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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-01-27
10:50
東京 機械振興会館 [招待講演]ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果
金 閔洙若林勇希中根了昌横山正史竹中 充高木信一東大SDM2014-137
本論文では、ゲルマニウムソース/ひずみシリコンチャネルヘテロ接合トンネルFETの高性能動作の実証結果を示す。シリコンチャ... [more] SDM2014-137
pp.9-12
SDM 2009-11-13
13:00
東京 機械振興会館 [チュートリアル招待講演]薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し ~ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 ~
大村泰久関西大SDM2009-146
本報告では、先ず、過去50年のSOIデバイス技術の歴史を見たとき、現代の薄層SOI MOSFET技術の到達点と近未来の3... [more] SDM2009-146
pp.61-66
SDM [詳細] 2008-11-14
16:40
東京 機械振興会館 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析
前川忠史山内恒毅原 孟史土屋英昭小川真人神戸大SDM2008-183
シリコンMOSFETの性能向上を実現する技術として、ひずみシリコンによる高キャリア移動度化に加え、ナノワイヤ等の新構造の... [more] SDM2008-183
pp.83-88
SDM 2008-06-09
13:30
東京 東京大学(生産研 An棟) [チュートリアル講演]高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望
高木信一東大SDM2008-42
45nm世代を迎え、種々の微細化限界により、CMOS性能の飽和が顕在化している。このため、チャネルの電流駆動力向上やマル... [more] SDM2008-42
pp.1-6
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
16:15
東京 機械振興会館 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション
羽根正巳NEC)・池澤健夫河田道人NEC情報システムズ)・江崎達也広島大)・山本豊二MIRAI-ASET
反転層の量子化サブバンドを考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーションの手法を用いて、一軸応力を... [more] VLD2006-50 SDM2006-171
pp.65-69
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