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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-11-08
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研SDM2019-74
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて,その非定常状態における振る舞いを... [more] SDM2019-74
pp.27-32
MW, ICD
(共催)
2019-03-15
16:45
沖縄 大濱信泉記念館(石垣島) リング共振器型電極を用いた循環腫瘍細胞検出の高分解能化に関する検討
空 翔太熊原宏征黒木太司江口正徳呉高専)・山川 烈ファジィシステム研)・田中文啓産業医科大MW2018-182 ICD2018-126
循環腫瘍細胞(CTC)を検出することで癌の早期発見や臨床応用が可能となることから、CTCは現在世界中で注目されている。我... [more] MW2018-182 ICD2018-126
pp.145-149
SDM 2019-01-29
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響
太田裕之池上 努福田浩一服部淳一浅井栄大遠藤和彦右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2018-81
本研究では,マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] SDM2018-81
pp.1-4
SDM 2019-01-29
09:55
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大SDM2018-82
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] SDM2018-82
pp.5-8
SDM 2018-11-09
14:20
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研SDM2018-74
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち,その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて,その振る舞いをシミュレーシ... [more] SDM2018-74
pp.47-52
SDM 2017-01-30
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション
太田裕之池上 勉服部淳一福田浩一右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2016-133
サブ10nm 世代の負性容量FinFET(NC-FinFET)のデバイス特性を新開発のtechnology comput... [more] SDM2016-133
pp.13-16
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
15:30
大阪 中央電気倶楽部 負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討
小林正治チャン キュンミン上山 望平本俊郎東大SDM2016-68 ICD2016-36
センサーネットワークを構成するIoTデバイスには,エナジーハーベスティング技術を利用して超低電圧・超低消費電力で動作する... [more] SDM2016-68 ICD2016-36
pp.127-130
SDM 2016-06-29
10:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針
太田裕之右田真司服部淳一福田浩一産総研)・鳥海 明東大SDM2016-34
本研究では負性容量を用いて急峻なサブスレショルド係数(SS)を実現するための完全空乏型silicon-on-insula... [more] SDM2016-34
pp.9-13
MW 2015-11-19
14:45
沖縄 琉球大 オペアンプ型Negative Impedance Converterを用いた負性キャパシタンスの生成
山中翔司松本賢一堀井康史関西大MW2015-126
負性インピーダンス変換器 (NIC)を用いてNon-Foster素子(負性キャパシタ,負性インダクタ)を作る研究がある.... [more] MW2015-126
pp.35-40
MW 2015-11-19
15:15
沖縄 琉球大 オペアンプ型Negative Impedance Converter(NIC)における負性キャパシタンスの広帯域化
松本賢一山中翔司堀井康史関西大MW2015-127
オペアンプOPA690(Texas Instruments,GB積500MHz)の差動特性を利用した負性インピーダンス変... [more] MW2015-127
pp.41-46
MW 2014-12-19
16:00
東京 青山学院大 青山キャンパス Negative Impedance ConverterによるNon-Foster負性キャパシタンスの実現と回路の安定性評価
金子卓也堀井康史関西大MW2014-179
Negative Impedance Converter(NIC)を用いれば負性回路素子(負性キャパシタ,負性インダクタ... [more] MW2014-179
pp.171-176
AP, MW
(併催)
2014-09-19
10:10
東京 東工大 大岡山キャンパス [依頼講演]Non-Foster負性キャパシタを用いた小型アンテナの広帯域整合
金子卓也堀井康史関西大AP2014-101 MW2014-91
負のキャパシタンスやインダクタンスを実現する回路として,Negative Impedance Converter(NIC... [more] AP2014-101 MW2014-91
pp.43-48(AP), pp.35-40(MW)
AP 2013-08-29
14:50
神奈川 ヴェルクよこすか Non-Foster回路を用いたリアクタンス特性の制御
堀井康史金子卓也高木渉吾松原里紗関西大AP2013-66
近年,Negative Impedance Converter (NIC)を用いて負性インダクタンスや負性キャパシタンス... [more] AP2013-66
pp.25-30
EST, MWP, OPE, MW, EMT, IEE-EMT
(共催) [詳細]
2013-07-19
11:45
北海道 稚内総合文化センター Negative Impedance ConverterによるNon-Foster素子の実現と狭帯域フィルタ設計への応用
金子卓也高木渉吾松原里紗堀井康史関西大MW2013-86 OPE2013-55 EST2013-50 MWP2013-45
負のインピーダンスを実現する手法としてNegative Impedance Converter (NIC)が提案された.... [more] MW2013-86 OPE2013-55 EST2013-50 MWP2013-45
pp.241-246
NLP 2012-11-19
13:55
宮城 石巻専修大学 スケール付β写像および負のスケール付β写像に基づくA/D変換器の集積回路実装に向けた設計
豊田皓仁堀尾喜彦東京電機大)・合原一幸東大NLP2012-77
回路素子のばらつきや,回路パラメータの変化,ノイズなどに対してロバストな,β写像に基づくデータコンバータ(βエンコーダ)... [more] NLP2012-77
pp.7-12
CAS, NLP
(共催)
2011-10-21
13:05
静岡 静岡大学 特異摂動力学系の観点から分析したバースト神経細胞の電子回路モデル
前田義信新潟大CAS2011-54 NLP2011-81
神経細胞は活動電位と呼ばれる電気的興奮現象を呈し,神経ネットワークにおいて情報処理を担っていると考えられている.神経細胞... [more] CAS2011-54 NLP2011-81
pp.125-128
ED 2010-06-18
10:25
石川 北陸先端大 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析
板垣陽介浅川澄人新屋秀秋斉藤光史須原理彦首都大東京ED2010-43
共鳴トンネルダイオード(RTD)は、原理的にはTHz領域まで微分負性抵抗(NDR)を得られる能動デバイスである。しかし、... [more] ED2010-43
pp.53-58
EA, US
(併催)
2008-01-29
13:00
大阪 関西大学 負性容量回路を用いた圧電体の弾性率制御
宝田 隼上田裕章関西大)・伊達宗宏深田栄一小林理研)・山本 健田實佳郎関西大US2007-101 EA2007-106
PZTセラミックスとPLLA高分子に“負性容量回路”(あたかも負の容量を持つコンデンサーとして働く電気回路)を結合するこ... [more] US2007-101 EA2007-106
pp.29-32(US), pp.31-34(EA)
ICD, ITE-IST
(共催)
2007-07-27
15:40
兵庫 神戸大学瀧川記念学術交流会館 負帰還イメージセンサによる動き方向抽出
池辺将之櫻谷直史北大ICD2007-67
いままでに、CMOSイメージセンサのリセット方式に負帰還を用いて、蓄積容量を制御することで広ダイナミックレンジを圧縮する... [more] ICD2007-67
pp.177-182
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