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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MWPTHz, EST, MW, EMT, OPE (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2022-07-19 13:00 |
北海道 | 旭川市民文化会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
腕部への一様磁界ばく露による体内誘導電界の推定 ○岡田真伯・平田晃正（名工大）  EMT2022-13 MW2022-37 OPE2022-16 EST2022-14 MWPTHz2022-11 |
10 MHz以下の周波数での電磁界ばく露による生体影響は，刺激効果が支配的である．電磁界の生体影響を防護するための国際ガ... [more] | EMT2022-13 MW2022-37 OPE2022-16 EST2022-14 MWPTHz2022-11 pp.28-33 |
| EMT, MW, OPE, EST, MWP (共催) THz, IEE-EMT (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2020-07-16 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 中間周波数帯接触電流による体内誘導量の数値解析 ○村川太希・ディアオ インリィアン・ラシド イサム・田中由浩（名工大）・北村 新・上原信太郎・大高洋平（藤田医科大）・平田晃正（名工大） EMT2020-11 MW2020-20 OPE2020-6 EST2020-11 MWP2020-11 |
電磁界ばく露により異なる電位ポテンシャルを持つ金属に人体が接触するとき，接触電流が生じ，体内に誘導された電界により生体影... [more] | EMT2020-11 MW2020-20 OPE2020-6 EST2020-11 MWP2020-11 pp.27-32 |
| EMCJ | 2019-01-18 13:15 |
大阪 | 大阪大学 | 低周波および中間周波帯における外部磁界強度と体内誘導電界の関係 ○阿河克明・平田晃正（名工大） EMCJ2018-103 |
電磁界からの人間防護のための国際規格であるIEEE C95.1（無線周波数），C95.6（低周波），およびICNIRP(... [more] | EMCJ2018-103 pp.19-24 |
| EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN (共催) PEM, IEE-EMT (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2018-01-25 16:30 |
兵庫 | 姫路西はりま地場産業センター | 詳細人体モデルを用いた一様磁界ばく露におけるIEEE規格の再検討 ○阿河克明・中西優大・平田晃正（名工大） PN2017-66 EMT2017-103 OPE2017-144 LQE2017-126 EST2017-102 MWP2017-79 |
我々は日常的に電気機器や送電線から発生する電磁界にさらされており，環境電磁界の影響を防護するために，ICNIRPやIEE... [more] | PN2017-66 EMT2017-103 OPE2017-144 LQE2017-126 EST2017-102 MWP2017-79 pp.155-160 |
| EMCJ, WPT (併催) |
2015-01-22 16:40 |
沖縄 | 沖縄県市町村自治会館 | 6MHz帯無線電力伝送に対する適合性評価法の一検討 ○春原 哲・平田晃正（名工大）・大西輝夫（NTTドコモ） EMCJ2014-91 |
近年，無線電力伝送の実用化に向けた動向に注目が集まる一方で，システムから漏洩する電磁界の適合性評価に関心が寄せられている... [more] | EMCJ2014-91 pp.35-38 |
| EMCJ | 2011-07-14 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 中間周波数帯接触電流に対する電磁ドシメトリにおける数値誤差評価 ○服部潤哉・平田晃正（名工大） EMCJ2011-56 |
電磁界ばく露により異なる電位ポテンシャルを持つ導電性物体と人体が接触するとき，接触電流が生じる．極低周波から中間周波数の... [more] | EMCJ2011-56 pp.71-74 |
| OPE, OME (共催) |
2009-11-13 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | 有機導体TTF-TCNQの電界配向成長その場観察と成長制御 ○浦部裕亮・多田喜宏・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩（千葉大） OME2009-53 OPE2009-148 |
テトラチアフルバレン（TTF）とテトラシアノキノジメタン（TCNQ）を電界中で共蒸着し、TTF-TCNQワイヤの成長を大... [more] | OME2009-53 OPE2009-148 pp.1-5 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET ○黒田正行・村田智洋・中澤敏志・瀧澤俊幸・西嶋将明・柳原 学・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2008-220 MW2008-185 |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、高周波高出力トランジスタとして有望である。AlGaN... [more] | ED2008-220 MW2008-185 pp.125-128 |
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