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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| WPT, EMCJ, EMD (併催) |
2023-07-21 14:10 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
密着したAl/Cu薄板の電磁圧接が無衝突でできる理由 ○相沢友勝（都立工業高専）  EMD2023-10 |
密着したAl/Cu薄板を無衝突で電磁圧接した実験結果はすでに報告されている．ここでは，無衝突で圧接できる理由を詳しく説明... [more] | EMD2023-10 pp.1-6 |
| SDM | 2023-06-26 11:30 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | 自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価 ○奥平 諒（関西学院大）・川那子高暢（東工大）・細井卓治（関西学院大） SDM2023-29 |
オクタデシルホスホン酸（ODPA: octadecylphosphonic acid）の自己組織化単分子膜（SAM: s... [more] | SDM2023-29 pp.7-10 |
| SDM | 2022-06-21 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 ○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大） SDM2022-24 |
4H-SiCパワーMOSFETのオン状態における可動自由電子比率向上およびクーロン散乱抑制において，界面準位密度（Dit... [more] | SDM2022-24 pp.1-4 |
| SDM | 2021-11-12 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化 ○小林拓真（京大/東工大）・奥田貴史・立木馨大・伊藤滉二（京大）・松下雄一郎（東工大）・木本恒暢（京大） SDM2021-60 |
SiC MOSFETは電力変換用のパワーデバイスとして有望である。しかしSiC/SiO$_2$界面の高密度欠陥に起因した... [more] | SDM2021-60 pp.38-42 |
| SDM | 2021-06-22 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ［記念講演］Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ～ MOS（MFS）界面で起こる現象 ～ ○トープラサートポン カシディット・李 宗恩・林 早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-23 |
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] | SDM2021-23 pp.7-12 |
| SDM | 2018-06-25 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 ○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2018-18 |
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] | SDM2018-18 pp.11-14 |
| SDM | 2018-06-25 15:35 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果 ○土井拓馬（名大）・竹内和歌奈（愛知工大）・坂下満男（名大）・田岡紀之（産総研）・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2018-23 |
SiCを用いたパワーMOSFETの省電力化には、絶縁膜/SiC界面の界面準位密度の低減が必須である。本研究では、現在主流... [more] | SDM2018-23 pp.33-36 |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 17:05 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング ○渡邉時暢（富山大）・堀 匡寛・小野行徳（静岡大） ED2017-115 SDM2017-115 |
0.3－300Kの温度範囲においてSOI基板上に作製したゲート付p-i-nダイオードにチャージポンピング法を応用し，10... [more] | ED2017-115 SDM2017-115 pp.51-56 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 09:55 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 ○大澤一斗・野口真司・祢津誠晃・木瀬信和・宮本恭幸（東工大） ED2016-103 MW2016-179 |
高い電子移動度を持つIII-V族化合物半導体が将来のnMOSFETのチャネル材料として期待されている。その実現のためには... [more] | ED2016-103 MW2016-179 pp.35-40 |
| SDM | 2016-11-11 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析 ～ 原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して ～ ○土屋敏章（島根大） SDM2016-86 |
チャージポンピング(CP)法で，単一のMOS界面トラップを個別に検出して評価する究極的な手法を用いて，全く新しい視点でト... [more] | SDM2016-86 pp.43-47 |
| SDM | 2016-06-29 13:30 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス ○角嶋邦之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大） SDM2016-38 |
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] | SDM2016-38 pp.33-36 |
| ED, SDM (共催) |
2016-03-03 16:20 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング ○渡辺時暢・堀 匡寛・小野行徳（富山大） ED2015-125 SDM2015-132 |
SOI基板上に作製したゲート付PINダイオードのチャージポンピング電流を7-300Kの温度範囲で測定し，100K以下の温... [more] | ED2015-125 SDM2015-132 pp.23-26 |
| CPM | 2015-08-11 11:20 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | Radical-Enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価 ○成田英史（弘前大）・山田大地・福田幸夫（諏訪東京理科大）・鹿糠洋介・岡本 浩（弘前大） CPM2015-44 |
次世代のC-MOSデバイスの候補としてGe-MIS構造が注目されているが、界面の品質向上が課題とされている。われわれはこ... [more] | CPM2015-44 pp.67-70 |
| SDM | 2015-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 ○谷田部然治・橋詰 保（北大） SDM2015-38 |
ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった．評価には室... [more] | SDM2015-38 pp.1-4 |
| SDM | 2015-06-19 10:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 ○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） SDM2015-40 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) とAl2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) 構造の界面準位密度... [more] | SDM2015-40 pp.11-16 |
| SDM | 2015-06-19 11:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 ○竹内和歌奈（名大）・山本建策（デンソー）・坂下満男（名大）・金村髙司（デンソー）・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-43 |
SiO2/4H-SiC界面特性に対するNOガス雰囲気熱処理の効果を調べた。NOガス雰囲気熱処理MOSキャパシタ試料の電気... [more] | SDM2015-43 pp.27-30 |
| SDM | 2015-06-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 ○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大） SDM2015-45 |
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] | SDM2015-45 pp.37-40 |
| SDM | 2014-06-19 10:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性：第一原理計算による検討 ○佐々木奨悟・中山隆史（千葉大） SDM2014-46 |
GeはSiより空孔欠陥の多い半導体として知られている。特に金属界面近傍の空孔は界面の電子物性を支配する鍵となるが、その密... [more] | SDM2014-46 pp.17-20 |
| SDM | 2013-12-13 17:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | コンダクタンス法を用いた面方位の異なるSiC MOS構造の界面準位の評価 ○中澤成哉・南園悠一郎・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2013-133 |
4H-SiC (0001) MOS界面には応答速度の著しく異なる2種類の界面準位が存在することが確認されている. 本研究... [more] | SDM2013-133 pp.101-105 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 15:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 ○千葉勝仁・中野拓真・赤澤正道（北大） ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121 |
原子層堆積（ALD）によるAl2O3層を有するInAlN MOS構造について、その電気的特性に対する作製プロセスの影響を... [more] | ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121 pp.101-105 |
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