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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-29
14:40
愛知 名古屋工業大学 n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定
塩島謙次前田昌嵩福井大)・三島友義法政大ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90
GaN自立基板を用いた厚膜低キャリア濃度ショットキー電極に対して電圧を印加しながら界面顕微光応答測定(scanning ... [more] ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90
pp.17-20
ED 2018-10-24
14:25
東京 機械振興会館 地下3階1号室 大電力パルススパッタ法によるスピント型陰極作製における放電ガス(アルゴン、クリプトン)の効果
谷口日向大家 溪中野武雄成蹊大)・長尾昌善大崎 壽村上勝久産総研ED2018-27
スピント型エミッタは真空電子源のひとつである。この陰極は、上部にホールの開いた微細キャビティを基板上に形成し、ホールを通... [more] ED2018-27
pp.5-8
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
13:25
京都 京大桂キャンパス 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価
塩島謙次村瀬真悟前田昌嵩福井大)・三島友義法政大ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74
GaN自立基板上に形成した、Ni/n-GaNショットキー接触に電流値を制限した逆方向電圧ストレスを繰り返して印加し、劣化... [more] ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74
pp.5-8
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-29
09:00
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス ランダムばらつきが低減されたプロセスにおける超低電圧条件下でのSTIストレス効果と逆狭チャネル効果による閾値ばらつきの実測
小笠原泰弘小池帆平産総研CPM2016-76 ICD2016-37 IE2016-71
本論文では超低電圧下におけるレイアウト依存性効果に起因する閾値変動効果の影響を実測より示す。65nm SOTB CMOS... [more] CPM2016-76 ICD2016-37 IE2016-71
pp.1-6
EE, WPT
(併催)
2016-10-07
10:50
京都 龍谷大学 セミナーハウス ともいき荘 (京都市) 電圧分割型E級増幅器の負荷変動時における準最適動作について
平山克利白川拓也長崎大)・末次 正福岡大)・丸田英徳黒川不二雄長崎大EE2016-25
本論文では, 複数個のトランジスタを直列に接続し, この複数個接続したトランジスタのうちいくつかを常時オンにし, 残りを... [more] EE2016-25
pp.37-41
EE, IEE-SPC
(連催)
2016-07-14
14:45
東京 機械振興会館 電圧分割型E級増幅器について
平山克利古川雄大白川拓也長崎大)・末次 正福岡大)・丸田英徳黒川不二雄長崎大EE2016-10
本論文では, 主スイッチの電圧ストレスを低減させるため, トランジスタを複数個直列に接続したE級増幅器回路を提案する。ス... [more] EE2016-10
pp.49-52
SDM 2015-01-27
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測
水林 亘森 貴洋福田浩一柳 永勛松川 貴石川由紀遠藤和彦大内真一塚田順一山内洋美森田行則右田真司太田裕之昌原明植産総研SDM2014-143
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs(TFETs)のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] SDM2014-143
pp.33-36
EE 2013-10-10
16:00
北海道 北海道大学 クラーク会館 大集会室 スイッチトキャパシタを用いた高電圧アプリケーション用LLCコンバータ
三井 航佐藤輝被西嶋仁浩鍋島 隆大分大EE2013-21
本論文では高電圧入力を必要とするアプリケーション用のスイッチトキャパシタを用いたLLCコンバータ回路について提案する.今... [more] EE2013-21
pp.5-9
EE 2013-10-10
16:30
北海道 北海道大学 クラーク会館 大集会室 電圧ストレスを低減できるカップルドトランス位相シフト制御コンバータ
宮田祥平佐藤輝被西嶋仁浩鍋島 隆大分大EE2013-22
本論文では,位相制御型コンバータのスイッチの電圧ストレスを低減する方法を提案する.提案する回路は,スイッチの数が従来型と... [more] EE2013-22
pp.11-15
VLD, IPSJ-SLDM
(連催)
2013-05-16
09:00
福岡 北九州国際会議場 レイアウト依存効果を考慮したパラメータ化セルによる性能駆動SRAMマクロ設計手法
張 宇中武繁寿北九州市大VLD2013-1
ナノスケール·プロセスでは、
Shallow Trench Isolation(STI)ストレスとウェル... [more]
VLD2013-1
pp.1-6
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
10:00
北海道 札幌市男女共同参画センター SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術
クマール アニール更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大SDM2012-65 ICD2012-33
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより,SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] SDM2012-65 ICD2012-33
pp.13-16
ICD 2012-04-24
14:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計
小田部 晃伊藤清男竹村理一郎土屋龍太日立)・堀口真志ルネサス エレクトロニクスICD2012-15
0.5 V動作高速CMOS LSIの実現可能性について検討を行った。はじめに,しきい値ばらつきを低減する技術として,完全... [more] ICD2012-15
pp.79-84
EE 2011-11-18
10:30
東京 機械振興会館 素子クランプ機能付き昇圧コンバータのインダクタンス設計法
菅 郁朗三菱電機/長崎大)・竹島由浩三菱電機)・黒川不二雄長崎大EE2011-24
素子電圧クランプ機能を有する高効率昇圧コンバータについて,理論解析,シミュレーション,試作機(98V,13A出力)による... [more] EE2011-24
pp.1-6
EE 2010-01-22
13:00
福岡 福岡大学 電圧クランプZVS-PWM双方向DC-DCコンバータの動作検証
北川正博藤原耕二石原好之同志社大)・小倉正嗣蓑輪義文栗尾信広日新電機EE2009-46
本稿では,蓄電池を有する太陽光発電システムに用いられる,低圧かつ大電流に適した絶縁型双方向DC-DCコンバータを提案する... [more] EE2009-46
pp.59-64
SDM, OME
(共催)
2008-04-11
14:05
沖縄 沖縄県青年会館 Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化
藤井茉美矢野裕司畑山智亮浦岡行治冬木 隆奈良先端大)・Ji Sim JungJang Yeon Kwonサムスン総合技術院SDM2008-10 OME2008-10
我々は、DCストレス下におけるGa2O3-In2O3-ZnO(GIZO)薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲー... [more] SDM2008-10 OME2008-10
pp.47-50
EE 2008-01-21
13:00
福岡 九州大学 西新プラザ DC-DCコンバータの軽負荷時の制御について
関野吉宏 EE2007-44
DC-DCコンバータをリアクタ電流境界モードで動作させると負荷が軽くなるほどスイッチング周波数が高くなるという不都合があ... [more] EE2007-44
pp.1-6
EE 2008-01-22
15:00
福岡 九州大学 西新プラザ 複合磁気トランスを用いたZVSハーフブリッジコンバータ
伊東秀樹同志社大)・細谷達也村田製作所)・藤原耕二石原好之戸高敏之同志社大EE2007-61
入力チョーク,出力チョーク,トランスを一体化した新しい複合磁気トランスを用いることで,オン期間とオフ期間の両期間にて一次... [more] EE2007-61
pp.101-106
ICD, ITE-CE
(共催)
2006-01-26
10:00
東京 機械振興会館 スケーリングされたトランジスタに適応した高耐圧オペアンプ設計
石田光一アティット タマタカーン東大)・石黒仁揮東芝)・桜井貴康東大
電源電圧範囲を超える(アウトサイド・レール)出力を有する高耐圧オペアンプを設計し、1.8V、0.18µm、標... [more] ICD2005-205
pp.1-6
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