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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) SID-JC, IEIJ-SSL (共催) (連催) [詳細] |
2024-01-25 13:15 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［ポスター講演］メモリスタを用いたシナプス素子によるニューロンの膜電位変化の再現 ○谷内田健太・阿部祥也・澤井一輝（龍谷大）・松田時宜（近大/龍谷大）・河西秀典（龍谷大）・木村 睦（龍谷大/奈良先端大）  EID2023-4 |
メモリスタと高抵抗SiO2を統合した薄膜ニューロモルフィックデバイスを用いてニューロンの膜電位の変化の再現を試みた．メモ... [more] | EID2023-4 pp.9-12 |
| NLP, CAS (共催) |
2023-10-06 09:20 |
岐阜 | ワークプラザ岐阜 | メモリスタSPICEモデルの違いによるカオス回路のシミュレーション比較 ○高橋康宏（岐阜大） CAS2023-30 NLP2023-29 |
酸化チタン薄膜を用いたメモリスタ，すなわち，HPメモリスタの登場により，これまでにHPメモリスタの様々なSPICEモデル... [more] | CAS2023-30 NLP2023-29 pp.1-4 |
| MSS, CAS, SIP, VLD (共催) |
2023-07-06 11:00 |
北海道 | 小樽商科大学 3号館 102教室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
誤り検出と冗長救済によるメモリスタ超次元コンピューティング推論アクセラレータの長寿命化 ○岩崎哲朗・新谷道広（京都工繊大） CAS2023-5 VLD2023-5 SIP2023-21 MSS2023-5 |
数千から数万の超次元ベクトルにマッピングすることで様々な認知タスクを軽量に処理する超次元コンピューティング（Hyperd... [more] | CAS2023-5 VLD2023-5 SIP2023-21 MSS2023-5 pp.22-27 |
| MRIS, CPM (共催) ITE-MMS (連催) [詳細] |
2022-10-28 10:05 |
長野 | 信州大学＋オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
陽極酸化法によるメモリスタ向け酸化モリブデンの作製と評価 ○永岡千枝・ミョー タン テイ・橋本佳男（信州大） MRIS2022-14 CPM2022-45 |
抵抗変化型メモリスタの抵抗変化媒体として期待されているモリブデン酸化物を陽極酸化法によって作製し、その物性を詳細に調べた... [more] | MRIS2022-14 CPM2022-45 pp.33-36 |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2022-08-18 15:20 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ITO/Nb:SrTiO3接合における光誘起電流特性を利用したニューロモルフィックコンピューティング ～ リザバーコンピューティング応用に向けて ～ ○山﨑悠太郎・甲斐洋行・木下健太郎（東京理科大） ED2022-21 |
近年，エッジコンピューティングのニーズが高まり，高い学習性能を維持したまま計算コストを削減する手法が求められている．その... [more] | ED2022-21 pp.17-20 |
| CPM | 2021-10-27 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 内包型ZnOメモリスタの評価 ○木下友起・ミョー タン テイ・橋本佳男（信州大） CPM2021-32 |
メモリスタ特性の再現性向上のため、ポーラスアルミナに内包した抵抗変化媒体を有する新規構造を提案する。陽極酸化法を用いてポ... [more] | CPM2021-32 pp.46-50 |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2021-08-06 15:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 金属酸化物メモリスタによる特徴量パターン取得のためのセンサ抵抗-電圧変換回路の設計とガス識別 ○廣田丈裕・吉河武文・岩田達哉（富山県立大） ED2021-13 |
本研究では、ガス識別に向けた単一素子として金属酸化物メモリスタを利用したガスセンサ過渡特性の特徴量パターンの取得を試みた... [more] | ED2021-13 pp.9-12 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-ARC (連催) [詳細] |
2019-07-25 13:55 |
北海道 | 北見市民会館 | シュタイナー三重系を用いた行列積演算に対する多重誤り訂正の検討 ○勝 悠貴・金子晴彦（東工大） CPSY2019-26 DC2019-26 |
深層学習や信号処理，ビッグデータ処理のように行列積演算がシステム全体の性能に影響を与えるような 技術において，行... [more] | CPSY2019-26 DC2019-26 pp.123-127 |
| ICD | 2018-04-19 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Low power Deep Learning hardware using emerging analog non-volatile memory ○Irina Kataeva（DENSO Corp.） |
[more] | |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2018-03-08 13:55 |
島根 | 隠岐の島文化会館 | メモリスタ論理による誤り訂正符号回路の設計と評価 ○石坂 守（奈良高専）・新谷道広・井上美智子（奈良先端大） CPSY2017-146 DC2017-102 |
抵抗変化型メモリ（Resistive RAM, ReRAM）は，高集積，高速，低消費電力の観点から，フラッシュメモリを代... [more] | CPSY2017-146 DC2017-102 pp.257-262 |
| NC | 2010-10-23 14:30 |
福岡 | 九工大（北九州学研都市） | バイポーラ型抵抗変化メモリ素子を用いたSTDPシナプスデバイス ○赤穂伸雄・浅井哲也（北大）・柳田 剛・川合知二（阪大）・雨宮好仁（北大） NC2010-46 |
抵抗変化メモリ（resistive RAM: ReRAM）を用いたSTDPシナプスデバイスを提案する。提案デバイスは、バ... [more] | NC2010-46 pp.23-28 |
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