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 137件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2024-04-11
13:00
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
高温動作向けナノブリッジベースの不揮発性メモリマクロ
根橋竜介岡本浩一郎阪本利司多田宗弘NBSICD2024-4
ナノブリッジメモリは抵抗変化型メモリの一種である。ナノブリッジを利用して、高温で安定して動作可能なメモリマクロを開発した... [more] ICD2024-4
pp.12-16
DC, CPSY
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2024-03-21
09:50
長崎 壱岐の島ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
MTJベースの不揮発性デバイスを用いたノンストッププロセッサ
中別府将太山﨑信行慶大CPSY2023-39 DC2023-105
今日では,自動車,家電,ロボット,宇宙機,センサネットワーク等の様々な組込みシステムが私達の生活を支えている.
組込み... [more]
CPSY2023-39 DC2023-105
pp.7-11
VLD, DC, RECONF, ICD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2023-11-16
10:20
熊本 くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
参照抵抗を用いて2段階ストア制御を行うMTJベース不揮発性フリップフロップの提案
海津康生宇佐美公良芝浦工大VLD2023-45 ICD2023-53 DC2023-52 RECONF2023-48
磁気トンネル接合(Magnetic Tunnel Junction:MTJ)素子を用いた不揮発性フリップフロップ(Non... [more] VLD2023-45 ICD2023-53 DC2023-52 RECONF2023-48
pp.88-93
SDM 2023-10-13
14:30
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討
小林清輝東海大SDM2023-56
NAND型フラッシュメモリおよびマイコン混載不揮発性メモリの一部では,シリコン窒化膜を電荷捕獲層とするMetal-Oxi... [more] SDM2023-56
pp.13-20
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-ARC
(連催) [詳細]
2023-08-03
11:45
北海道 函館アリーナ
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ソフトエラー耐性を持つ不揮発性フリップフロップの設計
高橋尚悟難波一輝千葉大CPSY2023-13 DC2023-13
近年,VLSIは微細化,高集積化,電源電圧の低下に伴ってソフトエラーの発生率が増加している.フトエラーとはα粒子や中性子... [more] CPSY2023-13 DC2023-13
pp.31-36
ICD 2023-04-10
09:55
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]間欠動作を行うIoT向けプロセッサに適したFiCCを用いた不揮発ストレージセル
阿部佑貴小林和淑京都工繊大)・塩見 準阪大)・越智裕之立命館大ICD2023-1
エネルギーハーベスティングはInternet of Things (IoT) デバイスへの電源供給技術として注目されてい... [more] ICD2023-1
pp.1-6
ICD 2023-04-11
14:10
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]混載不揮発性メモリ向けのナノブリッジ技術
根橋竜介岡本浩一郎阪本利司多田宗弘NBSICD2023-11
ナノブリッジは、電気化学反応を利用した抵抗変化素子の一種である。ナノブリッジは、CMOS性能を犠牲にすることなく、通常の... [more] ICD2023-11
pp.24-28
HWS, VLD
(共催)
2023-03-02
09:55
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
非同期式回路を用いた電源喪失対応VLSIシステムの実現
今井 雅弘前大VLD2022-86 HWS2022-57
不揮発メモリを用いて電源喪失に対応するシステムが提案されているが、その実装には高いコストを必要 とする。本稿では、停電を... [more] VLD2022-86 HWS2022-57
pp.79-84
HWS, VLD
(共催)
2023-03-03
13:25
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
一時的メモリアクセスリダイレクションによる高性能かつプログラマ・フレンドリーなセキュアNVM
小池 亮高前田伸也東大VLD2022-106 HWS2022-77
バイトアドレス型の不揮発性メモリ(NVM)は,永続性ゆえにDRAMよりセキュリティ上脆弱である.改ざん検知機構として整合... [more] VLD2022-106 HWS2022-77
pp.179-184
SDM 2023-01-30
15:25
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ
宮武悠人東大)・牧野孝太郎富永淳二宮田典幸中野隆志岡野 誠産総研)・トープラサートポン カシディット高木信一竹中 充東大SDM2022-83
相変化材料に基づく光位相シフタは, シリコンフォトニクスプラットフォームにおいて中赤外領域で動作する量子光回路の有望な構... [more] SDM2022-83
