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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
14:15
愛知 豊橋技科大VBL棟 分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性
光野徹也静岡大)・酒井 優山梨大)・岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21
直径50-200 nm、高さ1500 nmのGaNナノ支柱状結晶上に直径が200-800 nm程度で厚さが50 nmの極... [more] ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21
pp.17-19
CPM 2013-08-02
10:55
北海道 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 シリコン貫通ビアに適用可能なナノ結晶組織を有するHfNx膜のバリヤ特性
佐藤 勝武山真弓北見工大)・青柳英二東北大)・野矢 厚北見工大CPM2013-51
高性能な3次元LSIを実現するためには、シリコン貫通ビア配線(TSV)が重要な要素技術となる。我々は、TSVに適用できる... [more] CPM2013-51
pp.63-68
US 2013-04-23
13:55
東京 電気通信大学 ソノケミカル反応で生成したBaTiO3ナノ結晶の自発分極
安井久一加藤一実産総研US2013-2
超音波照射下の水溶液中で生成したチタン酸バリウムのナノ粒子は、ナノ結晶が方位を揃えて凝集したメソクリスタルであることが知... [more] US2013-2
pp.5-10
ED 2012-11-20
09:55
大阪 阪大中之島センター nc-Si MOS冷陰極からの電子放射における光照射効果
嶋脇秀隆八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2012-61
微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に光... [more] ED2012-61
pp.37-40
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-28
09:15
沖縄 沖縄県青年会館 Nonvolatile Polymer Memory-cell embedded with Ni Nanocrystals Surrounded by NiO in Polystyrene
Jong-Dae LeeHyunMin SeungChang-Hwan KimJea-Gun ParkHanyang Uni.
We investigated the nonvolatile polymer 4F^2 memory-cell emb... [more]
QIT
(第二種研究会)
2011-11-21
10:00
大阪 大阪大学基礎工学研究科国際棟 半導体ナノ粒子集団を用いた単一光子実験
竹内 誠芥川嘉成久我隆弘東大
単一光子には「不可分性」と「不可識別性」といった有用な性質がある。我々は、半導体ナノ粒子をドープしたポリマー薄膜を試料と... [more]
QIT
(第二種研究会)
2011-11-21
14:40
大阪 大阪大学基礎工学研究科国際棟 [ポスター講演]半導体ナノ粒子集団を用いた単一光子実験
芥川嘉成竹内 誠久我隆弘東大
我々は、半導体ナノ粒子を用いた簡便な単一光子源を実現した。半導体ナノ粒子(CdSe/ZnS)がポリマー(PMMA)に低密... [more]
ED 2011-10-21
09:00
青森 八戸ポータルミュージアム はっち nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射
嶋脇秀隆山崎勇人八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2011-66
He-Neレーザ(出力1 mW、波長633 nm)をp-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に照射し、放射電流特性、... [more] ED2011-66
pp.33-36
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-28
14:25
高知 高知工科大学 研究教育棟B トップエミッション型液相合成ZnOナノ結晶紫外発光EL素子の電流電圧特性
板谷和樹河崎勇人外山利彦岡本博明阪大EID2010-30
液相法により合成したZnOナノ結晶を発光層に用いたトップエミッション型EL素子を作製し,その電流電圧特性を評価した. 発... [more] EID2010-30
pp.37-40
ED, SDM
(共催)
2010-02-22
15:15
沖縄 沖縄県青年会館 SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用
岡田竜弥琉球大)・東 清一郎牧原克典広重康夫宮崎誠一広島大ED2009-201 SDM2009-198
プラズマCVDにより成膜したSiOx膜(1.0 < x < 1.9)に熱プラズマジェット(TPJ)を照射しミリ秒熱処理を... [more] ED2009-201 SDM2009-198
pp.29-33
ITE-IDY, EID, IEIJ-SSL, IEE-EDD
(共催)
2010-01-28
14:15
福岡 九州大学(筑紫地区) 液相合成n-ZnOナノ結晶/p-ペンタセンヘテロ接合型紫外発光EL素子
河崎勇人竹内久純外山利彦岡本博明阪大EID2009-54
ワイドギャップ・強励起子結合エネルギー材料であるZnOは,高安定な紫外発光材料であり,蛍光体励起光源としてディスプレイ応... [more] EID2009-54
pp.29-32
OME 2009-03-13
14:00
宮城 東北大(多元研大会議室) 形態制御・相変換可能なC60微結晶の作製と評価
増原陽人東北大)・譚 振権阪大)・笠井 均東北大/JST)・中西八郎及川英俊東北大OME2008-103
本研究では、当研究室で開発した「再沈法」1を改良した「SP再沈法」を用いて、フラーレン(特にC60)微結晶のサイズ・形態... [more] OME2008-103
pp.11-16
OPE 2008-12-19
14:15
東京 機械振興会館 スプレーCVD法によるEr2SiO5結晶薄膜の作製と評価
吉澤 純一色秀夫木村忠正電通大OPE2008-139
Er2SiO5結晶はシリコンフォトニクスの発光材料として期待されている。ゾルゲル法で作製されたEr2SiO5結晶からこれ... [more] OPE2008-139
pp.17-22
ED 2008-08-04
14:15
静岡 静岡大学浜松キャンパス シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性
嶋脇秀隆木田 庸八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・村上勝久若家富士夫高井幹夫阪大ED2008-112
極薄酸化膜で被覆されたナノ結晶シリコン(nc-Si)からなる面放射型冷陰極を製作し、電子放射特性および放射電子のエネルギ... [more] ED2008-112
pp.15-20
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
11:10
北海道 かでる2・7(札幌) Current Transport Characteristics for Organic Nonvolatile Memories
Woo-Sik NamGon-Sub LeeSung-Ho SeoYoung-Hwan OhJae-Gun ParkHanyang Univ.ED2008-61 SDM2008-80
Recently, organic nonvolatile memory has attracted much inte... [more] ED2008-61 SDM2008-80
pp.113-117
ICD 2008-04-18
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝ICD2008-11
ナノメートルスケールのSi微小結晶を、薄いトンネル酸化膜で挟んだ二重接合構造を、浮遊ゲート型メモリ素子のトンネル膜に応用... [more] ICD2008-11
pp.57-62
SDM, OME
(共催)
2008-04-12
10:35
沖縄 沖縄県青年会館 Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成
吉本千秋大参宏昌志村考功垣内弘章渡部平司安武 潔阪大SDM2008-18 OME2008-18
現在、薄膜トランジスタに代表される大面積電子デバイスの高性能化には、大粒径多結晶Si薄膜の形成が必要とされている。我々は... [more] SDM2008-18 OME2008-18
pp.89-94
SDM 2008-03-14
13:05
東京 機械振興会館 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝SDM2007-273
ナノメートルスケールのSi微小結晶を、薄いトンネル酸化膜で挟んだ二重接合構造を、浮遊ゲート型メモリ素子のトンネル膜に応用... [more] SDM2007-273
pp.1-6
LQE, PN, OPE, OFT, EMT
(共催)
2006-02-01
15:45
兵庫 神戸大学 Si ・Erを共添加したSiO2膜の導波路型光増幅器への応用
住友雅彦安達哲也村上圭太神戸大)・森脇和幸神戸大/JST)・藤井 稔林 真至神戸大)・渡辺 啓NTT
SiとErを共添加した$SiO_2$膜の光導波路型増幅器への応用を目的として、Si濃度およびEr濃度を変化させ、励起光照... [more] PN2005-83 OFT2005-70 OPE2005-131 LQE2005-146
pp.73-76
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