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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 14:40 |
京都 | 京大桂キャンパス | ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 ○鐘ヶ江一孝・金子光顕・木本恒暢・堀田昌宏・須田 淳（京大）  ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77 |
1016～1020 cm-3の範囲でドーピングされたn型GaN自立基板に対してラマン散乱分光および赤外反射分光を行った。... [more] | ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77 pp.21-26 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 16:00 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果 ○岡田俊祐・三宅秀人・平松和政（三重大）・宮川鈴衣奈・江龍 修（名工大）・橋詰 保（北大） ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 |
極性面である(0001)面及び非極性面である(10-10)面や(20-21)面，(20-2-1)面を主面とするGaN自立... [more] | ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 pp.111-115 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 14:45 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 ○塩島謙次・木原雄平・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106 |
GaN自立基板を用いた低濃度厚膜ショットキーダイオードを作製し、電気的特性を評価した結果を報告する。厚さ12μmの低Si... [more] | ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106 pp.35-38 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | フォトン・リサイクリングGaN p+nダイオード ○望月和浩（日立）・野本一貴・畠山義智・片寄秀雄（法政大）・三島友義・金田直樹・土屋忠巌（日立電線）・寺野昭久・石垣隆士・土屋朋信・土屋龍太（日立）・中村 徹（法政大） ED2011-125 MW2011-148 |
Photon recycling was used to increase ionization of Mg in Ga... [more] | ED2011-125 MW2011-148 pp.35-40 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:50 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | GaN自立基板を用いた縦型ダイオード ○八木修一・平田祥子・住田行常・別所公博・河合弘治（パウデック）・松枝敏晴・碓井 彰（古河機械金属） ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 |
2インチn型GaN自立基板上にMOCVD法を用いてGaNエピタキシャル成長した基板を使用し、縦型のショットキーバリアダイ... [more] | ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 pp.63-66 |
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