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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EA, US (併催) |
2023-12-22 13:00 |
福岡 | 九州大学 大橋キャンパス デザインコモン 2階 | ［ポスター講演］エピタキシャルZnO犠牲層を用いたc軸傾斜エピタキシャルScAlN自立薄膜共振子 ○小林 栞・柳谷隆彦（早大）  US2023-59 |
液体中で使用する薄膜共振子型センサやSH-SAWセンサのS/N比を向上するには高い擬似すべりモードの電気機械結合係数k´... [more] | US2023-59 pp.18-23 |
| EA, US (併催) |
2023-12-22 15:20 |
福岡 | 九州大学 大橋キャンパス デザインコモン 2階 | ［ポスター講演］c軸傾斜Sc0.4Al0.6N薄膜の大面積成膜を目指した矩形カソードによる平行平板スパッタリング ○石井直輝・島野耀康・柳谷隆彦（早大） US2023-65 |
Sc濃度が40%を超えるc軸垂直ScAlN薄膜は高い厚み縦モード電気機械結合係数kt2値を持ちBAWフィルタやpMUTへ... [more] | US2023-65 pp.53-58 |
| US | 2023-11-27 16:35 |
静岡 | 静岡大学 | エピScAlN圧電薄膜／エピ音響ブラッグ反射器構造のSMR ○渡海 智・柳谷隆彦（早大） US2023-55 |
単結晶圧電薄膜は、多結晶の場合に比べ耐電力性やQ値が高いという特徴を持つ。しかし、SMR (Solidly Mounte... [more] | US2023-55 pp.67-72 |
| MIKA (第三種研究会) |
2023-10-10 15:35 |
沖縄 | 沖縄県市町村自治会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［ポスター講演］RFフィルタ向けエピタキシャル圧電薄膜多層構造 ○渡海 智・柳谷隆彦（早大） |
スマートフォンに代表される無線通信デバイスには、複数の無線周波数から所望の周波数のみを選択し送受信するための周波数フィル... [more] | |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 09:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用 古賀泰志郎・永野貴弥・茂藤健太・山本圭介・○佐道泰造（九大） SDM2023-7 OME2023-7 |
高性能システムインディスプレイの実現には，高速薄膜トランジスタ(TFT)の創出が必須である．このためSiより高いキャリア... [more] | SDM2023-7 OME2023-7 pp.27-29 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2023-01-27 15:15 |
ONLINE | オンライン開催 (Webex) | ミストCVD法により作製したナノ粒子分散(Zn,Mg)O薄膜へのアニールの効果 ○田中京輔・奈良俊宏・矢ヶ崎 司・伊藤里樹・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2022-7 |
原料に酢酸化物を用いるミストCVD法により，a面サファイア基板上に， (Zn,Mg)O混晶中にZnOナノ粒子を分散させた... [more] | EID2022-7 pp.13-16 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2023-01-27 15:25 |
ONLINE | オンライン開催 (Webex) | 六方晶BN薄膜の減圧CVD成長の高温化 ○大石泰己・渡邊泰良・田中佑樹・増田克仁・吉岡 陸・増田希良里・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2022-8 |
BCl₃ と NH₃ を原料とする減圧化学気相法 （CVD） を用いて、c 面サファイア上に六方晶窒化ホウ素 (h-BN... [more] | EID2022-8 pp.17-20 |
| EA, US (併催) |
2022-12-22 16:50 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | ［ポスター講演］YbGaNおよびYbAlNエピタキシャル薄膜共振子の特性 ○李 嵩・賈 軍軍・柳谷隆彦（早大） US2022-64 |
AlNやGaN圧電薄膜を用いたバルク弾性波（BAW）共振子は、高い音速と低い機械的損失を持つため、マイクロ波通信用のGH... [more] | US2022-64 pp.74-79 |
| SDM | 2022-11-10 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］CrSi薄膜の電気特性のモデリング ○園田賢一郎・白石信仁・前川和義・伊藤 望・長谷川英司・緒方 完（ルネサス エレクトロニクス） SDM2022-67 |
アニール時の相変化と結晶粒成長を考慮してCrSi 薄膜の電気抵抗をモデル化した．結晶粒界を含む複数の材料と結晶相からなる... [more] | SDM2022-67 pp.14-18 |
| MRIS, IEE-MAG (連催) |
2022-03-04 13:00 |
愛知 | 名古屋大学+オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
エピタキシャルMn-Al合金薄膜の構造と磁気特性 ○野呂翔太・大竹 充（横浜国大）・磯上慎二（物質・材料研究機構）・二本正昭・川井哲郎（横浜国大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MRIS2021-16 |
