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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2018-03-01 15:45 |
東京 | 東京工科大学 | 結晶作製実験をふりかえって ○高野 泰（静岡大）  CPM2017-123 |
25 年間 III-V 族化合物半導体結晶の作製法を探究した。基板と格子定数が異なる層を結晶成長させることに従事した。... [more] | CPM2017-123 pp.31-32 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-07-08 13:25 |
東京 | 中央大学 | エピタキシャルFePt薄膜における格子歪と規則化の関係 ○中村将大・落合亮真（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2016-14 |
L10構造を持つFePt合金膜を磁気記録媒体などに応用するためには，磁化容易軸であるc軸を膜面垂直方向に制御する必要があ... [more] | MR2016-14 pp.7-12 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 11:00 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 格子整合系ScAlMgO4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長 ○尾崎拓也・船戸 充・川上養一（京大） ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102 |
ScAlMgO4 (SCAM)基板上のGaN系窒化物半導体の有機金属気相成長に関して述べる．SCAMは斜方晶の結晶で，六... [more] | ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102 pp.5-8 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 11:10 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討 ○小森大資・笹島浩希・鈴木智行・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大） ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 |
窒化物半導体では成長温度の不一致と格子不整合により、広い組成範囲で高品質ヘテロ接合を形成するのが難しい。我々はSbを含む... [more] | ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 pp.7-10 |
| OPE, LQE, CPM, EMD, R (共催) |
2013-08-29 10:45 |
北海道 | サンリフレ函館 | InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ ○三浦広平・猪口康博（住友電工）・河村裕一（阪府大） R2013-32 EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31 |
中赤外センサの受光材料として注目を集めているtype-II InAs/GaSb超格子は、結晶成長には通常GaSb基板が使... [more] | R2013-32 EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31 pp.19-24 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 16:55 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET ○前澤宏一・伊藤泰平・角田 梓・中山幸二・安井雄一郎・森 雅之（富山大）・宮崎英志・水谷 孝（名大） ED2012-135 SDM2012-164 |
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとして... [more] | ED2012-135 SDM2012-164 pp.39-42 |
| SDM | 2010-12-17 10:40 |
京都 | 京都大学(桂) | イオンチャネリングによるホイスラー合金Fe3-xMnxSi(111)/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面の軸配向性の評価 ○中島孝仁・松倉武偉（京大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大） SDM2010-187 |
イオンチャネリングを用いて，エピタキシャル成長したFe3-xMnxSi(111)/Ge(111)界面の軸配向性を評価した... [more] | SDM2010-187 pp.13-17 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 11:15 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Narrow-gap III-V Semiconductor Technology: Lattice-Mismatched Growth and Epitaxial Lift-off for Heterogeneous Integration ○Toshi-kazu Suzuki（JAIST） ED2008-40 SDM2008-59 |
Narrow-gap III-V semiconductors, such as InAs, InGaAs/InAlAs... [more] | ED2008-40 SDM2008-59 pp.3-8 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 13:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係 ○前多悠也・金 秀光・谷奥雅俊・渕 真悟・宇治原 徹・竹田美和・山本尚人・真野篤志・中川靖英・山本将博・奥見正治・中西 彊（名大）・坂 貴（大同工大）・堀中博道（阪府大）・加藤俊宏（大同特殊鋼） ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36 |
我々はこれまでにGaAs/GaAsP歪み超格子半導体フォトカソードにより、高輝度・高偏極度スピン偏極電子源の実現に成功し... [more] | ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36 pp.75-80 |
| ED | 2007-06-15 14:25 |
富山 | 富山大学 | InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付 ○滝田隼人・Jeong Yonkil・有田潤哉・鈴木寿一（北陸先端大） ED2007-34 |
分子線エピタキシー法によって成長したInAs トップ層/AlAs 犠牲層/InAs バッファ層/GaAs(001) 格子... [more] | ED2007-34 pp.17-20 |
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