お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 106件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
NC, MBE
(併催)
2023-11-27
10:00
大阪 近畿大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
安静時の脳波活動を用いた視覚情報の読み出し精度の向上
中山 凜森 理也津山高専NC2023-32
安静時の脳活動に含まれる特徴量を用い,視覚刺激時の脳活動からの視覚情報のデコーディング能力の向上を試みた.安静時と視覚刺... [more] NC2023-32
pp.1-4
SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID
(連催) [詳細]
2023-08-04
14:20
ONLINE オンライン開催 (Zoom) [招待講演]超低電圧で発光する有機EL素子の開発
伊澤誠一郎東工大
有機ELの駆動電圧を低減することは省エネルギー化のために必須の課題である。本研究では、界面近傍での三重項消滅による励起状... [more]
WPT, EMCJ, EMD
(併催)
2023-07-21
14:10
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
密着したAl/Cu薄板の電磁圧接が無衝突でできる理由
相沢友勝都立工業高専EMD2023-10
密着したAl/Cu薄板を無衝突で電磁圧接した実験結果はすでに報告されている.ここでは,無衝突で圧接できる理由を詳しく説明... [more] EMD2023-10
pp.1-6
SDM 2023-06-26
11:30
広島 広島大学 ナノデバイス研究所 自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価
奥平 諒関西学院大)・川那子高暢東工大)・細井卓治関西学院大SDM2023-29
オクタデシルホスホン酸(ODPA: octadecylphosphonic acid)の自己組織化単分子膜(SAM: s... [more] SDM2023-29
pp.7-10
SDM 2022-06-21
13:00
愛知 名古屋大学 VBL3F [招待講演]酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性
柴山茂久土井拓馬坂下満男田岡紀之名大)・清水三聡産総研)・中塚 理名大SDM2022-24
4H-SiCパワーMOSFETのオン状態における可動自由電子比率向上およびクーロン散乱抑制において,界面準位密度(Dit... [more] SDM2022-24
pp.1-4
HCS, HIP
(共催)
HI-SIGCOASTER
(連催) [詳細]
2022-05-16
10:00
沖縄 沖縄産業支援センター
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
オブジェクトベースの視覚的注意に基づく情報入力システム
呂 雨虹久方瑠美金子寛彦東工大HCS2022-25 HIP2022-25
ALS(筋萎縮性側索硬化症)患者など四肢を動かすことが困難な患者のための簡易なコミュニケーションツールが必要とされている... [more] HCS2022-25 HIP2022-25
pp.124-127
MBE, NC
(併催)
2022-03-04
14:45
ONLINE オンライン開催 個人間校正と敵対的ドメイン適応を用いた脳波分類モデルの共通特徴量の抽出
白石達寛奈良先端大)・ラインマ コブラー川鍋一晃ATRNC2021-75
脳波は非定常信号であり個人差が大きいため、古典的な機械学習による脳波分類モデルでは高い精度を達成することが難しい。より良... [more] NC2021-75
pp.149-154
OME 2022-02-18
14:30
大分 J:COMホルトホール大分
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
表面科学の手法を用いたバイオマテリアル近傍の水の解析
林 智広東工大OME2021-59
水中で役割を果たすバイオマテリアルの機能発現のメカニズムを探るにはバイオマテリアル近傍の分子の振る舞いの理解が必要不可欠... [more] OME2021-59
pp.7-10
NC, MBE
(併催)
2021-11-26
13:55
ONLINE オンライン開催 色反転実写画像による定常状態視覚誘発電位を用いたインタフェースの検討
松永顕二堀 潤一新潟大MBE2021-27
本研究では,実写画像の色反転による視覚刺激を用いた定常状態視覚誘発電位(Steady-State Visual Evok... [more] MBE2021-27
pp.5-8
SDM 2021-11-12
09:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化
小林拓真京大/東工大)・奥田貴史立木馨大伊藤滉二京大)・松下雄一郎東工大)・木本恒暢京大SDM2021-60
SiC MOSFETは電力変換用のパワーデバイスとして有望である。しかしSiC/SiO$_2$界面の高密度欠陥に起因した... [more] SDM2021-60
pp.38-42
SDM 2021-06-22
13:50
ONLINE オンライン開催 [記念講演]Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ~ MOS(MFS)界面で起こる現象 ~
