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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-10-13 14:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討 ○小林清輝（東海大）  SDM2023-56 |
NAND型フラッシュメモリおよびマイコン混載不揮発性メモリの一部では，シリコン窒化膜を電荷捕獲層とするMetal-Oxi... [more] | SDM2023-56 pp.13-20 |
| SDM | 2021-10-21 10:45 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違 ○三谷祐一郎（東京都市大） SDM2021-44 |
本論文では、ナノエレクトロニクスで幅広く用いられているシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜へのフッ素導入の影響に関して、実... [more] | SDM2021-44 pp.1-4 |
| CPM | 2018-08-10 11:05 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応 ○藤森敬典・千田陽介・増田悠右・氏家夏樹・遠田義晴（弘前大） CPM2018-18 |
20 nm～100 nm厚のSiO_{2}膜を有するSi(100)表面に様々な条件で電子線照射し、その後フッ酸処理や真 ... [more] | CPM2018-18 pp.47-52 |
| ED | 2016-07-23 15:05 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 ○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） ED2016-29 |
現在，酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの高耐圧化のために，高品質な酸化シリコン (SiO2) 膜の形成が必須となっ... [more] | ED2016-29 pp.11-15 |
| SDM | 2012-10-25 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 ○永田晃基・山口拓也・小椋厚志（明大）・小金澤智之・廣澤一郎（高輝度光科学研究センター）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大） SDM2012-91 |
SiO2薄膜の構造については、かねてより多角的な研究によりSiO2薄膜中にSi基板の結晶構造を反映した秩序が残留している... [more] | SDM2012-91 pp.11-14 |
| SDM | 2010-10-22 16:20 |
宮城 | 東北大学 | 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 ○服部真季（明大）・小瀬村大亮（明大/学振）・武井宗久・永田晃基・赤松弘彬・富田基裕・水上雄輝・橋口裕樹・山口拓也・小椋厚志（明大）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大）・小金澤智之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-170 |
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折... [more] | SDM2010-170 pp.71-75 |
| EMD, R (共催) |
2009-02-20 14:25 |
三重 | 住友電装本社 | シリコーンによる電気接点接触障害の評価技術(1) ～ 新たな評価装置を用いた環境評価試験について ～ ○森井真喜人・森脇弘之（オムロン）・田中秀樹・植木義貴・鈴木健嗣・吉住公男・西川昌伸（エスペック） R2008-52 EMD2008-128 |
シリコーン系の化合物から発生するガスによって接点が接触不良となる現象は広く知られている。シリコンによる接触障害現象は、開... [more] | R2008-52 EMD2008-128 pp.49-52 |
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