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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-06-21 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］遷移金属カルコゲン化合物ヘテロ構造体の電子物性 ○丸山実那（筑波大）  SDM2022-29 |
[more] | SDM2022-29 pp.20-22 |
| CPM | 2021-03-03 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 化学溶液析出法によるZnOナノロッド/CuOおよびZnO/Cu₂Oヘテロ接合の作製 ○大本拓馬・寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専） CPM2020-64 |
酸化銅（II）(CuO)薄膜と酸化銅（I）(Cu₂O)薄膜が，それぞれpH 10に調整された硝酸銅(II)三水和物を用い... [more] | CPM2020-64 pp.34-37 |
| SDM | 2020-11-20 15:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション ○森 伸也・橋本風渡・三島嵩也・田中 一（阪大） SDM2020-33 |
層間トンネルを非平衡グリーン関数(NEGF)法を用いて調べた．はじめに，層間トンネルの特徴について単純化したモデルの範囲... [more] | SDM2020-33 pp.52-57 |
| SDM | 2016-06-29 17:00 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の成長と評価 ○宮田耕充（首都大東京） SDM2016-47 |
近年、電子素子の微細化の限界の打破、高効率エネルギー変換、もしくは軽くて柔軟な電子機器の実現などの様々な目的を達成するた... [more] | SDM2016-47 pp.79-84 |
| LQE, EST, OPE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT, PEM (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2016-01-28 10:55 |
兵庫 | 神戸市産業振興センター | 埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの特性評価 ○只野翔太郎・金子貴晃・山中健太郎・西山伸彦・荒井滋久（東工大） PN2015-38 EMT2015-89 OPE2015-151 LQE2015-138 EST2015-95 MWP2015-64 |
長波長帯トランジスタレーザ（TL）は、従来のLDと異なり3電気端子を有する構造ため、端子の組み合わせにより複数の動作モー... [more] | PN2015-38 EMT2015-89 OPE2015-151 LQE2015-138 EST2015-95 MWP2015-64 pp.21-26 |
| ED | 2015-12-22 10:05 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | グラフェン二重層ヘテロ構造を用いたテラヘルツ放出または検出に関する研究 ○Deepika Yadav・Stephane Boubanga Tombet・Stevanus Arnold・渡辺隆之（RIEC Tohoku Univ.）・Victor Ryzhii（Inst. of Ultra High Freq. Semicond. Elect. Russia）・尾辻泰一（RIEC Tohoku Univ.） ED2015-103 |
We report on experimental observation of terahertz emission ... [more] | ED2015-103 pp.71-76 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-28 09:35 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | 1.3μm帯InGaAlAs埋め込みヘテロレーザの放熱効果解析と駆動電流削減量評価 ○進藤隆彦・小林 亘・小木曽義弘・藤原直樹・伊賀龍三・大礒義孝・石井啓之（NTT） R2015-37 EMD2015-45 CPM2015-61 OPE2015-76 LQE2015-45 |
将来のbeyond 100 GbEに向けた低消費電力・大容量光源として、1.3 μm帯InGaAlAs直接変調レーザが有... [more] | R2015-37 EMD2015-45 CPM2015-61 OPE2015-76 LQE2015-45 pp.73-76 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 14:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価 ○藤田 周・三好実人・江川孝志（名工大） ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121 |
InAlN/AlGaNヘテロ構造は、高耐圧特性と高濃度の二次元電子ガス(2DEG)生成という二つの特長を併せ持つことが期... [more] | ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121 pp.97-102 |
| ED | 2012-12-18 11:40 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | High Frequency Performance of GaAsSb/InAlAs/InGaAs Tunnel Diodes ○Mikhail Patrashin・Norihiko Sekine・Akifumi Kasamatsu・Issei Watanabe・Iwao Hosako（NICT）・Tsuyoshi Takahashi・Masaru Sato・Yasuhiro Nakasha・Naoki Hara（Fujitsu Lab.） ED2012-106 |
[more] | ED2012-106 pp.75-76 |
| LQE | 2012-12-13 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調 ○下山峰史・松田 学・奥村滋一・植竹理人・江川 満・山本剛之（富士通研） LQE2012-124 |
AlGaInAs系高抵抗埋め込みDitributed Reflector（DR）レーザの高速直接変調動作を報告する。本レ... [more] | LQE2012-124 pp.15-18 |