トープラサートポン カシディット李 宗恩林 早阳田原建人渡辺耕坪竹中 充高木信一東大SDM2021-23
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] SDM2021-23
pp.7-12
MW, ED
(共催)
2021-01-29
13:00
ONLINE オンライン開催 HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価
越智亮太北大)・前田瑛里香芝浦工大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀物質・材料研究機構)・塩﨑宏司名大)・橋詰 保北大/名大ED2020-31 MW2020-84
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] ED2020-31 MW2020-84
pp.22-25
HIP, HCS
(共催)
HI-SIGCOASTER
(連催) [詳細]
2020-05-14
15:50
ONLINE オンライン開催 感情誘導に向けた音楽生成及び脳波からの感情推定の検討
宮本佳奈田中宏季中村 哲奈良先端大HCS2020-9 HIP2020-9
音楽を用いた感情誘導に関する研究は行われているが,感情の誘発程度には個人差がある.そこで我々は,脳波から推定したユーザの... [more] HCS2020-9 HIP2020-9
pp.41-45
SDM 2018-11-09
10:20
東京 機械振興会館 [招待講演]4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング
田中 一森 伸也阪大SDM2018-71
4H-SiC MOS界面における電子散乱過程を定式化し,モンテカルロシミュレーションにより電子移動度の計算を行った.フォ... [more] SDM2018-71
pp.35-40
SDM 2018-10-18
13:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセン/SiO2界面特性向上に関する検討
前田康貴朴 鏡恩小松勇貴大見俊一郎東工大SDM2018-60
これまで我々は、窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセンデバイスの特性向上に関する検討を行い、デバイス特性の向上に窒素... [more] SDM2018-60
pp.41-45
SDM 2018-06-25
11:40
愛知 名古屋大学 VBL3F 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御
細井卓治山田高寛野崎幹人阪大)・高橋言諸山田 永清水三聡産総研)・吉越章隆原子力機構)・志村考功渡部平司阪大SDM2018-18
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] SDM2018-18
pp.11-14
SDM 2018-06-25
13:30
愛知 名古屋大学 VBL3F [依頼講演]反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ~ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ~
松本 翼金沢大)・加藤宙光牧野俊晴小倉政彦竹内大輔産総研)・猪熊孝夫金沢大)・山崎 聡産総研)・徳田規夫金沢大SDM2018-20
ダイヤモンド半導体においても、ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では、Si... [more] SDM2018-20
pp.19-22
SDM 2018-06-25
15:35
愛知 名古屋大学 VBL3F 酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果
土井拓馬名大)・竹内和歌奈愛知工大)・坂下満男名大)・田岡紀之産総研)・中塚 理財満鎭明名大SDM2018-23
SiCを用いたパワーMOSFETの省電力化には、絶縁膜/SiC界面の界面準位密度の低減が必須である。本研究では、現在主流... [more] SDM2018-23
pp.33-36
SDM, OME
(共催)
2018-04-07
14:15
沖縄 沖縄県青年会館 InGaZnOX/AgOX酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用
曲 勇作牧野久雄橋本慎輔濵田賢一朗増田健太郎古田 守高知工科大SDM2018-8 OME2018-8
In–Ga–Zn–O (IGZO)と酸化銀(AgOX)の酸化物ヘテロ接合は一般的な金属-酸化物半導体接合より良好なSch... [more] SDM2018-8 OME2018-8
pp.33-36
MBE, NC
(併催)
2018-03-13
14:40
東京 機械振興会館 複合現実とブレイン-コンピュータ・インターフェイスを用いたゲーム開発
後藤滉二郎堀江亮太芝浦工大MBE2017-96
本研究では,仮想的な情報と現実空間の情報を組み合わせることのできる複合現実(Mixed Reality,MR)型デバイス... [more] MBE2017-96
pp.83-86
 106件中 1~20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会