電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 15件中 1~15件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
15:50
愛知 名古屋工業大学 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用
植村圭佑松本 悟渡久地政周伊藤圭亮佐藤威友北大ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67
窒化物半導体に対して,光電気化学反応を利用した低損傷ウェットエッチングプロセスを開発した.GaNと電解液界面の光電気化学... [more] ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67
pp.23-26
SDM 2015-10-30
10:50
宮城 東北大学未来研 酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術
今泉文伸後藤哲也寺本章伸須川成利東北大SDM2015-78
将来の強誘電体メモリ、センサー、太陽電池に有効であるBiFeO3 (BFO)薄膜を、スパッタリングと酸素ラジカル処理を組... [more] SDM2015-78
pp.41-44
SDM 2014-10-16
14:50
宮城 東北大学未来研 シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入
後藤哲也黒田理人赤川直矢諏訪智之寺本章伸李 翔小原俊樹木本大幾須川成利大見忠弘東北大)・熊谷勇喜鎌田 浩渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2014-85
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] SDM2014-85
pp.7-12
SDM 2014-06-19
09:50
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Al2O3/GeOx/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査
永冨雄太長岡裕一山本圭介王 冬中島 寛九大SDM2014-44
Al2O3/GeOX/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果について調査を行った.Al-PMAは,SiO2/GeO2... [more] SDM2014-44
pp.7-10
OME, SDM
(共催)
2013-04-25
13:20
鹿児島 屋久島環境文化村センター ナノポーラス陽極酸化膜を利用したバイオトランジスタの作製
工藤一浩黒澤翔太山内 博国吉繁一酒井正俊千葉大SDM2013-10 OME2013-10
陽極酸化ポーラスアルミナは規則的な高次ナノ構造を有し、さまざまな用途が期
待できる。本研究では、ナノポーラスアルミナを... [more]
SDM2013-10 OME2013-10
pp.49-52
SDM 2011-10-20
16:10
宮城 東北大学未来研 [特別講演]学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出
大見忠弘東北大SDM2011-102
インテル社のマイクロプロセッサの動作速度がこの6年間,3GHzクロック程度で完全に停滞していることが象徴するように,現状... [more] SDM2011-102
pp.27-36
SDM 2011-07-04
15:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響
生田目俊秀物質・材料研究機構)・山田博之芝浦工大)・大井暁彦物質・材料研究機構)・大石知司芝浦工大)・知京豊裕物質・材料研究機構SDM2011-64
ITO/HfO2/SiO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がフラットバンド電圧(Vfb)へ及ぼす影響を調べた。Cu... [more] SDM2011-64
pp.81-85
SDM, ED
(共催)
(第二種研究会)
2011-06-29
- 2011-07-01
海外 Legend Hotel Clear Difference between the Chemical Structure of SiO2/Si Interfaces Formed Using Oxygen Radicals and Oxygen Molecules
Tomoyuki SuwaAkinobu TeramotoTadahiro OhmiTakeo HattoriTohoku Univ.
 [more]
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
12:15
東京 東工大 大岡山キャンパス High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface
Xiang LiRihito KurodaTomoyuki SuwaAkinobu TeramotoShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.ED2010-93 SDM2010-94
A low temperature atomically flattening technology for Si(10... [more] ED2010-93 SDM2010-94
pp.183-188
SDM 2009-10-30
13:00
宮城 東北大学 SiO2膜におけるRIEダメージの修復
川田宣仁永嶋賢史市川 徹赤堀浩史東芝SDM2009-129
MOSデバイスの微細化が進むにつれてゲート加工によるRIE(Reactive Ion Etching)ダメージの影響がよ... [more] SDM2009-129
pp.51-56
EMD 2009-03-06
14:20
東京 工学院大学 車載コネクタ接点に用いられる金属の接触荷重-接触抵抗特性について
山中拓哉伊香 賢長瀬達也齋藤 寧玉井輝雄飯田和生三重大)・服部康弘オートネットワーク技研EMD2008-139
車載用コネクタ接点に用いられるすずめっき試料を、高温放置で劣化させ、接触荷重-接触抵抗特性を測定した。数十時間までは接触... [more] EMD2008-139
pp.21-24
EMD, R
(共催)
2009-02-20
10:40
三重 住友電装本社 Snめっきの高温放置における酸化被膜成長と接触抵抗特性についての検討
富永裕一山中拓哉齋藤 寧玉井輝雄飯田和生三重大)・服部康弘オートネットワーク技研R2008-46 EMD2008-122
車載用コネクタで使用されている銅合金条へSnめっきした試験片を,高温放置することにより酸化被膜を成長させ,放置時間に対す... [more] R2008-46 EMD2008-122
pp.13-18
SDM 2008-10-10
15:45
宮城 東北大学 シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響
永嶋賢史赤堀浩史東芝SDM2008-166
一般的なメモリやCMOSプロセスにおいては、拡散層やゲート電極にリンやボロン、砒素等の不純物をドープしたシリコン材料が用... [more] SDM2008-166
pp.63-68
SDM 2007-10-04
16:30
宮城 東北大学 ECRプラズマプロセスによるHfO2系絶縁膜の極薄膜化の検討
仲野雄介佐藤雅樹大見俊一郎東工大SDM2007-178
HfN膜のECR-Ar/O$_{2}$プラズマ酸化により形成したHfO$_{x}$N$_{y}$薄膜の極薄膜化に関する検... [more] SDM2007-178
pp.19-22
LQE 2007-05-25
16:30
富山 金沢大学角間キャンパス Siの選択酸化プロセスを用いたSi細線光導波路の作製
飯山宏一浅井覚詞若島誠寛金沢大LQE2007-15
Si細線光導波炉の伝播損失低減を目指して、選択酸化法による作製と評価について報告する。Si細線光導波路は通常、クラッドと... [more] LQE2007-15
pp.69-72
 15件中 1~15件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会