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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| HWS, VLD (共催) |
2023-03-01 13:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
リーク電流の製造ばらつきを利用したLRPUFの超低電圧に向けた回路の最適化とシミュレーション評価 ○畑 俊吉・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2022-77 HWS2022-48 |
LSI の個体識別技術であるPUF(Physically Unclonable Function)を、センサノードなどの... [more] | VLD2022-77 HWS2022-48 pp.25-30 |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | 時間計測アプリケーションに向けた抵抗レスで面積利用効率の高い超低電力フルオンチップ弛張発振器 ○浅野大樹・廣瀬哲也・尾崎年洋・黒木修隆・沼 昌宏（神戸大） CAS2017-98 ICD2017-86 CPSY2017-95 |
本稿では，時間計測アプリケーションに向けた抵抗レスで 面積利用効率の高い超低電力フルオンチップ弛張発振器を提案する． ... [more] |
CAS2017-98 ICD2017-86 CPSY2017-95 p.141 |
| ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 15:00 |
広島 | みやじま杜の宿(広島) | 時間計測アプリケーションに向けた超低電力フルオンチップ電流比較型RC発振器 ○浅野大樹・廣瀬哲也・椿 啓志・三好太朗・尾崎年洋・黒木修隆・沼 昌宏（神戸大） EMD2016-85 MR2016-57 SCE2016-63 EID2016-64 ED2016-128 CPM2016-129 SDM2016-128 ICD2016-116 OME2016-97 |
本稿では，製造プロセスのばらつき，電源電圧の変動，そして温度変化 (PVT ばらつき) に対して安定であり，小面積で低電... [more] | EMD2016-85 MR2016-57 SCE2016-63 EID2016-64 ED2016-128 CPM2016-129 SDM2016-128 ICD2016-116 OME2016-97 pp.81-86 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 09:00 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス制御による低消費電力スタンダードセルメモリの設計と実装 ○吉田有佑・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-53 DC2016-47 |
スタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)はSRAMに代わる低電圧動作可能な組み込み... [more] | VLD2016-53 DC2016-47 pp.55-60 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 09:00 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | ランダムばらつきが低減されたプロセスにおける超低電圧条件下でのSTIストレス効果と逆狭チャネル効果による閾値ばらつきの実測 ○小笠原泰弘・小池帆平（産総研） CPM2016-76 ICD2016-37 IE2016-71 |
本論文では超低電圧下におけるレイアウト依存性効果に起因する閾値変動効果の影響を実測より示す。65nm SOTB CMOS... [more] | CPM2016-76 ICD2016-37 IE2016-71 pp.1-6 |
| SDM | 2016-10-26 15:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-71 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2016-71 pp.15-20 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 14:15 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証 ○小笠原泰弘（産総研） SDM2016-65 ICD2016-33 |
本論文ではSOTB (Silicon On Thin-Buried oxide) トランジスタの特徴であるバックゲートに... [more] | SDM2016-65 ICD2016-33 pp.111-116 |
| MW (第二種研究会) |
2016-06-09 - 2016-06-11 |
海外 | KMUTNB（タイ・バンコク） | An ultra-low-power RF-impulse transmitter with robustness to supply-voltage variation ○Takayoshi Obara・Yosuke Ishikawa・Sho Ikeda・Hiroyuki Ito・Noboru Ishihara・Shiro Dosho・Kazuya Masu（Tokyo Tech） |
This paper proposes an ultra-low-power RF-impulse transmitte... [more] | |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-02 17:10 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館 | 論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路 ○小出知明・石橋孝一郎（電通大）・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合） CPM2015-134 ICD2015-59 |
近年、トランジスタの微細化が進んだことに伴い動作時の電力増加が課題になっている。本研究では65nmSOTB(Silico... [more] | CPM2015-134 ICD2015-59 pp.39-43 |
| MBE, NC (併催) |
2015-07-18 14:15 |
徳島 | 徳島大学 | 光ポンピング原子磁気センサを用いた超低磁場MRIの実現に向けた受信系の最適化 ○山本哲也・笈田武範・小林哲生（京大） MBE2015-21 |
近年，数mT以下の静磁場を用いる超低磁場MRIに注目が集まっている．しかし，測定対象原子の小さな核磁化と低い共鳴周波数の... [more] | MBE2015-21 pp.7-12 |
| SDM | 2014-10-17 14:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2014-94 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2014-94 pp.61-68 |
| SDM | 2014-01-29 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制 ○槇山秀樹・山本芳樹・篠原博文・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大）・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合） SDM2013-143 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし、超低電圧領域で... [more] | SDM2013-143 pp.35-38 |
| MW (ワークショップ) |
2013-12-02 - 2013-12-04 |
海外 | KMUTNB, Thailand | An ultra-low power LNA design using SOTB CMOS devices ○Hoang Minh Thien・Koichiro Ishibashi（UEC） |
The paper presents a 920MHz Ultra-low power low noise amplif... [more] | |
| ICD | 2012-12-17 15:55 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［ポスター講演］Ultra-Low-Voltage Dynamic Amplifier ○James Lin・Masaya Miyahara・Akira Matsuzawa（Tokyo Inst. of Tech.） ICD2012-109 |
[more] | ICD2012-109 p.71 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-03 15:30 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | 多位相発振器による適応パルス幅制御を用いた低電圧・高速磁界結合通信機 ○浦野雄貴・松原岳志（慶大）・林 勇（半導体理工学研究センター）・アブル ハサン ジョハリ・小平 薫・徐 照男・黒田忠広・石黒仁揮（慶大） SDM2012-86 ICD2012-54 |
本研究では高速近接無線通信のための適応パルス幅制御を用いたパルスベース磁界結合通信機を提案する．適応パルス幅制御器はデジ... [more] | SDM2012-86 ICD2012-54 pp.127-132 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2011-07-22 16:10 |
広島 | 広島工業大学 | 0.5V動作の高速近接無線通信用送受信機の設計 ○松原岳志（慶大）・林 勇（半導体理工学研究センター）・アブル ハサン ジョハリ・熊木 聡・小平 薫・黒田忠広・石黒仁揮（慶大） ICD2011-36 |
本研究では65nmCMOSプロセスにおいてパルス型磁界結合を用いた高速の近接無線通信用送受信機を提案する。この送受信機は... [more] | ICD2011-36 pp.119-123 |
| ICD | 2010-12-16 15:10 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | ［ポスター講演］動作周波数を向上させた0.5Vサブスレッショルド駆動アナログ増幅回路の設計 ○森 隆司・原田知親・松下浩一・奥山澄雄（山形大） ICD2010-103 |
MOSFETのサブスレショルド電流で駆動する折り返しカスコード型のアナログ増幅回路について報告する。n型とp型の差動対を... [more] | ICD2010-103 pp.49-53 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2010-07-23 09:15 |
大阪 | 常翔学園大阪センター | サブスレショルド電流で駆動する0.5V CMOSアナログ増幅器の試作評価 ○原田知親（山形大） ICD2010-30 |
[more] | ICD2010-30 pp.55-60 |
| ICD, ITE-IST (共催) |
2008-10-22 17:30 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館3F | MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した超低消費電力CMOS参照電圧源回路 ○上野憲一（北大）・廣瀬哲也（神戸大）・浅井哲也・雨宮好仁（北大） ICD2008-68 |
MOSFET のサブスレッショルド特性を利用した超低消費電力で動作する参照電圧源回路を提案する. この回路は, 絶対零度... [more] | ICD2008-68 pp.55-60 |
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