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 36件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
HWS, VLD
(共催)
2023-03-01
13:50
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
リーク電流の製造ばらつきを利用したLRPUFの超低電圧に向けた回路の最適化とシミュレーション評価
畑 俊吉宇佐美公良芝浦工大VLD2022-77 HWS2022-48
LSI の個体識別技術であるPUF(Physically Unclonable Function)を、センサノードなどの... [more] VLD2022-77 HWS2022-48
pp.25-30
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-13
15:00
愛媛 愛媛県男女共同参画センター 超低電圧向けオンチップリークモニタ型温度センサ回路の提案と評価
佐藤大介宇佐美公良芝浦工大VLD2019-33 DC2019-57
微細化によるリーク電流の増加は、低消費電力が要求されるデバイスでは大きな問題である。リーク電流は温度に対して指数関数的に... [more] VLD2019-33 DC2019-57
pp.45-50
HWS, VLD
(共催)
2019-02-28
10:25
沖縄 沖縄県青年会館 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの実チップによる評価
真崎 諒吉田有佑芝浦工大)・天野英晴慶大)・宇佐美公良芝浦工大VLD2018-108 HWS2018-71
近年、IoTデバイスが急速に増加している。IoTデバイスの1つであるセンサーノードや小型医療デバイス等、必ずしも高い演算... [more] VLD2018-108 HWS2018-71
pp.91-96
ICD, CPSY, CAS
(共催)
2017-12-14
15:10
沖縄 アートホテル石垣島 時間計測アプリケーションに向けた抵抗レスで面積利用効率の高い超低電力フルオンチップ弛張発振器
浅野大樹廣瀬哲也尾崎年洋黒木修隆沼 昌宏神戸大CAS2017-98 ICD2017-86 CPSY2017-95
本稿では,時間計測アプリケーションに向けた抵抗レスで
面積利用効率の高い超低電力フルオンチップ弛張発振器を提案する.
... [more]
CAS2017-98 ICD2017-86 CPSY2017-95
p.141
ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2017-01-31
15:00
広島 みやじま杜の宿(広島) 時間計測アプリケーションに向けた超低電力フルオンチップ電流比較型RC発振器
浅野大樹廣瀬哲也椿 啓志三好太朗尾崎年洋黒木修隆沼 昌宏神戸大EMD2016-85 MR2016-57 SCE2016-63 EID2016-64 ED2016-128 CPM2016-129 SDM2016-128 ICD2016-116 OME2016-97
本稿では,製造プロセスのばらつき,電源電圧の変動,そして温度変化 (PVT ばらつき) に対して安定であり,小面積で低電... [more] EMD2016-85 MR2016-57 SCE2016-63 EID2016-64 ED2016-128 CPM2016-129 SDM2016-128 ICD2016-116 OME2016-97
pp.81-86
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
12:45
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス マイクロエナジーハーベスティングのための2段昇圧型チャージポンプ回路方式
木村知也越智裕之立命館大VLD2016-46 DC2016-40
本稿ではオンチップ太陽電池で得られる閾値電圧以下の入力電圧を4V程度の高電圧まで効率よく昇圧する場合に有効なL1L5型2... [more] VLD2016-46 DC2016-40
pp.13-18
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-29
09:00
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス制御による低消費電力スタンダードセルメモリの設計と実装
吉田有佑宇佐美公良芝浦工大VLD2016-53 DC2016-47
スタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)はSRAMに代わる低電圧動作可能な組み込み... [more] VLD2016-53 DC2016-47
pp.55-60
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-29
09:00
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス ランダムばらつきが低減されたプロセスにおける超低電圧条件下でのSTIストレス効果と逆狭チャネル効果による閾値ばらつきの実測
小笠原泰弘小池帆平産総研CPM2016-76 ICD2016-37 IE2016-71
本論文では超低電圧下におけるレイアウト依存性効果に起因する閾値変動効果の影響を実測より示す。65nm SOTB CMOS... [more] CPM2016-76 ICD2016-37 IE2016-71
pp.1-6
SDM 2016-10-26
15:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2016-71
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2016-71
