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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2016-10-26
09:55
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) Ⅲ族酸化物で修飾したW(100)面からの電子放射 ~ Sc酸化物, Pr酸化物, Nd酸化物による仕事関数低下現象 ~
川久保貴史香川高専)・中根英章室蘭工大ED2016-52
高融点金属の一つであるタングステンは,電子源の材料として用いられている.W(100)面は仕事関数が4.6eVと比較的高い... [more] ED2016-52
pp.41-46
SDM 2012-06-21
11:35
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響
加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大SDM2012-50
本研究では,金属/Pr酸化膜/Geゲートスタック構造の化学結合状態にゲート金属が与える影響について,酸素化学ポテンシャル... [more] SDM2012-50
pp.37-42
SDM 2011-07-04
13:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御
加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大SDM2011-60
プラセオジム(Pr)酸化膜/GeおよびPr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造において化学結合状態および電気的特性を評価し,P... [more] SDM2011-60
pp.57-62
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