇圧コンバータについて,理論解析,シミュレーション,試作機(98V,13A出力)による...
[more]
EE2011-24
pp.1-6
EE
2010-01-22
13:00
福岡
福岡大学
電圧クランプZVS-PWM双方向DC-DCコンバータの動作検証
○
北川正博
・
藤原耕二
・
石原好之
(
同志社大
)・
小倉正嗣
・
蓑輪義文
・
栗尾信広
(
日新電機
)
EE2009-46
本稿では,蓄電池を有する太陽光発電システムに用いられる,低圧かつ大電流に適した絶縁型双方向DC-DCコンバータを提案する...
[more]
EE2009-46
pp.59-64
SDM
,
OME
(共催)
2008-04-11
14:05
沖縄
沖縄県青年会館
Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化
○
藤井茉美
・
矢野裕司
・
畑山智亮
・
浦岡行治
・
冬木 隆
(
奈良先端大
)・
Ji Sim Jung
・
Jang Yeon Kwon
(
サムスン総合技術院
)
SDM2008-10 OME2008-10
我々は、DCストレス下におけるGa2O3-In2O3-ZnO(GIZO)薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲー...
[more]
SDM2008-10
OME2008-10
pp.47-50
EE
2008-01-21
13:00
福岡
九州大学 西新プラザ
DC-DCコンバータの軽負荷時の制御について
○
関野吉宏
EE2007-44
DC-DCコンバータをリアクタ電流境界モードで動作させると負荷が軽くなるほどスイッチング周波数が高くなるという不都合があ...
[more]
EE2007-44
pp.1-6
EE
2008-01-22
15:00
福岡
九州大学 西新プラザ
複合磁気トランスを用いたZVSハーフブリッジコンバータ
○
伊東秀樹
(
同志社大
)・
細谷達也
(
村田製作所
)・
藤原耕二
・
石原好之
・
戸高敏之
(
同志社大
)
EE2007-61
入力チョーク,出力チョーク,トランスを一体化した新しい複合磁気トランスを用いることで,オン期間とオフ期間の両期間にて一次...
[more]
EE2007-61
pp.101-106
ICD
,
ITE-CE
(共催)
2006-01-26
10:00
東京
機械振興会館
スケーリングされたトランジスタに適応した高耐圧オペアンプ設計
○
石田光一
・
アティット タマタカーン
(
東大
)・
石黒仁揮
(
東芝
)・
桜井貴康
(
東大
)
電源電圧範囲を超える(アウトサイド・レール)出力を有する高耐圧オペアンプを設計し、1.8V、0.18µm、標...
[more]
ICD2005-205
pp.1-6
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