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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 13:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］エキシマレーザアニールによるSi薄膜の結晶化技術 ～ 温故知新になる事を期待して ～ ○栗山博之（高砂熱学）  SDM2023-13 OME2023-13 |
エキシマレーザによるSi薄膜の結晶化技術はスマートフォン等に用いられている低温ポリシリコン（LTPS）液晶ディスプレイの... [more] | SDM2023-13 OME2023-13 pp.48-51 |
| SDM, EID (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2019-12-24 16:00 |
奈良 | 奈良先端大(物質領域 大講義室） | Stable Growth of (100)-Oriented Low Angle Grain Boundary Silicon Thin Films Extending to the length of 3000 μm by a Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization ○Muhammad Arif Razali・Nobuo Sasaki・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST） |
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| OME, SDM (共催) |
2015-04-30 10:40 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長 ○松村 亮（九大/学振）・知北大典・甲斐友樹・佐々木雅也・佐道泰造・池上 浩・宮尾正信（九大） SDM2015-10 OME2015-10 |
次世代フレキシブルエレクトロニクス実現のため、高移動度材料であるGeSnを、安価なプラスチック基板の軟化温度である200... [more] | SDM2015-10 OME2015-10 pp.39-40 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-30 13:25 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | 青色半導体レーザアニール中Si膜の温度分布解析 ○岡田竜弥・神村盛太・野口 隆（琉球大） SDM2015-14 OME2015-14 |
これまでに我々は、青色半導体レーザアニール法(BLDA)を用いることで20－500 nm 厚のa-Si 膜が結晶化可能で... [more] | SDM2015-14 OME2015-14 pp.53-55 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 13:30 |
京都 | 京都大学 | スパッタリングにより形成したHfO2膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT ○目黒達也・原 明人（東北学院大） EID2014-23 SDM2014-118 |
高い電流駆動能力を有する低温（LT）多結晶Si（poly-Si）薄膜トランジスタ（TFT）の実現に向け，連続波レーザラテ... [more] | EID2014-23 SDM2014-118 pp.51-54 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:15 |
京都 | 京都大学 | レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成 ○高尾 透・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2014-26 SDM2014-121 |
フレキシブル・システムオンパネルディスプレイ実現の上で単結晶Geを200℃未満の低温プロセスで非晶質基板上へ作製する技術... [more] | EID2014-26 SDM2014-121 pp.67-71 |
| SDM | 2014-06-19 16:55 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ～ 低融点Snの活用 ～ ○黒澤昌志（名大/学振）・田岡紀之（名大）・池上 浩（九大）・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2014-60 |
積層型 CMOS 回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々は IV 族多元半導体(GeSn, SiS... [more] | SDM2014-60 pp.91-95 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-11 10:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | BLDAを用いた低温プロセスpoly-Si TFT ○下田清治・杉原弘也・井村公彦・岡田竜弥・野口 隆（琉球大） SDM2014-14 OME2014-14 |
低コストでの製造プロセスによるpoly-Si TFTは、ガラス上およびフレキシブルパネルに必要とされている。本研究では、... [more] | SDM2014-14 OME2014-14 pp.59-61 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-11 11:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ブルーマルチレーザダイオードアニールを施したガラス上Si薄膜の光伝導特性 ○コスワッタゲー チャリット ジャヤナダ・知念 怜・杉原弘也・岡田竜弥・野口 隆（琉球大） SDM2014-15 OME2014-15 |
ガラス上のSi膜の機能光センサ応用をめざし、ブルーマルチレーザダイオードアニール（BLDA）を施したSi膜の光伝導性につ... [more] | SDM2014-15 OME2014-15 pp.63-65 |
