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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
CPM
2024-02-29
13:45
山形
山形大学工学部
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜へのO添加の効果
○
山崎雄也
・
鈴木裕史
・
小林康之
・
中澤日出樹
(
弘前大
)
CPM2023-105
高周波プラズマ化学気相成長法によりシリコン、窒素および酸素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-O-DLC)...
[more]
CPM2023-105
pp.38-41
LQE
,
ED
,
CPM
(共催)
2023-11-30
14:20
静岡
アクトシティ浜松
ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術
○
尾崎史朗
・
熊崎祐介
・
岡本直哉
・
中舍安宏
・
多木俊裕
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57
高周波デバイスに適用可能な原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)-Al2O3絶縁ゲート構造...
[more]
ED2023-17
CPM2023-59
LQE2023-57
pp.15-20
MRIS
,
CPM
,
OME
(共催)
ITE-MMS
(連催)
[詳細]
2023-10-27
10:30
新潟
新潟大学(駅南キャンパスときめいと)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の機械的特性および耐熱性
○
山崎雄也
・
佐々木祐弥
・
中澤日出樹
(
弘前大
)
MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38
希釈ガスにH2およびArを用いたプラズマ化学気相成長法によりシリコンおよび窒素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(S...
[more]
MRIS2023-17
CPM2023-51
OME2023-38
pp.33-36
OME
,
IEE-DEI
(連催)
2022-07-18
13:15
長野
軽井沢観光振興センター会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]イオンアシスト蒸着重合による有機・無機ハイブリッドポリマー積層構造の形成
宮山拓実
・○
臼井博明
(
東京農工大
)
OME2022-14
有機アクリルモノマー stearyl acrylate (SA) 及びSiO2ナノケージを側鎖に持つ有機・無機ハイブリッ...
[more]
OME2022-14
pp.1-5
OME
2021-12-24
16:25
ONLINE
オンライン開催
[招待講演]物理蒸着によるフッ素系高分子薄膜形成と光学応用
○
臼井博明
(
東京農工大
)
OME2021-34
フッ素系高分子薄膜は低屈折率,低誘電率,低損失,低表面エネルギーなど特徴的な物性を持つが,難溶性であることや環境負荷が大...
[more]
OME2021-34
pp.32-37
CPM
2021-10-27
13:20
ONLINE
オンライン開催
プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果
○
佐々木祐弥
・
長内公哉
・
大谷優介
・
室野優太
・
佐藤聖能
・
小林康之
・
遠田義晴
・
鈴木裕史
・
中澤日出樹
(
弘前大
)
CPM2021-26
希釈ガスにAr及びH₂を用いたプラズマ化学気相成長法によりケイ素(Si)及び窒素(N)を添加したダイヤモンドライクカーボ...
[more]
CPM2021-26
pp.23-28
CPM
2021-10-27
14:00
ONLINE
オンライン開催
層状構造を有する窒化炭素膜の化学気相堆積
○
浦上法之
・
高島健介
・
橋本佳男
(
信州大
)
CPM2021-28
グラファイト状窒化炭素(g-C3N4)は層状構造で半導体性質を示し、貴金属を用いない機能性材料の候補として有望である。本...
[more]
CPM2021-28
pp.31-35
CPM
2019-11-07
15:00
福井
福井大学 文京キャンパス
窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果
○
長内公哉
・
中村和樹
・
郡山春人
・
小林康之
・
遠田義晴
・
鈴木裕史
(
弘前大
)・
末光眞希
(
東北大
)・
中澤日出樹
(
弘前大
)
CPM2019-46
希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空...
[more]
CPM2019-46
pp.9-14
CPM
2019-11-07
15:50
福井
福井大学 文京キャンパス
[招待講演]触媒反応支援化学気相成長法を用いた金属酸化物薄膜の成長
○
安井寛治
(
長岡技科大
)
CPM2019-48
触媒反応を利用して高エネルギーH2O分子を生成、有機金属ガスと気相中で反応させ金属酸化物薄膜を成長させるCVD法の開発と...
[more]
CPM2019-48
pp.21-26
OME
2018-11-28
13:30
兵庫
じばさんビル502室(姫路)
単元真空蒸着法による鉛ハライドペロブスカイト薄膜の成膜と評価
○
田中仙君
・
上山夏樹
・
坂戸雅智
(
近畿大
)
OME2018-27
有機無機ハイブリッド半導体の一つである鉛ハライドペロブスカイト材料が新しいオプトエレクトロニクス材料として注目されている...
