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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2020-04-13 14:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行なし） |
青色半導体レーザにより結晶化したpoly-Si膜を用いた金属ソース/ドレイン構造TFT ○岡田竜弥・野口 隆（琉球大） |
これまでに我々は、青色半導体レーザアニール法(BLDA)を用いることでa-Si 膜が結晶化可能であり、平坦な結晶化Si ... [more] | |
| SDM | 2015-06-19 13:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 ○永冨雄太・田中慎太郎・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛（九大）  SDM2015-47 |
低い正孔障壁(ΦBP)を有するPtGe/Geコンタクトの作製およびその電気的パッシベーションについて調査を行った．極薄S... [more] | SDM2015-47 pp.47-50 |
| SDM | 2015-06-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 ○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2015-48 |
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] | SDM2015-48 pp.51-55 |
| SDM | 2013-06-18 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化 ○山本圭介・佐田隆宏・王 冬・中島 寛（九大） SDM2013-49 |
高性能GeチャネルCMOS実現には、寄生抵抗を極限まで低減したメタル・ソース/ドレイン（S/D）の導入が望ましい。我々は... [more] | SDM2013-49 pp.29-32 |
| SDM | 2012-06-21 17:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用 ○山本圭介・井餘田昌俊・王 冬・中島 寛（九大） SDM2012-61 |
金属/Ge界面ではフェルミレベルがGeの価電子帯近傍にピンニング（FLP）され、低障壁・低抵抗な金属/Geコンタクトの形... [more] | SDM2012-61 pp.97-102 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| SDM | 2010-06-22 09:55 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発 ○右田真司・森田行則・太田裕之（産総研） SDM2010-34 |
平面型トランジスタの微細化限界を打破するデバイス構造として，シリコンナノワイヤ トランジスタが注目を集めている．このトラ... [more] | SDM2010-34 pp.5-10 |
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