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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-11-10 14:40 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaNの高電界物性の精密評価 ～ 衝突イオン化係数と絶縁破壊電界 ～ ○前田拓也（東大）  SDM2023-72 |
パワーデバイスの耐圧シミュレーションや安全動作領域の予測には，正確な物性値を用いたデバイスシミュレーションが必要不可欠で... [more] | SDM2023-72 pp.41-46 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 14:10 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
様々な結晶面を利用したInGaN系ナノコラム結晶の成長と発光デバイス応用 ○山田純平・水野 愛・富樫理恵・野村一郎・岸野克巳（上智大） ED2022-46 CPM2022-71 LQE2022-79 |
本研究では、様々な面方位を用いたInGaN系ナノコラム結晶の成長とそれを用いたナノコラムμ-LEDの作製に関して検討しま... [more] | ED2022-46 CPM2022-71 LQE2022-79 pp.99-102 |
| CCS | 2022-11-17 16:50 |
三重 | シンフォニアテクノロジー響ホール伊勢 (伊勢市観光文化会館) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
発見的手法を用いた共振インダクタの最適化を含めた電力変換回路の設計手法 ○朱 聞起・小宮山裕太郎（千葉大）・魏 秀欽（千葉工大）・グエン キエン・関屋大雄（千葉大） CCS2022-51 |
近年, ワイドバンドギャップ半導体素子の実用化により, 電力変換器のスイッチング周波数をMHz以上にすることが可能となり... [more] | CCS2022-51 pp.42-46 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 16:15 |
ONLINE | オンライン開催 | 電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料 ○佐藤威友・渡久地政周（北大） ED2022-13 CPM2022-7 SDM2022-20 |
電気化学反応を利用したウェットエッチング（電気化学エッチング）により，窒化ガリウム（GaN）多孔質構造を形成した．GaN... [more] | ED2022-13 CPM2022-7 SDM2022-20 pp.25-28 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究 ○神谷俊佑・西谷高至・松田 悠・高野 望・ジョエル タクラ アスバル・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大） ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 |
窒化ガリウム(GaN)は高い破壊電界強度を持っており、シリコン(Si)に代わるパワーデバイスの材料となることが期待されて... [more] | ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 pp.45-48 |
| SAT | 2019-10-10 15:20 |
福岡 | JR博多シティ(福岡) {10F 会議室A+B} | 保守性と信頼性を高めた衛星通信基地局用RF送受信装置の開発 ○松井宗大・松下 章・山下史洋（NTT） SAT2019-52 |
衛星通信システムにおいて，通信サービスを継続して提供するためには，保守性と信頼性が求められる．本稿では，高い保守性と信頼... [more] | SAT2019-52 pp.21-26 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:40 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 ○増田裕一郎・長瀬 剛・国枝 航・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2017-31 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法（CVD）により，c面サファイア基板上に窒化ガリウム（GaN）薄膜の... [more] | EID2017-31 pp.5-8 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2017-05-26 10:45 |
愛知 | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) | N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE ○Kiattiwut Prasertsuk・Tomoyuki Tanikawa・Takeshi Kimura・Shigeyuki Kuboya・Tetsuya Suemitsu・Takashi Matsuoka（Tohoku Univ.） ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 |
[more] | ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 pp.59-64 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-27 11:34 |
徳島 | 徳島大学 | Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 ○深澤研介・長瀬 剛・増田裕一郎・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2016-45 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって，c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を... [more] | EID2016-45 pp.125-128 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:50 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器 ○河村由文・半谷政毅・水谷知大・富山賢一・山中宏治（三菱電機） ED2016-111 MW2016-187 |
短ゲート長（Lg=0.15 um）GaN HEMT を用いた30W級X帯GaN電力増幅器について報告する。本電力増幅器で... [more] | ED2016-111 MW2016-187 pp.81-84 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:20 |
京都 | 京大桂キャンパス | キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価 ○大麻浩平・吉岡 啓・齊藤泰伸・菊地拓雄・大黒達也・浜本毅司・杉山 亨（東芝） ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78 |
GaNパワーデバイスが克服すべき課題の一つである電流コラプス現象に関して、新たな評価手法を検討した。従来の動的オン抵抗を... [more] | ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78 pp.27-30 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 17:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング ○熊崎祐介・植村圭佑・佐藤威友（北大） ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 |
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの低損傷リセスエッチングを目的として，電気化学加工技術の検討を行った．AlGa... [more] | ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 pp.45-50 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 13:10 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 ○堀田昌宏（京大）・高島信也・田中 亮・松山秀昭・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）・須田 淳（京大） ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 |
低濃度Mgドープp型GaN (Mg濃度$6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$)に対してホール効... [more] | ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 pp.21-25 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 14:25 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 ○梶谷 亮・半田浩之・宇治田信二・柴田大輔・小川雅弘・田中健一郎・石田秀俊・田村聡之・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 |
低立ち上がり電圧・大電流を有するGaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード（THD: Trench Hybri... [more] | ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 pp.39-42 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 16:30 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光 ○石戸亮祐・石井良太・船戸 充・川上養一（京大） ED2015-79 CPM2015-114 LQE2015-111 |
共鳴ラマン散乱分光法は，発光素子の活性層の評価法として高いポテンシャルを有している．しかし，ラマン信号に発光スペクトルが... [more] | ED2015-79 CPM2015-114 LQE2015-111 pp.59-62 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 10:25 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source ○P.Pungboon Pansila・Kensaku Kanomata・Bashir Ahammad・Shigeru Kubota・Fumihiko Hirose（Yamagata Univ） ED2015-81 CPM2015-116 LQE2015-113 |
[more] | ED2015-81 CPM2015-116 LQE2015-113 pp.69-72 |
| SDM | 2015-11-06 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用 ○石田秀俊・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） SDM2015-90 |
従来のSiパワーデバイスと比較して低損失化と高速化が可能となり、DC/DCコンバータをはじめとする電力変換機器の高効率化... [more] | SDM2015-90 pp.35-38 |
| ED | 2015-08-04 12:20 |
東京 | 機械振興会館 | 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性 ○喜田弘文・熊崎祐介・谷田部然治・佐藤威友（北大） ED2015-53 |
分光電気化学測定法を用いて，GaN多孔質構造の光応答特性および光吸収特性を調査した．構造のもつ大きな表面積と低い光反射率... [more] | ED2015-53 pp.51-54 |
| EMT, MW, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2015-07-16 13:00 |
北海道 | 釧路市生涯学習センター | 400MHz-6GHz高線形GaN低雑音増幅器の一検討 ○山口 陽・加保貴奈・川島宗也・上原一浩（NTT） EMT2015-12 MW2015-50 OPE2015-24 EST2015-16 MWP2015-15 |
周波数高度利用のためには、当該周波数がその場所、その時間帯に他システムで利用することが可能かどうかを把握する必要があり、... [more] | EMT2015-12 MW2015-50 OPE2015-24 EST2015-16 MWP2015-15 pp.23-27 |
| SANE | 2014-06-20 14:45 |
茨城 | JAXA 筑波宇宙センター | GaNデバイスを用いた衛星搭載用20W級X帯SSPAの開発 ～ システム評価による実現性検討 ～ ○中台光洋・粟野穰太・谷島正信（JAXA）・舟橋政弘・坂田 智（NEC東芝スペースシステム） SANE2014-36 |
宇宙航空研究開発機構（JAXA）では，地球観測衛星と深宇宙探査衛星におけるX帯周波数を利用した通信を想定し，GaNデバイ... [more] | SANE2014-36 pp.75-78 |
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