[more]
OME2018-27
pp.5-7
SDM
2018-11-09
09:20
東京
機械振興会館
[招待講演]4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィシミュレーション
○
望月和浩
・
紀 世陽
・
小杉亮治
・
米澤喜幸
・
奥村 元
(
産総研
)
SDM2018-70
化学的気相堆積(CVD)を用いた4H-SiCスーパージャンクション素子向けトレンチ埋込成長に関するトポグラフィシミュレー...
[more]
SDM2018-70
pp.29-34
CPM
,
IEE-MAG
(連催)
2018-11-02
14:25
新潟
まちなかキャンパス長岡
ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性
○
中澤日出樹
・
中村和樹
・
長内公哉
・
郡山春人
・
小林康之
・
遠田義晴
・
鈴木裕史
(
弘前大
)・
末光眞希
(
東北大
)
CPM2018-52
希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si...
[more]
CPM2018-52
pp.99-104
CPM
2018-08-09
14:30
青森
弘前大学文京町地区キャンパス
Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果
中村和樹
・
大橋 遼
(
弘前大
)・
横山 大
・
田島圭一郎
・
遠藤則史
・
末光眞希
(
東北大
)・
遠田義晴
・
小林康之
・
鈴木裕史
・○
中澤日出樹
(
弘前大
)
CPM2018-8
希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光...
[more]
CPM2018-8
pp.1-6
OME
2018-02-22
13:50
東京
東京農工大学 講義棟L0014
開始剤SAMを用いた表面開始蒸着重合による有機/無機界面の結合形成
○
齋藤隆喜
・
田中邦明
・
臼井博明
(
東京農工大
)
OME2017-58
Thiol-ene反応を利用し,有機半導体/無機基板界面に共有結合を形成することを試みた.(3-mercaptoprop...
[more]
OME2017-58
pp.5-9
OME
2018-02-22
16:20
東京
東京農工大学 講義棟L0014
蒸着重合法による共蒸着ポリイミド薄膜の作製と配向制御
○
山嵜貴俊
・
田中邦明
・
臼井博明
(
東京農工大
)
OME2017-63
酸無水物pyromellitic dianhydrideとジアミン4,4’-diaminoazobenzeneを共蒸着し...
[more]
OME2017-63
pp.25-28
ITE-IDY
,
IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL
,
SID-JC
(共催)
EID
(連催)
[詳細]
2018-01-25
13:40
静岡
静岡大学 浜松キャンパス
Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性
○
増田裕一郎
・
長瀬 剛
・
国枝 航
・
光野徹也
・
小南裕子
・
原 和彦
(
静岡大
)
EID2017-31
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法(CVD)により,c面サファイア基板上に窒化ガリウム(GaN)薄膜の...
[more]
EID2017-31
pp.5-8
CPM
2017-10-04
13:50
東京
機械振興会館
r面サファイア基板上に成長させた単層カーボンナノチューブの自由電子レーザ照射効果
○
シャーマ ロヒト
・
保延賢人
・
高橋祐貴
・
永田知子
・
岩田展幸
・
山本 寛
(
日大
)
CPM2017-59
r面単結晶サファイア基板を用いてホットウォール化学気相成長(Hot-Wall Type Chemical Vapor D...
[more]
CPM2017-59
pp.1-4
CPM
2017-10-04
14:15
東京
機械振興会館
金属インターカレートした2層グラフェンの電気特性と高圧印加による効果
○
倉金夏己
・
荒木伊久磨
・
鈴木雅登
・
永田知子
・
岩田展幸
・
高橋博樹
・
山本 寛
(
日大
)
CPM2017-60
Cu箔上にCVD法を用いて単層グラフェンを作製した。Cu箔は、Fe(NO)3溶液によってエッチングした。単層グラフェンは...
[more]
CPM2017-60
pp.5-10
ITE-IDY
,
IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL
,
SID-JC
(共催)
EID
(連催)
[詳細]
2017-01-27
11:34
徳島
徳島大学
Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長
○
深澤研介
・
長瀬 剛
・
増田裕一郎
・
光野徹也
・
小南裕子
・
原 和彦
(
静岡大
)
EID2016-45
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって,c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を...
[more]
EID2016-45
pp.125-128
CPM
2016-11-18
16:40
石川
金沢工大 扇が丘キャンパス
自由電子レーザー照射によってカイラリティ制御された面内配向単層カーボンナノチューブの電気特性
川口大貴
・
保延賢人
・
石川翔梧
・
永田知子
・
山本 寛
・○
岩田展幸
(
日大
)
CPM2016-68
波長800 nmの自由電子レーザー(Free Electron Laser : FEL)、及びSiO2/Si基板を用いて...
[more]
CPM2016-68
pp.35-40
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