pp.17-20
NLP 2022-11-24
15:50
滋賀 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
2種混合ガスの定量分析におけるスパイクタイミングを用いたニューラルネットワークの適用範囲の検討
眞鍋太我立野勝巳九工大)・中村 修筑波大NLP2022-65
揮発性有機化合物は産業界において有用な物質であるが,吸引による人体への影響が問題となっている.揮発性有機化合物の毒性は物... [more] NLP2022-65
pp.36-41
VLD, HWS
(共催) [詳細]
2022-03-07
14:05
ONLINE オンライン開催 間欠動作を行うIoT向けプロセッサに適したFiCC型不揮発フリップフロップの実測評価
阿部佑貴小林和淑京都工繊大)・越智裕之立命館大VLD2021-85 HWS2021-62
近年, IoT (Internet of Things)やモバイルデバイスの普及に伴い, そのバッテリ駆動時間延長のため... [more] VLD2021-85 HWS2021-62
pp.45-50
OME 2022-01-07
14:05
大阪 中央電気俱楽部 213号室 nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性
西田直之服部励太郎永瀬 隆安達天規森川和慶小林隆史内藤裕義阪府大OME2021-48
高分子半導体をチャネルとするトップゲート有機電界効果トランジスタ (有機FET) に高分子絶縁体 (PMMA) と可溶性... [more] OME2021-48
pp.4-8
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2021-12-01
10:35
ONLINE オンライン開催 不揮発性FFを用いたマルチコンテキストCGRA
亀井愛佳小島拓也天野英晴慶大)・横山大輝宮内陽里宇佐美公良芝浦工大)・平賀啓三鈴木健太ソニーセミコンダクタソリューションズVLD2021-20 ICD2021-30 DC2021-26 RECONF2021-28
近年,バッテリー駆動のエッジデバイスでは計算性能と並びアイドル時の省電力性能が重要視される.またIoT 端末に高頻度の間... [more] VLD2021-20 ICD2021-30 DC2021-26 RECONF2021-28
pp.19-24
SDM 2021-10-21
13:50
ONLINE オンライン開催 A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layers for multi-bit/cell operation
Pyo JooyoungIhara AkioOhmi Shun-ichiroTokyo Tech.SDM2021-48
 [more] SDM2021-48
pp.16-19
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-ARC
(連催) [詳細]
2021-07-20
14:00
ONLINE オンライン開催 Prototype Implementation of Non-Volatile Memory Support for RISC-V Keystone Enclave
Lena YuYu OmoriKeiji KimuraWaseda Univ.CPSY2021-2 DC2021-2
 [more] CPSY2021-2 DC2021-2
pp.7-12
ED, SDM, CPM
(共催)
2021-05-27
14:10
ONLINE オンライン開催 抵抗変化型メモリのためのZr/ZrOx/Pt構造の電気的特性評価
川合祐貴佐藤 勝武山真弓北見工大ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14
抗変化型メモリは、次世代の不揮発性メモリとして注目されている。しかしながら、フォーミングに高電圧が必要なことやフォーミン... [more] ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14
pp.11-14
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2021-03-26
14:40
ONLINE オンライン開催 不揮発性素子を用いたノンストッププロセッサ
中別府将太杉山尚央山﨑信行慶大)・鈴木健太平賀啓三神田泰夫ソニーセミコンダクタソリューションズCPSY2020-66 DC2020-96
特定の機能を満たすために機器に組み込まれるコンピュータシステムを組込みシステムという.組込みシ
ステムの例としてウェア... [more]
CPSY2020-66 DC2020-96
pp.97-102
CPM 2021-03-03
13:45
ONLINE オンライン開催 薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性
川合祐貴山本和輝大塚 祐佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2020-69
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるた... [more] CPM2020-69
pp.52-54
DE, IPSJ-DBS
(連催)
2020-12-22
10:00
ONLINE オンライン開催 不揮発メモリデバイスを対象とするデータベース演算の実行コスト測定方式に関する検討
吉岡弘隆合田和生喜連川 優東大DE2020-23
近年不揮発性メモリ(NVM)が注目を浴びている.SSD/HDDのように不揮発性でありながらDRAMのように高速にバイト単... [more] DE2020-23
pp.36-41
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