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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
13:05
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ゾル-ゲル法による低抵抗Al添加ZnO透明導電膜の作製
安部功二久保田 佑名工大ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63
ゾル-ゲル法は,酸化亜鉛(ZnO)をはじめとする酸化物半導体の成膜に利用されている.しかし,ゾル-ゲル法で成膜したZnO... [more] ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63
pp.33-36
CPM 2022-03-01
13:30
ONLINE オンライン開催 室温原子層堆積法を用いた水蒸気ガスバリア膜の試作と評価
吉田一樹齋藤健太郎三浦正範鹿又健作廣瀬文彦山形大CPM2021-73
室温原子層堆積法を用いて作成した水蒸気ガスバリア膜について発表する。水蒸気ガスバリア膜は有機エレクトロニクスデバイスの劣... [more] CPM2021-73
pp.7-10
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
10:30
ONLINE オンライン開催 非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価
山本佑平荒牧達也伊藤 良木村 睦龍谷大EID2020-3 SDM2020-37
工場や自動車、PC などから発生する排熱の多くは未利用の状態である.
熱電変換素子はその熱エネルギーを電気エネルギーに... [more]
EID2020-3 SDM2020-37
pp.9-12
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
14:30
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用
曲 勇作古田 守高知工科大EID2020-10 SDM2020-44
非晶質酸化物半導体であるIn–Ga–Zn–O(IGZO)は室温スパッタ成膜可能なことからフレキシブルデバイスの半導体材料... [more] EID2020-10 SDM2020-44
pp.37-41
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
13:55
愛知 豊橋技科大VBL Fabrication of Cu-O Thin Films by Galvanostatic Electrochemical Deposition from Weakly Acidic Solutions
mansoureh keikhaeiMasaya IchimuraNITED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10
Cu-O thin films are deposited at low pH (< 6), low and high ... [more] ED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10
pp.5-10
ED, SDM
(共催)
2016-03-03
14:00
北海道 北海道大学百年記念会館 [招待講演]酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開
前元利彦孫 屹松田宗平佐々木翔太芦田浩平カルトシュタイン オリバー小山政俊小池一歩矢野満明佐々誠彦阪工大ED2015-121 SDM2015-128
酸化物半導体のデバイス応用として,フレキシブル酸化亜鉛(Zinc oxide; ZnO)薄膜トランジスタの開発と高性能化... [more] ED2015-121 SDM2015-128
pp.1-6
ED, SDM
(共催)
2016-03-03
15:15
北海道 北海道大学百年記念会館 Formation of fluorine-doped tin oxide nanostructures by using spray pyrolysis deposition technique
Kenji MurakamiAjith BandaraMasayuki OkuyaMasaru ShimomuraShizuoka Univ.)・R.m.g. RajapakseUniv. PeradeniyaED2015-123 SDM2015-130
透明導電膜として利用されているフッ素を添加した酸化スズ(FTO)の一次元ナノ構造化を目指している。FTOナノチューブまた... [more] ED2015-123 SDM2015-130
pp.13-18
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
14:00
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価
弓削政博小川淳史吉岡敏博加藤雄太松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-16 SDM2015-99
薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGaxSn1-xO(GTO)薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、 ... [more] EID2015-16 SDM2015-99
pp.31-34
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
13:20
愛知 名古屋大学VBL3階 酸化チタンナノ構造の作製と色素増感太陽電池光電極への応用
岸 直希野崎雅之榊原将太都築拓也藤満新太曽我哲夫名工大ED2014-21 CPM2014-4 SDM2014-19
本稿では、真空蒸着法により成膜したチタン薄膜から形成した酸化チタンナノ細孔構造の作製とそれを光電極として用いた色素増感太... [more] ED2014-21 CPM2014-4 SDM2014-19
pp.15-18
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
16:05
北海道 北海道大学(百年記念会館) フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性
孫 屹木村祐太前元利彦佐々誠彦阪工大)・葛西誠也北大ED2012-133 SDM2012-162
酸化物半導体のデバイス応用として,セルフスイッチング型ナノダイオード(Self Switching nano-Diode... [more] ED2012-133 SDM2012-162
pp.31-34
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
13:25
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Electrodeposition of Ga2O3 Thin Films from Aqueous Gallium Sulfate Solutions
Junie Jhon M. VequizoMasaya IchimuraNagoya Inst. of Tech.ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36
Gallium oxide (Ga2O3) thin films were prepared by employing ... [more] ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36
pp.85-89
ED 2011-10-21
09:50
青森 八戸ポータルミュージアム はっち ガラス基板上酸化チタンナノ構造の作製と電界電子放出特性
若家冨士男中谷卓央阿保 智高井幹夫阪大ED2011-68
酸化チタンは光起電力や光触媒などのユニークな特徴があり注目されている材料である。本稿では,印刷法とNaOH水溶液を用いた... [more] ED2011-68
pp.41-45
US 2008-10-31
11:10
東京 同志社大学 東京オフィス 超音波パルス法を用いた酸化物ガラスのデバイ温度と比熱の関係
稲葉誠二藤野 茂名嘉山祥也梶原稔尚九大US2008-58
2、3成分からなるケイ酸塩系、アルミノケイ酸塩系、ホウ酸塩系、リン酸塩系、テルル酸塩系、ゲルマン酸塩系および重金属系ガラ... [more] US2008-58
pp.45-50
ED 2008-03-07
09:35
山形 伝国の杜(米沢) [招待講演]色素増感型太陽電池デバイスの最新動向
内田 聡瀬川浩司東大)・伊藤省吾兵庫県立大ED2007-260
地球温暖化対策の観点から自然エネルギーへの期待は高まる一方だが、太陽光発電は世界をリードする日本でさえ現状は90万kW(... [more] ED2007-260
pp.45-50
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