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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2022-12-09
13:45
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) [招待講演]長辺振動水晶振動子による顕微ナノメカニクス計測法の開発 ~ 原子間結合強度の測定 ~
大島義文チョウ カキ北陸先端大)・新井豊子金沢大)・富取正彦北陸先端大ED2022-65
長辺振動水晶振動子(LER)を取り付けた透過型電子顕微鏡(TEM)試料ホルダーと清浄表面を維持できる超高真空透過型電子顕... [more] ED2022-65
pp.47-50
ICD 2016-04-14
13:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察
高橋庸夫北大)・工藤昌輝九大)・有田正志北大ICD2016-5
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている.しかし、その長期信頼... [more] ICD2016-5
pp.21-26
CPM 2012-10-26
17:05
新潟 まちなかキャンパス長岡 MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状
高木達也宮原 亮・○高野 泰静岡大CPM2012-101
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2,4°オフ基板を使用した。成長温度を830℃とし... [more] CPM2012-101
pp.45-48
CPM 2012-08-08
14:15
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係
高木達也宮原 亮堀江陽介・○高野 泰静岡大CPM2012-36
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板上に作製したGaPにはアンチフェーズドメイン(APD... [more] CPM2012-36
pp.17-20
SDM 2012-06-21
09:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板を用いた抵抗スイッチング特性評価
淺田遼太Pham Phu Thanh SonKokate Nishad Vasant吉川 純竹内正太郎中村芳明酒井 朗阪大SDM2012-44
新規不揮発性メモリの一つとして、金属/絶縁体/金属構造の抵抗変化型メモリが注目されている。我々はSrTiO3(001)基... [more] SDM2012-44
pp.7-12
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
16:05
愛知 名古屋大学 VBL MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン
高野 泰高木達也見崎 龍宮原 亮静岡大ED2011-15 CPM2011-22 SDM2011-28
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2°オフ基板と4°オフ基板を使用した。4°オフ基板... [more] ED2011-15 CPM2011-22 SDM2011-28
pp.71-75
SDM, OME
(共催)
2008-04-12
09:30
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]a-SiGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究
板倉 賢宮尾正信九大SDM2008-16 OME2008-16
a-SiGe薄膜のNi金属誘起横方向結晶化(Ni-MILC)法による低温結晶化機構を解明するために,Si_{0.6}Ge... [more] SDM2008-16 OME2008-16
pp.77-82
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