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講演検索結果
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 99件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2024-01-25
15:30
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析
南條拓真清井 明今澤貴史古橋壮之西川和康三菱電機)・江川孝志名工大ED2023-68 MW2023-160
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric... [more] ED2023-68 MW2023-160
pp.11-14
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
(連催) [詳細]
2024-01-25
13:05
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[ポスター講演]フッ素置換安息香酸の水素結合性混合液晶の物性値
澤田石広貴簡 丹山口留美子秋田大EID2023-2
アルキル安息香酸系水素結合液晶にフルオロ安息香酸(2-、3-、4-FBA)、ジフルオロ安息香酸(2,3-、2,4-、2,... [more] EID2023-2
pp.1-4
SDM 2023-10-13
16:40
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス
近藤 剣上野勝典田中 亮高島信也江戸雅晴富士電機)・諏訪智之東北大SDM2023-60
本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成... [more] SDM2023-60
pp.40-45
NLP, CAS
(共催)
2023-10-06
15:10
岐阜 ワークプラザ岐阜 周波数逓倍回路による変換分解能向上を目指したPWM/Digital変換器の研究
張 鶴アンドリノ ロベルト原田知親山形大CAS2023-43 NLP2023-42
IoT(Internet of Things)デバイスでは、消費電力の削減が望まれている。消費電力を抑えるため、リーク電... [more] CAS2023-43 NLP2023-42
pp.58-61
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-01
16:35
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析
李 龍聖森 貴之金沢工大)・岡 博史森 貴洋産総研)・井田次郎金沢工大SDM2023-42 ICD2023-21
本稿では、200 nm SOI MOSFETにおいて、極低温下でのみ発生する基板バイアス効果での特異な現象について継続解... [more] SDM2023-42 ICD2023-21
pp.32-35
EE 2023-01-20
11:25
福岡 九州工業大学(戸畑キャンパス 附属図書館AVホール)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Online junction temperature measurement of Power MOSFET by dynamic VGS-ID monitoring system
Yandagkhuu BayarsaikhanIchiro OmuraKITEE2022-46
パワーエレクトロニクス・システムの高信頼性への要求が高まる中,パワーデバイスのオンライン状態監視は極めて重要なものとなっ... [more] EE2022-46
pp.111-116
SDM 2022-10-19
16:30
ONLINE オンライン開催に変更 [招待講演]CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上
細井卓治関西学院大)・志村考功渡部平司阪大SDM2022-62
低損失パワーデバイスとして期待されるSiC MOSFETは閾値電圧変動が信頼性上の課題となっている.SiC MOSFET... [more] SDM2022-62
pp.34-37
SDM 2022-10-19
17:20
ONLINE オンライン開催に変更 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討
田沼将一Joong-Won Shin大見俊一郎東工大SDM2022-63
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] SDM2022-63
pp.38-42
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-08
14:15
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 極低電圧動作を狙ったSteep SS "Dual-Gate型 PN-Body Tied SOI-FET" 試作結果
米崎晴貴井田次郎森 貴之金沢工大)・石橋孝一郎電通大SDM2022-38 ICD2022-6
本研究では, 極低電圧動作を狙ったSteep SS “Dual-Gate (DG) 型PN-Body Tied (PNB... [more] SDM2022-38 ICD2022-6
pp.17-20
ED 2022-04-21
11:00
ONLINE オンライン開催 閾値補償を備えたTIQコンパレータベースのフラッシュ型A/Dコンバータ
橋本悠平範 公可電通大ED2022-5
TIQコンパレータを用いたA/Dコンバータはプロセスや温度の変動に弱く,基準電圧の値が容易に変化してしまうことが知られて... [more] ED2022-5
pp.15-18
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
11:00
ONLINE オンライン開催 急峻なSSを持つ“PN-Body Tied SOI-FET ”のCMOSインバータ伝達特性
石黒翔太井田次郎森 貴之金沢工大)・石橋孝一郎電通大SDM2020-8 ICD2020-8
本研究では、我々が提案している急峻なSubthreshold Slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SO... [more] SDM2020-8 ICD2020-8
pp.37-40
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-13
15:25
愛媛 愛媛県男女共同参画センター MOSFETの統計的選択によるレファレンス不要なCMOS温度センサの設計
原田彰吾イスラム マーフズル久門尚史和田修己京大VLD2019-34 DC2019-58
近年,限られた電力のもとで動作するシステムにおいて,低消費電力の温度センサが求められている.
${rm mu W}$未... [more]
VLD2019-34 DC2019-58
pp.51-56
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-14
09:40
愛媛 愛媛県男女共同参画センター FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ実現に向けた素子特性測定
田中一平宮川尚之木村知也今川隆司越智裕之立命館大VLD2019-36 DC2019-60
本稿では,低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき,かつ,書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と,そ... [more] VLD2019-36 DC2019-60
pp.63-68
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
10:15
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価
加藤公彦東大/産総研)・松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2019-46 ICD2019-11
酸化物半導体/IV族半導体積層型トンネルFETのサブスレショルド特性向上に向け,膜厚均一性の高いアモルファスZnSnOチ... [more] SDM2019-46 ICD2019-11
pp.63-66
SDM 2019-01-29
09:55
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大SDM2018-82
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] SDM2018-82
pp.5-8
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-07
09:00
広島 サテライトキャンパスひろしま FiCCを用いたCMOS互換な超低消費電力不揮発性メモリ素子の特性測定回路の設計と試作
田中一平宮川尚之木村知也今川隆司越智裕之立命館大VLD2018-65 DC2018-51
本稿では,低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき,かつ,書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と,そ... [more] VLD2018-65 DC2018-51
pp.183-188
SDM 2018-11-09
15:55
東京 機械振興会館 [招待講演]急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験
百瀬 駿井田次郎山田拓弥森 貴之伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2018-76
生活環境下に存在するRF信号電力を利用するためには,高い電力変換効率を実現するRF整流器が必要である.RF整流器はµWも... [more] SDM2018-76
pp.59-64
SDM 2018-10-18
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析
市野真也寺本章伸黒田理人間脇武蔵諏訪智之須川成利東北大SDM2018-62
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす,しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ(RTN)といったMOSト... [more] SDM2018-62
pp.51-56
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
14:25
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験
百瀬 駿井田次郎山田拓弥森 貴之伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2018-31 ICD2018-18
µW級の電力で機能する整流器を構築するためには,新たなダイオード技術の開発が必要である.従来のp-n接合ダイオード,ショ... [more] SDM2018-31 ICD2018-18
pp.31-34
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
15:00
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 0.6V動作9bitデジタル出力PWM差分演算回路
小嶋文也原田知親山形大SDM2018-32 ICD2018-19
集積回路の微細化による高集積化で、回路の小型化や動作速度の向上が実現されているが、リーク電流等により消費電力が減少しない... [more] SDM2018-32 ICD2018-19
pp.35-40
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