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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-10-13
16:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 強度分布を有するエキシマレーザーアニールによる結晶粒径制御と低温ポリシリコン薄膜トランジスタ特性
西田 脩片山慶太中村大輔九大)・後藤哲也東北大)・池上 浩高知工科大SDM2023-58
エキシマレーザーアニール(ELA)法で結晶化した低温ポリシリコン(LTPS)薄膜トランジスタ(TFT)は、アモルファスシ... [more] SDM2023-58
pp.27-33
CPM 2023-07-31
17:00
北海道 北見工業大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]ヘテロジニアス集積に向けた常温接合技術の動向と今後の展開
日暮栄治竹内 魁東北大CPM2023-17
近年,小型,低消費電力,高放熱,高出力などの優れた特性を有する高性能・高機能半導体デバイスの実現に,接合技術が重要な役割... [more] CPM2023-17
pp.21-24
SDM, ED, CPM
(共催)
2022-05-27
14:40
ONLINE オンライン開催 反応性スパッタリングによる窒化物誘電体薄膜の堆積とシリコンフォトニクス応用
福島孝晃ホセ ピエドラ ロレンサナ土谷 塁飛沢 健石川靖彦豊橋技科大ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17
SiNxはSiに比べて熱光学係数が約1桁小さい特長があり、熱的に安定動作する合分波器など、シリコンフォトニクス素子の特性... [more] ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17
pp.13-16
SDM 2018-10-17
15:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating
Kaname ImokawaKyushu Univ)・Nozomu TanakaKyushu Univ.)・Akira SuwaKyushu Univ)・Daisuke NakamuraTaizoh SadohKyushu Univ.)・Tetsuya GotoNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.)・Hiroshi IkenoueKyushu UnivSDM2018-54
Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温(~500度)のプロセスが必要とされ,プリンタブ... [more] SDM2018-54
pp.11-14
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
17:05
北海道 北海道大学百年記念会館 Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング
渡邉時暢富山大)・堀 匡寛小野行徳静岡大ED2017-115 SDM2017-115
0.3-300Kの温度範囲においてSOI基板上に作製したゲート付p-i-nダイオードにチャージポンピング法を応用し,10... [more] ED2017-115 SDM2017-115
pp.51-56
MWP 2017-11-09
14:05
東京 機械振興会館 [招待講演]Auを用いた大気中低温接合によるLiNbO3光デバイス実装
多喜川 良九大MWP2017-46
従来のAuSn共晶はんだ接合に代わる新しい大気中低温固相接合技術と異種材料光素子の高密度表面実装技術の開発を行っている.... [more] MWP2017-46
pp.7-11
SIP, CAS, MSS, VLD
(共催)
2017-06-19
10:40
新潟 新潟大学五十嵐キャンパス 中央図書館ライブラリーホール 専用キャリーチェーンを考慮した粒度混合再構成可能アーキテクチャ向け配置アルゴリズム
本多巧樹今川隆司越智裕之立命館大CAS2017-4 VLD2017-7 SIP2017-28 MSS2017-4
本論文では,専用キャリーチェーンを有する粒度混合再構成可能アーキテクチャ (Mixed-Grained Reconfig... [more] CAS2017-4 VLD2017-7 SIP2017-28 MSS2017-4
pp.19-24
ED, SDM
(共催)
2016-03-03
16:20
北海道 北海道大学百年記念会館 シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング
渡辺時暢堀 匡寛小野行徳富山大ED2015-125 SDM2015-132
SOI基板上に作製したゲート付PINダイオードのチャージポンピング電流を7-300Kの温度範囲で測定し,100K以下の温... [more] ED2015-125 SDM2015-132
pp.23-26
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
13:30
京都 京都大学 スパッタリングにより形成したHfO2膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT
目黒達也原 明人東北学院大EID2014-23 SDM2014-118
高い電流駆動能力を有する低温(LT)多結晶Si(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)の実現に向け,連続波レーザラテ... [more] EID2014-23 SDM2014-118
pp.51-54
SDM, OME
(共催)
2014-04-10
15:30
