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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2024-01-16 14:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 自己組織化単分子膜を利用した金属酸化物抵抗変化型メモリの抵抗変化挙動の制御 ○中野正浩・松井裕輝・Md. Shahiduzzaman・當摩哲也・辛川 誠（金沢大）  OME2023-80 |
[more] | OME2023-80 pp.13-17 |
| MBE | 2022-07-23 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 脚部運動関連脳電位時空間解析による左右判別の検討 ○佐藤智孝・堀 潤一（新潟大） MBE2022-13 |
重度肢体不自由者のコミュニケーションの手段としてブレインコンピュータインタフェース（BCI）が研究されている．本研究では... [more] | MBE2022-13 pp.6-8 |
| MBE, IEE-MBE (連催) |
2022-06-17 13:55 |
ONLINE | オンライン開催 | 視覚的イメージ想起による脳波の変化を用いたブレインマシンインタフェースの開発 ○村田 航・堀 潤一（新潟大） MBE2022-7 |
末期ALS患者などの唯一の残存機能である脳活動を用いたブレインマシンインタフェース (BMI)が注目されている．本研究で... [more] | MBE2022-7 pp.2-4 |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| NC, MBE (併催) |
2010-03-09 15:25 |
東京 | 玉川大学 | EEG信号源推定のための頭部ボクセルモデル作成 ～ EM法を用いたMRIノイズ閾値の自動決定 ～ ○笹山瑛由（京大/学振）・飯田智陽・笈田武範・濱田昌司・小林哲生（京大） NC2009-98 |
EEG信号源推定に際し被験者固有の実頭部モデルを使用してリードフィールド行列の数値計算を行うことで，推定の信頼性向上が期... [more] | NC2009-98 pp.61-66 |
| SDM | 2009-06-19 15:40 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 ○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛（東芝） SDM2009-39 |
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] | SDM2009-39 pp.71-76 |
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