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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-01 16:10 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温特性改善 ○下方駿佑（慶大/産総研）・岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・加藤公彦・森 貴洋（産総研）  SDM2023-41 ICD2023-20 |
大規模量子コンピュータの実現に向けて，量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている．近年の研... [more] | SDM2023-41 ICD2023-20 pp.28-31 |
| OFT | 2021-10-14 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［ポスター講演］歪ダイナミックレンジの制限を受けない高速BOCDRの実装と信号対雑音比の向上 ○岸澤知也・佐野元基（横浜国大）・野田康平（東工大/横浜国大）・李 ひよん（芝浦工大）・中村健太郎（東工大）・水野洋輔（横浜国大） OFT2021-21 |
光ファイバセンサは、取り回しがいいことや分布測定が可能なことから、インフラの健全性診断を行う手法の一つとして、世界中で精... [more] | OFT2021-21 pp.1-4 |
| OFT | 2021-10-14 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［ポスター講演］ラマン散乱に基づく高速温度計測のための最適観測周波数の解明 ○中澤克一郎（横浜国大）・野田康平（東工大/横浜国大）・李 ひよん（芝浦工大）・中村健太郎（東工大）・水野洋輔（横浜国大） OFT2021-22 |
現在、電気センサに替わり、さまざまな光ファイバセンサの研究開発が進んでいる。ここでは、一箇所の歪を測定するための光ファイ... [more] | OFT2021-22 pp.5-8 |
| SDM | 2021-06-22 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | ［依頼講演］シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発 ○森 貴洋（産総研） SDM2021-25 |
従来型コンピュータでは有限時間内に解を得られない大規模かつ高度に複雑な演算を実現するものとして、昨今量子コンピュータが高... [more] | SDM2021-25 p.16 |
| PN | 2021-03-01 16:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ブリルアン散乱に基づく分布型光ファイバセンサの高性能化 ○水野洋輔（横浜国大）・野田康平（東工大/横浜国大）・李 ひよん（芝浦工大）・中村健太郎（東工大） PN2020-47 |
光ファイバに沿った任意の位置で歪や温度を測定できるセンサを「分布型光ファイバセンサ」と呼ぶ。ビルの内壁やトンネル、ダム、... [more] | PN2020-47 pp.30-37 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価 ○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰 保（北大/名大） ED2020-31 MW2020-84 |
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] | ED2020-31 MW2020-84 pp.22-25 |
| SDM | 2017-10-25 16:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大） SDM2017-54 |
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは、下層材料や堆積温度によりグレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] | SDM2017-54 pp.25-30 |
| SCE | 2016-08-08 11:20 |
埼玉 | 埼玉大(大宮ソニックシティ） | 高温超伝導体を用いた放射線検出器アレイの開発 ○久保田立記・成瀬雅人・田井野 徹・明連広昭（埼玉大） SCE2016-14 |
放射性物質の生体半減期を調べることができるような、高位置分解能かつ広検出面積を有する放射線検出器の開発を行っている。検出... [more] | SCE2016-14 pp.13-17 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-01 10:00 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 高速起動を特徴とした間欠動作型VLSIシステム用32-MHzオンチップクロック源回路 ○浅野大樹・廣瀬哲也・三好太朗・椿 啓志・尾崎年洋・黒木修隆・沼 昌宏（神戸大） SDM2016-49 ICD2016-17 |
本稿では，高速起動を特徴とした間欠動作型VLSIシステム用32-MHzオンチップクロック源回路を提案する．提案回路は，従... [more] | SDM2016-49 ICD2016-17 pp.3-8 |
| LQE | 2015-12-18 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Realization and Applications of Mass-Productive Quantum Dot Lasers ○Kenichi Nishi（Univ.Tokyo）・Keizo Takemasa・Mitsuru Sugawara（QDLaser）・Yasuhiko Arakawa（Univ.Tokyo） LQE2015-130 |
