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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MBE, NLP, MICT (共催) NC (併催) [詳細] |
2024-01-25 14:10 |
徳島 | 鳴門教育大学 | 運動想起時における脳波の特徴抽出に基づく手の開閉動作の識別 ○庄司怜雄・王 建青（名工大）  NLP2023-111 MICT2023-66 MBE2023-57 |
脳波に基づくウェアラブルロボットの制御は，腕を欠損した患者が使用する筋電義手だけでなく，欠損がない人の身体機能拡張にも期... [more] | NLP2023-111 MICT2023-66 MBE2023-57 pp.127-132 |
| EMCJ | 2023-01-27 09:20 |
岡山 | WASHU BLUE RESORT 風籠かさご （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
脳波の特徴抽出に基づく手の握り運動の識別 ○庄司怜雄・王 建青（名工大） EMCJ2022-73 |
脳波に基づくウェアラブルロボットの制御は，腕を欠損した患者の筋電義手の使用だけでなく，欠損がない人の身体機能拡張にも期待... [more] | EMCJ2022-73 pp.6-11 |
| SDM | 2021-11-12 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化 ○小林拓真（京大/東工大）・奥田貴史・立木馨大・伊藤滉二（京大）・松下雄一郎（東工大）・木本恒暢（京大） SDM2021-60 |
SiC MOSFETは電力変換用のパワーデバイスとして有望である。しかしSiC/SiO$_2$界面の高密度欠陥に起因した... [more] | SDM2021-60 pp.38-42 |
| SDM | 2018-11-09 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング ○田中 一・森 伸也（阪大） SDM2018-71 |
4H-SiC MOS界面における電子散乱過程を定式化し，モンテカルロシミュレーションにより電子移動度の計算を行った．フォ... [more] | SDM2018-71 pp.35-40 |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 17:05 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング ○渡邉時暢（富山大）・堀 匡寛・小野行徳（静岡大） ED2017-115 SDM2017-115 |
0.3－300Kの温度範囲においてSOI基板上に作製したゲート付p-i-nダイオードにチャージポンピング法を応用し，10... [more] | ED2017-115 SDM2017-115 pp.51-56 |
| ED, SDM (共催) |
2017-02-24 10:25 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング 渡辺時暢（静岡大/富山大）・堀 匡寛・○小野行徳（静岡大） ED2016-131 SDM2016-148 |
チャージポンピング(CP)中の過渡電流をモニターする実時間CPをゲート付きsilicon-on-insulator(SO... [more] | ED2016-131 SDM2016-148 pp.7-12 |
| ED, SDM (共催) |
2016-03-03 16:20 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング ○渡辺時暢・堀 匡寛・小野行徳（富山大） ED2015-125 SDM2015-132 |
SOI基板上に作製したゲート付PINダイオードのチャージポンピング電流を7-300Kの温度範囲で測定し，100K以下の温... [more] | ED2015-125 SDM2015-132 pp.23-26 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:30 |
京都 | 京都大学 | シングルパルスId-Vgs測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価 ○磯野弘典（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大） EID2014-34 SDM2014-129 |
シリコンカーバイド(SiC)-MOSFETは，多量の界面準位(Dit)によるしきい値電圧(Vth)の変動や，低いチャネル... [more] | EID2014-34 SDM2014-129 pp.109-113 |
| SDM | 2014-06-19 10:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性：第一原理計算による検討 ○佐々木奨悟・中山隆史（千葉大） SDM2014-46 |
GeはSiより空孔欠陥の多い半導体として知られている。特に金属界面近傍の空孔は界面の電子物性を支配する鍵となるが、その密... [more] | SDM2014-46 pp.17-20 |
| SDM | 2013-06-18 17:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価 ○梅田享英（筑波大）・岡本光央・小杉亮治（産総研）・荒井 亮・佐藤嘉洋（筑波大）・原田信介・奥村 元（産総研）・牧野高紘・大島 武（原子力機構） SDM2013-64 |
4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）はノーマリーオフ，高パワー密度，超低損失のパワーデバイスとして... [more] | SDM2013-64 pp.101-105 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices ○Takuji Hosoi・Takashi Kirino・Yusuke Uenishi・Daisuke Ikeguchi・Atthawut Chanthaphan（Osaka Univ.）・Akitaka Yoshigoe・Yuden Teraoka（JAEA）・Shuhei Mitani・Yuki Nakano・Takashi Nakamura（ROHM）・Takayoshi Shimura・Heiji Watanabe（Osaka Univ.） |
[more] | |
| CPM | 2011-10-27 09:55 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | TEOSを原料とするCVD法によるSiO2/SiC MOS構造の作製 ○逸見充則・井口裕哉・酒井崇史・杉田暁彦・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2011-119 |
TEOSを使用した熱CVD法により、SiC表面に酸化膜を堆積させた。酸化膜堆積後、N$_2$雰囲気中でアニールを行い、さ... [more] | CPM2011-119 pp.51-54 |
| SDM | 2011-07-04 11:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure ○Kusuman Dari・Wakana Takeuchi・Kimihiko Kato・Shigehisa Shibayama・Mitsuo Sakashita・Osamu Nakatsuka・Shigeaki Zaima（Nagoya Univ.） SDM2011-57 |
We have investigated the effect of light induced damages on ... [more] | SDM2011-57 pp.41-46 |
| SDM | 2011-07-04 13:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御 ○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2011-60 |
プラセオジム（Pr）酸化膜/GeおよびPr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造において化学結合状態および電気的特性を評価し，P... [more] | SDM2011-60 pp.57-62 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface ○Xiang Li・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2010-93 SDM2010-94 |
A low temperature atomically flattening technology for Si(10... [more] | ED2010-93 SDM2010-94 pp.183-188 |
| SDM | 2009-11-13 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション ○鈴木 研・伊藤雄太・井上達也・三浦英生（東北大）・吉川英樹・小林啓介（物質・材料研究機構）・寒川誠二（東北大） SDM2009-149 |
原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し，High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点... [more] | SDM2009-149 pp.79-84 |
| SDM | 2009-06-19 11:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | GeMIS界面欠陥の電気的性質 ○田岡紀之・水林 亘・森田行則・右田真司・太田裕之（半導体MIRAIプロジェクト）・高木信一（半導体MIRAIプロジェクト/東大） SDM2009-30 |
Ge MIS界面の電気的特性の理解は、少数キャリアの複雑な応答のため非常に困難である。そこで、本報告では、少数キャリアと... [more] | SDM2009-30 pp.21-26 |
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