Mn-Al合金膜を，Mn組成を50から72 at. %まで，成長温度を室温から500 °Cまで，膜厚を10から100 n... [more] | MRIS2021-16 pp.1-6 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-23 13:05 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］c面サファイアおよびSi (111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長 ○名嘉眞朝泰・松下一貴・渡邊泰良・小南裕子・原 和彦（静岡大） |
BCl3とNH3を原料とする減圧化学気相法（CVD）を用いて、c面サファイアおよびSi (111)基板上へ六方晶窒化ホウ... [more] | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 10:55 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］導電性三元硫化物・酸化物蛍光体薄膜を用いた電流注入型発光素子 ○辻森和樹・古賀峻丞・石垣 雅・大観光徳（鳥取大） EID2019-13 |
本研究では CuAlS_2:Mn及び ZnGa_2O_4:Cr多結晶薄膜を用いた電流注入型発光素子の作製を 検討した 。... [more] | EID2019-13 pp.117-120 |
| CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD (共催) QIT (併催) [詳細] |
2018-03-08 16:40 |
静岡 | 東レ総合研修センター | ［招待講演］FePt合金系エピタキシャル薄膜の結晶配向と表面平坦性の制御 ○二本正昭・大竹 充（中大） EMD2017-78 MR2017-49 SCE2017-49 EID2017-51 ED2017-123 CPM2017-143 SDM2017-123 ICD2017-128 OME2017-72 |
高い磁気異方性(Ku)を持つL10-FePt系合金薄膜は、高密度磁気記録媒体への応用に向けて積極的な研究開発が行われてい... [more] | EMD2017-78 MR2017-49 SCE2017-49 EID2017-51 ED2017-123 CPM2017-143 SDM2017-123 ICD2017-128 OME2017-72 pp.31-36 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:30 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構 ○川原崎 匠・梅原直己・名嘉眞朝泰・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2017-30 |
BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素（h-BN）薄膜の作製を行った。ま... [more] | EID2017-30 pp.1-4 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:40 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 ○増田裕一郎・長瀬 剛・国枝 航・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2017-31 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法（CVD）により，c面サファイア基板上に窒化ガリウム（GaN）薄膜の... [more] | EID2017-31 pp.5-8 |
| OME | 2017-11-17 16:05 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | 結晶成長を伴うペンチルフタロシアニンのバーコート製膜における多形選択性 ○中谷光宏・大森雅志・藤井彰彦・尾崎雅則（阪大） OME2017-33 |
結晶多形を有するペンチルフタロシアニン(C5PcH2)の一軸配向薄膜をバーコート法により作製した。製膜条件の一つとして、... [more] | OME2017-33 pp.33-38 |
| MW | 2017-11-09 15:15 |
沖縄 | 宮古島マリンターミナルビル | マイクロ波・ミリ波帯移相器の開発に向けた強誘電体膜材料の検討 ～ 成膜条件の最適化 ～ ○島 宏美（防衛大）・内田 寛（上智大）・中嶋宇史（東京理科大/JST）・岡村総一郎（東京理科大）・福田翔太郎・亀井利久（防衛大） MW2017-125 |
IoT時代の到来を背景にマイクロ波・ミリ波帯での可変多機能デバイスの開発が求められている。筆者らはこれまで印加電界によっ... [more] | MW2017-125 pp.73-77 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-27 11:34 |
徳島 | 徳島大学 | Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 ○深澤研介・長瀬 剛・増田裕一郎・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2016-45 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって，c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を... [more] | EID2016-45 pp.125-128 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-12-09 10:55 |
愛媛 | 愛媛大学 | Fe-Co-B合金薄膜の構造と磁気特性に及ぼすB組成と膜形成温度の影響 ○芹澤伽那・落合亮真・中村将大（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2016-39 |
40 nm厚の(Fe0.7Co0.3)100–xBx（x = 5, 10, 15 at. %）合金膜を基板温... [more] | MR2016-39 pp.57-62 |
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