The improvements in self-assembled InAs quantum dots (QDs) h... [more] | LQE2015-130 pp.31-35 |
| SDM | 2015-10-30 13:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・大見俊一郎（東工大） SDM2015-80 |
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは下層材料や堆積温度により、グレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] | SDM2015-80 pp.49-52 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 16:40 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作 ○中尾 亮・荒井昌和・小林 亘・山本 剛・松尾慎治（NTT） OPE2014-150 LQE2014-137 |
メタモルフィック成長技術は，半導体デバイス作製における格子整合の制約を解放し，通信波長帯レーザの高性能化や光電子集積など... [more] | OPE2014-150 LQE2014-137 pp.59-64 |
| OFT | 2013-05-23 16:45 |
沖縄 | まりんぴあ宮古 | 既存遠隔収容装置への光配線追加方法の検討 ○佐藤教之（NTT） OFT2013-7 |
屋外で運用されている小型の電話加入者遠隔収容装置(RSBM-F)に新たな装置を搭載するにあたり，装置内光ケーブルを増設す... [more] | OFT2013-7 pp.29-32 |
| SDM | 2012-11-15 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 ～ 低抵抗，高耐熱によるシステムの小型化 ～ ○中村 孝・明田正俊・中野佑紀・大塚拓一・花田俊雄（ローム） SDM2012-100 |
超低抵抗SiCトレンチMOSFETを高耐圧モジュールに応用し，超小型・高効率モジュールを実現． [more] | SDM2012-100 pp.9-10 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価 ○畑野舞子・山崎 潤（福井大）・矢船憲成（シャープ）・徳田博邦（福井大）・山本喜之・橋本 信・秋田勝史（住友電工）・葛原正明（福井大） ED2011-135 MW2011-158 |
自立AlN基板上に作製したAlGaNチャネルHEMTの室温から300度までの電子輸送特性の温度依存性を評価した。温度上昇... [more] | ED2011-135 MW2011-158 pp.91-95 |
| LQE | 2011-12-16 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | 高温（220℃）における1300 nm帯量子ドットレーザの連続発振 ○影山健生（QDレーザ）・西 研一（QDレーザ/東大）・山口正臣（富士通研）・持田励雄（QDレーザ/東大）・前多泰成・武政敬三（QDレーザ）・田中 有（富士通研）・山本剛之（QDレーザ/富士通研/東大）・菅原 充（QDレーザ/東大）・荒川泰彦（東大） LQE2011-126 |
高温環境下での半導体レーザ発振動作は，厳しい条件下（宇宙，地中）でのセンシング等実現のために重要であり、特に波長が長波長... [more] | LQE2011-126 pp.17-20 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2010-10-29 15:55 |
福岡 | 門司港レトロ・港ハウス | High Power Superluminescent Light Emitting Diodes by Using Active Multi-mode Interferometer ○Zhigang Zang・Keisuke Mukai（Kyushu Univ.）・Paolo Navaretti・Marcus Duelk・Christian Velez（EXALOS AG）・Kiichi Hamamoto（Kyushu Univ.） OCS2010-84 OPE2010-120 LQE2010-93 |
[more] | OCS2010-84 OPE2010-120 LQE2010-93 pp.163-168 |
| ED | 2009-10-15 15:05 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部（旧地域共同研究センター） ３階 研修室 | 窒化ハフニウム電界放出電子源の動作特性 ○後藤康仁・池田啓太・宮田雄高・遠藤恵介・辻 博司（京大） ED2009-119 |
窒化ハフニウム(HfN)を陰極とする1,024-tipの微小電子源アレイ(FEA)を製作し、 三極管構成でその電子放出... [more] |
ED2009-119 pp.17-20 |
| MW (ワークショップ) |
2009-08-20 - 2009-08-21 |
海外 | KMUTNB, Bangkok, Thailand | Compact 2.1-/2.7-GHz High Temperature Superconducting Bandpass Filter ○Yuta Takagi・Kei Satoh・Shoichi Narahashi（NTT DOCOMO） |
This paper proposes a compact high temperature superconducti... [more] | |
| EMD | 2008-12-19 14:20 |
東京 | 玉川大学 | SAW Chirp -Z変換のOFDMシステムへ適用 渡邊隆彌・○金籐邦方（ダブルティアイ） EMD2008-108 |
SAW Chirp－Z変換は、OFDM信号への逆フーリエ変換および受信したOFDMの分波のためのフーリエ変換に 兼用で... [more] |
EMD2008-108 pp.11-16 |
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