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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| RCS | 2022-06-17 09:30 |
沖縄 | 琉球大学 千原キャンパス＋オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
OTFS伝送のためのパラメトリック双線形推論に基づく通信路とデータの同時推定に関する一検討 ○古田健悟・伊藤賢太・高橋拓海（阪大）・衣斐信介（同志社大）・三瓶政一（阪大）  RCS2022-56 |
高速移動体通信の環境下では，周波数選択性と時間選択性による二重選択性フェージング通信路により，従来のOFDM (Orth... [more] | RCS2022-56 pp.188-193 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT ○大澤幸希・岩木拓也・遠藤勇輝・平岡瑞穂・岸本尚之・林 拓也（東京理科大）・渡邊一世（NICT/東京理科大）・山下良美・原 紳介・後藤高寛・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2019-83 |
我々は，世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し，これらのHEMTの特性を評価した．我々が以前に作製... [more] | ED2019-83 pp.29-32 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 09:00 |
宮城 | 東北大・通研 | ［招待講演］InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）・三村高志（NICT） ED2018-62 |
我々は，電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系，Sb系及びGaN系HEMTを作製し，これらのHEMTの特性を... [more] | ED2018-62 pp.35-38 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | ［招待講演］アンチモン系トランジスタの開発 ○藤代博記・磯野恭佑・高橋択斗・原田義彬・岡 直希・竹内 淳・藤澤由衣（東京理科大）・藤川紗千恵（東京電機大）・町田龍人（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・遠藤 聡・原 紳介・笠松章史（NICT） ED2017-81 |
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により，InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] | ED2017-81 pp.33-36 |
| RCS, NS (併催) |
2017-12-15 15:10 |
広島 | 広島アステールプラザ | Massive MIMOにおける線形・非線形プリコーディング適用時のエリア内SINRヒートマップによるモビリティ性能評価 ○西本 浩・平 明徳・内田 繁・岡崎彰浩・岡村 敦（三菱電機） RCS2017-267 |
第5世代移動通信方式 (5G) における空間利用の高度化に向けて，Massive MIMO (multiple-inpu... [more] | RCS2017-267 pp.95-100 |
| RCS, SR, SRW (併催) |
2017-03-02 11:40 |
東京 | 東京工業大学 | 5G超高密度分散アンテナシステムにおける大容量化技術の実験的検証 ～ 広帯域マルチユーザMIMO伝送実験における屋外端末移動時の性能検証 ～ ○椎崎耕太郎・秋山千代志（富士通研）・筒井正文・伊達木 隆・関 宏之・箕輪守彦（富士通）・奥山達樹・増野 淳・須山 聡・奥村幸彦（NTTドコモ） RCS2016-312 |
第5世代移動通信システム(5G)では，セルを高密度に配置することにより単位面積あたりの容量を大幅に増大する技術が必要とさ... [more] | RCS2016-312 pp.139-144 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:45 |
京都 | 京大桂キャンパス | プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機） ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 |
GaNは高周波素子だけではなく，高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている．高出力スイッチング素... [more] | ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 pp.31-34 |
| RCS | 2016-06-23 14:25 |
沖縄 | 琉球大学 | 15 GHz帯を用いた5G無線アクセスの屋内環境におけるビームトラッキング特性の実験的評価 ○立石貴一・栗田大輔・原田 篤・岸山祥久（NTTドコモ） RCS2016-69 |
5G無線アクセスネットワークでは，急増するトラフィックに対応するため，大容量化を実現する高周波数帯を導入し，さらにMas... [more] | RCS2016-69 pp.135-140 |
| RCS, IT, SIP (共催) |
2016-01-18 11:50 |
大阪 | 関西学院大学(大阪梅田) | 高速移動環境下におけるシングルキャリア時空間ブロック符号化ダイバーシチの理論解析に関する一検討 ○宮崎寛之・安達文幸（東北大） IT2015-57 SIP2015-71 RCS2015-289 |
以前筆者らは，高速移動環境下におけるシングルキャリア（SC）時空間ブロック符号化（STBC）ダイバーシチに適したロバスト... [more] | IT2015-57 SIP2015-71 RCS2015-289 pp.55-60 |
