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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2015-08-11 09:40 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製 ○佐藤 勝・武山真弓・野矢 厚（北見工大）  CPM2015-40 |
Cuを用いたシリコン貫通ビアに適用可能な拡散バリヤとして、スパッタにホットワイヤによるラジカル反応を組み合わせた手法を用... [more] | CPM2015-40 pp.47-50 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:15 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 ○浦上法之・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 |
表面窒化による窒素添加と数原子層(ML)のGaAsで埋め込むことにより希薄窒化物混晶であるGaAsNを成長し，成長条件が... [more] | ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 pp.21-26 |
| SDM | 2013-06-18 17:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価 ○梅田享英（筑波大）・岡本光央・小杉亮治（産総研）・荒井 亮・佐藤嘉洋（筑波大）・原田信介・奥村 元（産総研）・牧野高紘・大島 武（原子力機構） SDM2013-64 |
4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）はノーマリーオフ，高パワー密度，超低損失のパワーデバイスとして... [more] | SDM2013-64 pp.101-105 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 15:45 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 表面窒化によるGaAsN混晶の形成 ○浦上法之・若原昭浩・関口寛人・岡田 浩（豊橋技科大） ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 |
GaAsN混晶を表面窒化により量子井戸として形成し、成長様式および発光特性を評価した。窒化時のAs2分子線圧力を減少する... [more] | ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 pp.23-26 |
| SDM | 2012-06-21 10:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価 ○箕浦佑也・糟谷篤志・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2012-47 |
Geは高いキャリア移動度を有することから、次世代CMOSデバイスのチャネル材料として有望視されている。Ge-MOSのゲー... [more] | SDM2012-47 pp.23-26 |
| SDM | 2011-10-20 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［特別講演］学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出 ○大見忠弘（東北大） SDM2011-102 |
インテル社のマイクロプロセッサの動作速度がこの6年間，3GHzクロック程度で完全に停滞していることが象徴するように，現状... [more] | SDM2011-102 pp.27-36 |
| SCE | 2011-10-12 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性改善 ○舩井辰則・内藤直生人・赤池宏之・藤巻 朗（名大） SCE2011-15 |
本誌では、プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合における接合作製プロセス及び電気的特性改善について述べる。こ... [more] | SCE2011-15 pp.19-24 |
| CPM | 2011-08-10 13:50 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価 酒井崇史・逸見充則・村田裕亮・鈴木真一郎・山上朋彦・林部林平・○上村喜一（信州大） CPM2011-58 |
SiC基板表面に直接窒化法により窒化層を製膜し，これを堆積法による酸化膜との界面制御層として使用することにより良好な界面... [more] | CPM2011-58 pp.11-14 |
| CPM | 2010-10-29 09:50 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜/SiC界面特性の評価 ○村田裕亮・鈴木真一郎・小林尚平・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2010-101 |
n型SiC上にNH_3による直接窒化法で窒化膜を形成してMIS構造を作製した。電流電圧特性から理想係数nを求めた。得られ... [more] | CPM2010-101 pp.51-54 |
| CPM | 2009-08-11 11:15 |
青森 | 弘前大学 | 3次元Si貫通ビアに適用可能なバリヤ膜の新規成膜手法の有用性 ～ 低温作製されたZrNx膜の特性評価 ～ ○佐藤 勝・武山真弓（北見工大）・早坂祐一郎・青柳英二（東北大）・野矢 厚（北見工大） CPM2009-44 |
Si-ULSI の3 次元Si 貫通ビア配線にとって，最も重要な要件の一つが200℃以下の低温プロセスである．本研究では... [more] | CPM2009-44 pp.57-60 |
| SCE | 2009-07-21 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | プラズマ窒化AlN障壁を用いたNbNジョセフソン接合の作製 ○長井友樹・内藤直生人・赤池宏之・藤巻 朗（名大） SCE2009-14 |
本誌では、NbN接合におけるプラズマ窒化AlNx障壁層の形成プロセス及びその接合の諸特性について述べる。このプラズマ窒化... [more] | SCE2009-14 pp.29-33 |
| SDM | 2009-06-19 13:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 ○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-33 |
高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor (MOS) 型トランジスタの実現に向け、... [more] | SDM2009-33 pp.39-44 |
| SDM | 2007-10-04 15:15 |
宮城 | 東北大学 | 先端ＤＲＡＭでのＳｉＯＮゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について ○村川惠美（東京エレクトロン/東北大）・竹内政志・本田 稔・石塚修一・中西敏雄・廣田良浩（東京エレクトロンAT）・菅原卓也・田中義嗣・赤坂泰志（東京エレクトロン）・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2007-175 |
プラズマ窒化によるＳｉＯＮゲート絶縁膜形成において、高分解ＲＢＳによって校正されたＡＲ－ＸＰＳを用いて絶縁膜中窒素濃度分... [more] | SDM2007-175 pp.11-14 |
| SDM | 2007-06-08 09:25 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果 ○寺井真之・藤枝信次（NEC） SDM2007-40 |
プラズマ酸窒化膜をゲート絶縁膜に用いたp型MOSFETのNBTIに対し、プラズマ窒化及びフッ素導入が及ぼす効果を調べた。... [more] | SDM2007-40 pp.49-54 |
| SDM | 2007-06-08 14:40 |
広島 | 広島大学（学士会館） | ゲルマニウム窒化膜の形成と評価 ○朽木克博・岡本 学・細井卓治・志村考功・安武 潔・渡部平司（阪大） SDM2007-49 |
高密度プラズマによるGe基板の窒化を行い、アモルファス純窒化膜(Ge$_3$N$_4$)の形成に成功した。350 $^o... [more] | SDM2007-49 pp.97-100 |
| CPM | 2005-11-12 10:15 |
福井 | 福井大学 | 3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長 ○趙 明秀・小林隆弘・澤崎尚樹・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター） |
Si(111)基板へのC+イオン注入により作製した3c-SiC/Si(111)構造基板上へMOVPE成長させたInN膜と... [more] | CPM2005-164 pp.13-16 |
| CPM | 2005-11-12 10:40 |
福井 | 福井大学 | 3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 ～ 基板表面の窒化処理効果 ～ ○澤崎尚樹・小林隆弘・趙 明秀・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター） |
Si基板へのC+イオン注入により作製した3c-SiC/Si基板上にMOVPE法を用いて成長させたGaN膜は凹凸の激しい表... [more] | CPM2005-165 pp.17-20 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 10:10 |
滋賀 | 立命館大学 | ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 ～ 無極性InNの検討 ～ ○熊谷裕也・露口招弘・寺木邦子・荒木 努・直井弘之・名西やすし（立命館大） |
我々はECR-MBE法 (ECRプラズマ分子線エピタキシー法) を用いて、R面(10-12) サファイア基板に窒化処理を... [more] | ED2005-120 CPM2005-107 LQE2005-47 pp.9-12 |
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