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]非晶質絶縁体上における大粒径Ge(111)薄膜のAl誘起低温成長
都甲 薫末益 崇筑波大SDM2014-6 OME2014-6
ガラス等の非晶質絶縁基板上でGe結晶薄膜の方位制御を可能とする「Al誘起成長法」について紹介する。我々は、Al誘起成長G... [more] SDM2014-6 OME2014-6
pp.27-29
SDM 2013-12-13
13:50
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発
部家 彰草壁 史丸山裕樹松尾直人神田一浩兵庫県立大)・野口 隆琉球大SDM2013-127
10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性化について検討した。... [more] SDM2013-127
pp.67-72
MW 2013-03-07
15:45
広島 広島大学 [特別講演]ハイブリッド共振器を用いた小型・低背のLTCCアンバランス‐バランスフィルタ
田村昌也パナソニック)・タオ ヤン伊藤龍男カリフォルニア大ロサンゼルス校MW2012-180
本報告では, 直列共振回路と並列共振回路からなるハイブリッド共振器を用いて, LTCCによって作製された小型で低背なアン... [more] MW2012-180
pp.115-120
SDM 2011-12-16
16:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発
部家 彰野々村勇希木野翔太松尾直人天野 壮宮本修治神田一浩望月孝晏兵庫県立大)・都甲 薫佐道泰造宮尾正信九大SDM2011-145
結晶化が起こるには、結晶核形成と結晶粒成長の2つのプロセスを経る必要があるが、一般に結晶核形成には多くのエネルギーを必要... [more] SDM2011-145
pp.71-76
EE, CPM
(共催)
2011-02-10
14:25
東京 機械振興会館 固体酸化物形燃料電池に用いるLa(Ni,Co,Fe)O3空気極の開発
田口博章小松武志千葉玲一渡部仁貴大類姫子林 克也NTTEE2010-46 CPM2010-140
高効率な発電システムとして注目される固体酸化物形燃料電池(以下SOFC)の開発において、発電出力の維持は非常に重要である... [more] EE2010-46 CPM2010-140
pp.25-29
OME, SDM
(共催)
2009-04-24
16:15
佐賀 産総研九州センター大会議室 アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長
黒澤昌志川畑直之佐道泰造宮尾正信九大SDM2009-5 OME2009-5
次世代の高速薄膜トランジスタや高効率薄膜太陽電池の実現には,高キャリア移動度や高吸収係数を有する半導体薄膜をガラス上に形... [more] SDM2009-5 OME2009-5
pp.19-23
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
10:55
愛知 名古屋工業大学 ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価
小林 篤上野耕平下元一馬太田実雄東大)・藤岡 洋尾嶋正治東大/JST)・天内英貴長尾 哲堀江秀善三菱化学ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99
これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ,十分な結晶品質が得られなかった非極性面?族... [more] ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99
pp.17-20
SDM, ED
(共催)
2008-07-09
11:40
北海道 かでる2・7(札幌) [招待講演]AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer
Tadayoshi DeguchiNew Japan Radio)・Takashi EgawaNagoya Inst. of Tech.ED2008-41 SDM2008-60
 [more] ED2008-41 SDM2008-60
pp.9-14
SDM, OME
(共催)
2008-04-12
11:25
沖縄 沖縄県青年会館 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成 ~ 電界印加効果、触媒種効果 ~
萩原貴嗣都甲 薫佐道泰造九大SDM2008-20 OME2008-20
次世代TFTのチャネル材料として期待される多結晶Ge/絶縁膜の極低温形成(≦250℃)を目指し金属触媒誘起固相成長法を検... [more] SDM2008-20 OME2008-20
pp.101-106
CPM, ICD
(共催)
2008-01-18
15:45
東京 機械振興会館 無電解めっき法による超微細電極接続法
横島時彦山地泰弘田村祐一郎菊地克弥仲川 博青柳昌宏産総研CPM2007-147 ICD2007-158
現行のフリップチップ接続は,接続時に加圧や加熱により固相接続を行うため,チップへのダメージが懸念されている.さらに本手法... [more] CPM2007-147 ICD2007-158
pp.111-116
CPM 2007-11-17
15:05
新潟 長岡技術科学大学 強磁性半導体(Ga,Mn)As/Zn-doped-GaAs超格子構造のMBE成長とその低温熱処理効果
中川久幸ジョエル アスバル神保良夫内富直隆長岡技科大CPM2007-126
分子線エピタキシー(MBE)法を用いて強磁性半導体(Ga,Mn)As層とp型GaAsスペーサ層による超格子構造を作製し,... [more] CPM2007-126
pp.109-113
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