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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EST, OPE, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2015-01-29
11:20
大阪 大阪大学 豊中キャンパスΣホール [招待講演]量子井戸とフォトニック結晶に基づく狭帯域・高速熱輻射光源の開発
井上卓也デゾイサ メナカ浅野 卓野田 進京大PN2014-32 OPE2014-157 LQE2014-144 EST2014-86 MWP2014-54
熱輻射光源は様々な波長の光源として広く利用されるが,広帯域な輻射を示すためにパワー利用効率が低く,かつ輻射強度が光源温度... [more] PN2014-32 OPE2014-157 LQE2014-144 EST2014-86 MWP2014-54
pp.29-34
LQE, OCS, OPE
(共催)
2013-10-24
10:00
福岡 門司港・海峡ロマンホール イオン注入法を用いたサブバンド間遷移超高速全光ゲートスイッチの高性能化
秋本良一フェン ジジュン牛頭信一郎物集照夫石川 浩産総研OCS2013-48 OPE2013-94 LQE2013-64
イオン注入による量子井戸混合法を用いて,異なるバンドギャップもつInGaAs/AlAsSb量子井戸光導波路を接続したマイ... [more] OCS2013-48 OPE2013-94 LQE2013-64
pp.5-8
PN, EMT, LQE, OPE, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2013-01-25
13:10
大阪 大阪大学吹田キャンパス 電子・光子両状態制御に基づく単峰・狭帯域熱輻射光源の設計
井上卓也浅野 卓デゾイサ メナカオスクーイ アドバン野田 進京大PN2012-58 OPE2012-167 LQE2012-159 EST2012-94 MWP2012-76
狭帯域に発光する熱輻射光源は,高効率赤外光源や熱光起電力発電等への応用が期待される.本研究では,量子井戸(QWs)のサブ... [more] PN2012-58 OPE2012-167 LQE2012-159 EST2012-94 MWP2012-76
pp.201-206
ED 2011-12-15
13:00
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 [招待講演]テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望
平山秀樹寺嶋 亘林 宗澤理研ED2011-113
テラヘルツ量子カスケードレーザ(THz-QCL)は、小型・高効率、長寿命、狭線幅、連続出力、安価なテラヘルツレーザ光源と... [more] ED2011-113
pp.75-78
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
15:30
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察
寺嶋 亘平山秀樹理研ED2011-99 CPM2011-148 LQE2011-122
我々はテラヘルツ帯量子カスケードレーザ(THz-QCL)における未踏周波数領域5-12 THz帯の開拓と動作温度の高温化... [more] ED2011-99 CPM2011-148 LQE2011-122
pp.131-134
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-01-28
10:15
大阪 大阪大学 InGaAs/AlAsSb量子井戸サブバンド間遷移を用いた位相変調導波路の反射型動作と全光信号処理
秋本良一コン グァンウェイ牛頭信一郎物集照夫石川 浩産総研PN2010-43 OPE2010-156 LQE2010-141
半導体量子井戸のサブバンド間遷移を利用した位相変調導波路において,信号光を端面で反射させる配置での位相変調効率の検討を行... [more] PN2010-43 OPE2010-156 LQE2010-141
pp.99-102
OPE, EMD, CPM, LQE
(共催)
2009-08-21
09:00
宮城 東北大学 半導体量子井戸型素子を可飽和吸収体として用いた受動モード同期フェムト秒ファイバソリトンレーザ
正田史生中沢正隆東北大)・秋本良一石川 浩産総研EMD2009-44 CPM2009-68 OPE2009-92 LQE2009-51
半導体量子井戸中のサブバンド間遷移(Intersubband transition : ISBT)は、ある一定以上のTM... [more] EMD2009-44 CPM2009-68 OPE2009-92 LQE2009-51
pp.93-96
OCS, LQE, OPE
(共催)
2008-10-24
10:10
福岡 九州大学 SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収
飯塚紀夫東芝)・清水俊匡東大)・吉田春彦真名垣暢人東芝)・ソダーバンル ハッサネット杉山正和中野義昭東大OCS2008-69 OPE2008-112 LQE2008-81
GaN/AlNサブバンド間遷移スイッチへの応用を目的として、AlNを下部クラッド層、GaNをコア層とし中央に量子井戸層を... [more] OCS2008-69 OPE2008-112 LQE2008-81
pp.113-116
OPE, LQE
(共催)
2008-06-27
10:35
東京 機械振興会館 InGaAs/InAlAs/AlAsSb結合量子井戸サブバンド間遷移を用いた超高速全光型スイッチの開発
永瀬成範秋本良一Cong Guangwei下山峰史物集照夫挾間壽文石川 浩産総研OPE2008-20 LQE2008-21
InAlAs中央バリアを用いたInGaAs/AlAsSb結合量子井戸において、全光型位相変調(XPM)が増大した。これよ... [more] OPE2008-20 LQE2008-21
pp.11-16
LQE 2007-05-25
11:35
富山 金沢大学角間キャンパス 超高速サブバンド間遷移光スイッチの低エネルギー動作化
秋本良一Cong Guangwei秋田一路挾間寿文石川 浩産総研LQE2007-6
半導体量子井戸中のサブバンド間遷移は、サブバンド間のキャリアの緩和時間がサブピコ秒~数ピコ秒と短いため1Tbits/s級... [more] LQE2007-6
pp.27-30
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
10:20
京都 京都大学 Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製
内田裕行上智大)・菊池昭彦岸野克巳上智大/JST
GaN/AlN多重量子構造によるサブバンド間遷移(Intersubbabnd transition:ISBT)はフェムト... [more] ED2006-163 CPM2006-100 LQE2006-67
pp.63-67
PN, OPE, OFT, LQE
(共催)
2005-01-28
10:00
大阪 大阪大学 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション
鈴木信夫飯塚紀夫金子 桂東芝
不均一スペクトル拡がりや2次元モード分布等の影響も考慮したGaN系サブバンド間遷移光スイッチのシミュレータを開発し,実験... [more] PN2004-98 OFT2004-104 OPE2004-205 LQE2004-152
pp.1-6
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