| SDM | 2015-11-06 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用 ○石田秀俊・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） SDM2015-90 |
従来のSiパワーデバイスと比較して低損失化と高速化が可能となり、DC/DCコンバータをはじめとする電力変換機器の高効率化... [more] | SDM2015-90 pp.35-38 |
| ED | 2015-07-25 10:40 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス ○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤 徹・宮本恭幸（東工大） ED2015-44 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マル... [more] | ED2015-44 pp.39-44 |
| SDM | 2015-06-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2015-51 |
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] | SDM2015-51 pp.69-73 |
| MWP | 2015-05-25 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | 高電子移動度トランジスタを用いたテラヘルツ受信器の高感度化と帯域幅の測定 ○鈴木左文・忽滑谷拓郎・植田裕吾・大塚友絢・浅田雅洋（東工大） MWP2015-1 |
本研究では、高い電流感度の実現を目指し、平面型のボウタイアンテナに短チャネルのHEMTを集積したテラヘルツ受信器を提案し... [more] | MWP2015-1 pp.1-5 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 13:05 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ ○砂村 潤・古武直也・齋藤 忍・成広 充・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-76 ICD2014-45 |
オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術（BEOL-F... [more] | SDM2014-76 ICD2014-45 pp.77-82 |
| SDM | 2014-01-29 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs ○入沢寿史・小田 穣・池田圭司・守山佳彦・三枝栄子・W Jevasuwan・前田辰郎（産総研）・市川 麿・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・宮本恭幸（東工大）・手塚 勉（産総研） SDM2013-137 |
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に... [more] | SDM2013-137 pp.9-12 |
| RCS, SIP (共催) |
2014-01-24 11:10 |
福岡 | 九州大学 | マルチブロックFDEを用いるシングルキャリア時空間符号化時分割複信伝送のための高精度チャネル推定法に関する一検討 ○宮崎寛之・安達文幸（東北大） SIP2013-118 RCS2013-288 |
これまでに我々は，周波数領域時空間符号化（FD-STBC）を用いるシングルキャリア（SC）時分割複信（TDD）伝送のため... [more] | SIP2013-118 RCS2013-288 pp.193-198 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET ○金澤 徹・三嶋裕一・木下治紀・上原英治・宮本恭幸（東工大） ED2013-115 MW2013-180 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。そのさらなる性能向上を目指して、... [more] | ED2013-115 MW2013-180 pp.29-33 |
| RCS, NS (併催) |
2013-12-20 16:10 |
香川 | 高松市文化芸術ホール | 高速移動環境下におけるシングルキャリア時空間符号化時分割複信伝送のための周波数領域等化に関する一検討 ○宮崎寛之・安達文幸（東北大） RCS2013-254 |
これまでに我々は，シングルキャリア（SC）周波数領域時空間符号化送受信ダイバーシチ（FD-STBC-JTRD）を対象に，... [more] | RCS2013-254 pp.279-284 |
| SDM | 2013-06-18 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制 ○小橋和義（明大）・長田貴弘・生田目俊秀・山下良之（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2013-48 |
Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている．しかしながら、high... [more] | SDM2013-48 pp.25-28 |
| ED | 2013-04-19 11:35 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成 ○舩窪一智・猪俣州哉・佐藤 良・朴 君昊（東北大）・小嗣真人（高輝度光科学研究センター）・吹留博一・末光真希（東北大） ED2013-15 |
Si代替FETチャネル材料として高移動度の新素材グラフェンが近年注目されている。しかし、現在報告されているグラフェンFE... [more] | ED2013-15 pp.59-62 |
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