| LQE, CPM, EMD, OPE, R (共催) |
2012-08-24 14:00 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | SiGe/Si細線導波路構造による省電力光スイッチ・可変光減衰器 ○関口茂昭・朱 雷・倉橋輝雄・河口研一・森戸 健（富士通研） R2012-45 EMD2012-51 CPM2012-76 OPE2012-83 LQE2012-49 |
シリコンプラットフォーム上のキャリアプラズマを利用した導波路型光アクティ ブデバイスの省電力化・小型化には，高効率な... [more] |
R2012-45 EMD2012-51 CPM2012-76 OPE2012-83 LQE2012-49 pp.115-120 |
| ED | 2011-12-14 14:05 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | 薄層AlGaN障壁層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの小信号および30 GHzパワー特性 ～ AlGaN障壁層薄層化の影響 ～ ○東脇正高（NICT/JST）・Yi Pei・Rongming Chu・Umesh K. Mishra（カリフォルニア大サンタ・バーバラ校） ED2011-102 |
ミリ波応用を念頭においた、非常に薄いAlGaN障壁層を有する短ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタ(HFET)... [more] | ED2011-102 pp.13-17 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 13:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | AlInN/AlN/GaNヘテロ接合における高温での表面障壁高さの低下 ○ハサン タンビル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 |
[more] | ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 pp.29-33 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 15:40 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 ○前田就彦・廣木正伸・佐々木 智・原田裕一（NTT） ED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106 |
リセスゲート構造を用いたE-mode用のAlGaN/GaNヘテロ構造FET（HFET）において、高電流化およびデバイス作... [more] | ED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106 pp.49-54 |
| LQE | 2010-12-17 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研） LQE2010-120 |
近年のデータ流通量の急激な増加に伴い，通信用光源のさらなる高速化への期待が高まっている．我々は、低消費電力な超高速直接変... [more] | LQE2010-120 pp.27-32 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 09:40 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［基調講演］Challenge for electromechanical logic systems using compound semiconductor heterostructures ○Hiroshi Yamaguchi・Imran Mahboob・Hajime Okamoto・Koji Onomitsu（NTT） ED2010-48 SDM2010-49 |
[more] | ED2010-48 SDM2010-49 pp.1-4 |
| LQE | 2009-12-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光協会/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光協会/富士通/富士通研） LQE2009-148 |
近年の急激な通信量の増加に伴い，直接変調レーザの高速動作への注目が高まっている．我々は、低消費電力の高速直接変調レーザの... [more] | LQE2009-148 pp.51-56 |
| TL | 2009-02-06 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | アナロギア思考の系譜と言語表現の論理 ○佐良木 昌（日大） TL2008-58 |
アリストテレスのアナロギアは、存在と言語表現とにおける発見の論理であり、異類を統一する比例的法則性を把握する方法を含む。... [more] | TL2008-58 pp.45-49 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 15:20 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Characterization of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky Samples Fabricated after H3PO4-Etching ○Takayuki Sawada・Yuta Kaizuka・Kensuke Takahashi・Kazuaki Imai（Hokkaido Inst. of Tech.） ED2008-107 SDM2008-126 |
[more] | ED2008-107 SDM2008-126 pp.351-355 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討 ○廣木正伸・西村一巳（NTT）・渡邉則之（NTT-AT）・小田康裕・小林 隆（NTT） ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 |
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるオーミック接合として，Al/Ti/Al/Ni/Au電極材料を試みた． 1x10-5&... [more] | ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 pp.51-56 |
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