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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2014-01-17
09:30
東京 機械振興会館 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価
吉本 晋石原邦亮岡田政也住吉和英平野英則三橋史典善積祐介石塚貴司木山 誠上野昌紀住友電工ED2013-124 MW2013-189
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、GaN基板を用いた縦型構造を採用することで、コラプス抑制や低オン抵抗、また高い面... [more] ED2013-124 MW2013-189
pp.79-84
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-12
11:15
大阪 阪大 中ノ島センター 低転位GaN基板上縦型HFET
岡田政也斎藤 雄横山満徳中田 健八重樫誠司片山浩二上野昌紀木山 誠勝山 造中村孝夫住友電工ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113
再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field... [more] ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113
pp.67-70
ED 2010-06-17
14:25
石川 北陸先端大 AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析
鈴木寿一田中成明北陸先端大ED2010-36
AlGaN/GaN ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET) は, 高電流駆動能力・高耐圧に基づく高出力動作が可能な能... [more] ED2010-36
pp.17-20
ED 2008-06-13
13:00
石川 金沢大学 角間キャンパス SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション
田中成明北陸先端大)・住田行常河合弘治パウデック)・鈴木寿一北陸先端大ED2008-22
サファイア基板上のAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタに対して, AlN単層, SiN単層, さらにSiN超... [more] ED2008-22
pp.1-4
MW, ED
(共催)
2007-01-19
10:10
東京 機械振興会館 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ
竹中 功石倉幸治高橋英匡長谷川浩一上田 隆栗原俊道麻埜和則岩田直高NECエレクトロニクス
携帯電話基地局向けに低歪ドハティ高出力増幅器を開発した。本増幅器は28V動作の150W GaAs ヘテロ接合FETにより... [more] ED2006-227 MW2006-180
pp.149-154
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