| SDM | 2013-12-13 11:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | スパッタリングより形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温poly-Si TFT ○目黒達也・原 明人（東北学院大） SDM2013-124 |
高誘電率ゲート絶縁膜は，低温多結晶Si（poly-Si）薄膜トランジスタ（TFT）の性能向上のためのテクノロジ・ブースタ... [more] | SDM2013-124 pp.49-53 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 17:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Crystallization of a-Si Films with Smooth Surface Using Blue-Multi-Laser-Diode-Annealing ○Tatsuya Okada・Jean de Dieu Mugiraneza・Katsuya Shirai・Takuma Nishinohara・Tomoyuki Mukae・Keisuke Yagi・Takashi Noguchi（Univ. Ryukyus） |
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| SDM, OME (共催) |
2012-04-27 15:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長 ○北原邦紀（島根大）・原 明人（東北学院大） SDM2012-5 OME2012-5 |
連続発振レーザ横方向結晶化（CLC）法によりガラス基板上にSiおよびSiGe薄膜のフロー状成長を実現した．CLCは薄膜ト... [more] | SDM2012-5 OME2012-5 pp.21-26 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-27 15:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT ○黒木伸一郎（東北大） SDM2012-6 OME2012-6 |
Gaussianレーザスポットをもつ連続発振レーザラテラル結晶化により平均20×2μm2の粒径をもつpoly-Si薄膜を... [more] | SDM2012-6 OME2012-6 pp.27-32 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-27 16:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化 ○岡田竜弥・ムジラネザ ジャン ドュ デュ・白井克弥・鈴木俊治・野口 隆（琉球大）・松島英紀・橋本隆夫・荻野義明・佐保田英司（日立コンピュータ機器） SDM2012-8 OME2012-8 |
色半導体レーザを用いて、ポリイミド上に形成した薄膜シリコンの結晶化を試みた。レーザ照射によって表面平坦性を保ったまま結晶... [more] | SDM2012-8 OME2012-8 pp.37-39 |
| SDM | 2011-12-16 15:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | レーザー結晶化のプロセスシミュレータの開発 ～ 2次元および3次元シミュレータの開発 ～ ○木村 睦・松木邦晃・斎藤龍輔・塚本周史（龍谷大） SDM2011-143 |
レーザー結晶化のプロセスシミュレータを開発している．核生成確率・結晶成長速度・部分結晶化モデルを組み込んだ，2次元および... [more] | SDM2011-143 pp.59-64 |
| SDM | 2011-07-04 16:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用 ○堀田昌宏（奈良先端大/JST）・山崎浩司・町田絵美（奈良先端大）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2011-68 |
ガラス基板上に形成された2層積層構造シリコン薄膜に対して, グリーンレーザーアニール(GLA)による同時結晶化を行った.... [more] | SDM2011-68 pp.103-108 |
| SDM | 2010-12-17 16:25 |
京都 | 京都大学(桂) | 裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価 ○松江将博・市川和典・赤松 浩（神戸高専）・山崎浩司・堀田昌宏・浦岡行治（奈良先端大） SDM2010-200 |
これまで、a-Si/SiO2/a-Siを積層した基板にグリーンレーザーを照射した場合、2層同時結晶化することを報告し、さ... [more] | SDM2010-200 pp.83-86 |
| SDM | 2010-10-22 11:10 |
宮城 | 東北大学 | 連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価 ○藤井俊太朗・黒木伸一郎・小谷光司（東北大） SDM2010-162 |
連続発振レーザー結晶化によって形成したpoly-Si膜中には引っ張り歪が発生する。面内方向のX線回折測定から、表面側では... [more] | SDM2010-162 pp.41-44 |
| SDM | 2010-10-22 11:40 |
宮城 | 東北大学 | 高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成 ○黒木伸一郎・川崎雄也・藤井俊太朗・小谷光司（東北大）・伊藤隆司（東工大/広島大） SDM2010-163 |
石英基板上にレーザ結晶化により3軸配向性の高いPoly-Si薄膜を形成した。連続発振レーザを用い、ビームスポットを、直線... [more] | SDM2010-163 pp.45-48 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | レーザー、熱アニーリング後のドープSi膜の電気的活性化 野口 隆・○鈴木俊治（琉球大） ED2010-85 SDM2010-86 |
ドープしたアモルファスSi膜に対して、RTA、レーザーアニールを施し有効な結晶化を行った。得られた膜の電気的（４探針法、... [more] | ED2010-85 SDM2010-86 pp.149-153 |
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