pp.15-20
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
14:15
大阪 中央電気倶楽部 SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証
小笠原泰弘産総研SDM2016-65 ICD2016-33
本論文ではSOTB (Silicon On Thin-Buried oxide) トランジスタの特徴であるバックゲートに... [more] SDM2016-65 ICD2016-33
pp.111-116
MW
(第二種研究会)
2016-06-09
- 2016-06-11
海外 KMUTNB(タイ・バンコク) An ultra-low-power RF-impulse transmitter with robustness to supply-voltage variation
Takayoshi ObaraYosuke IshikawaSho IkedaHiroyuki ItoNoboru IshiharaShiro DoshoKazuya MasuTokyo Tech
This paper proposes an ultra-low-power RF-impulse transmitte... [more]
US, EA
(併催)
2016-01-28
17:20
大阪 関西大学 100周年記念会館 カード型パラメトリックスピーカの試作と性能評価
長島龍登野村英之鎌倉友男電通大US2015-92 EA2015-57
本研究では,一般的にパラメトリックスピーカに用いられる圧電超音波素子よりも小型で薄型の素子を用いたパラメトリックスピーカ... [more] US2015-92 EA2015-57
pp.49-54(US), pp.13-18(EA)
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2015-12-02
17:10
長崎 長崎県勤労福祉会館 論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路
小出知明石橋孝一郎電通大)・杉井信之超低電圧デバイス技研組合CPM2015-134 ICD2015-59
近年、トランジスタの微細化が進んだことに伴い動作時の電力増加が課題になっている。本研究では65nmSOTB(Silico... [more] CPM2015-134 ICD2015-59
pp.39-43
MBE, NC
(併催)
2015-07-18
14:15
徳島 徳島大学 光ポンピング原子磁気センサを用いた超低磁場MRIの実現に向けた受信系の最適化
山本哲也笈田武範小林哲生京大MBE2015-21
近年,数mT以下の静磁場を用いる超低磁場MRIに注目が集まっている.しかし,測定対象原子の小さな核磁化と低い共鳴周波数の... [more] MBE2015-21
pp.7-12
EE, IEE-SPC
(連催)
WPT
(併催) [詳細]
2015-07-06
15:30
京都 同志社大学 超音波スピンドル用回転トランスへの電磁共振ワイヤレス電力伝送技術の適用について
高 雅菲南 明植庄山正仁九大)・藤田秀朗オリイメックWPT2015-39
超音波スピンドルへの電力供給を回転トランスに使用して無接点化した.しかし,回転トランスの漏れインダクタンスは一般的なトラ... [more] WPT2015-39
pp.19-23
VLD 2015-03-04
11:10
沖縄 沖縄県青年会館 薄膜BOX-SOIにおける論理合成対象電圧の選択によるエネルギー最小化
川崎 純宇佐美公良芝浦工大VLD2014-179
FD-SOIのデバイスの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin Buried Oxide:SOTB... [more] VLD2014-179
pp.147-152
SDM 2014-10-17
14:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2014-94
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2014-94
pp.61-68
SDM 2014-01-29
14:40
東京 機械振興会館 [招待講演]P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制
槇山秀樹山本芳樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大)・山口泰男超低電圧デバイス技研組合SDM2013-143
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし、超低電圧領域で... [more] SDM2013-143
pp.35-38
MW
(ワークショップ)
2013-12-02
- 2013-12-04
海外 KMUTNB, Thailand An ultra-low power LNA design using SOTB CMOS devices
Hoang Minh ThienKoichiro IshibashiUEC
The paper presents a 920MHz Ultra-low power low noise amplif... [more]
VLD, IPSJ-SLDM
(連催)
2013-05-16
14:10
福岡 北九州国際会議場 薄膜BOX-SOIを用いた超低電圧向けレベルシフタ回路の検討
中村昌平宇佐美公良芝浦工大VLD2013-5
FD-SOIのデバイスの一つである薄膜BOX-SOI (Silicon on Thin Buried Oxide: SO... [more] VLD2013-5
pp.43-48
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