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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-01-31 15:50 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング ○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌（東大）  SDM2023-80 |
高いエネルギー効率をもつエッジAI計算への応用に向けて、強誘電体HfZrO2/Si FeFETを用いた物理リザバーコンピ... [more] | SDM2023-80 pp.24-27 |
| SDM | 2023-06-26 12:10 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | 熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価 ○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大） SDM2023-31 |
Hf系酸化物のOrthorhombic(O)相は~5.0nmの超薄膜においても強誘電性を示すが、準安定相であるため、形成... [more] | SDM2023-31 pp.15-18 |
| SDM | 2023-06-26 13:30 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | ［依頼講演］オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓 ○藤原弘和・糸矢祐喜・小林正治・バレイユ セドリック・辛 埴・谷内敏之（東大） SDM2023-32 |
HfO$_2$ 系強誘電体キャパシタの特性変動メカニズムを解明するために、in-situ 電気特性評価システムが実装され... [more] | SDM2023-32 pp.19-22 |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-21 15:55 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
摩擦発電用P（VDF-TrFE)スピンコート膜の分極条件の検討 ○呉 沁洋・田口 大・間中孝彰（東工大） SDM2023-5 OME2023-5 |
強誘電ポリマーは自発分極による圧電効果を利用して振動発電に利用されている．摩擦による分極エネルギーを蓄えることで摩擦発電... [more] | SDM2023-5 OME2023-5 pp.18-22 |
| ICD | 2023-04-10 13:20 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］音声認識に向けた新方式HZO/Si FeFETリザバーコンピューティング ○名幸瑛心・トープラサートポン カシディット・中根了昌・竹中 充・高木信一（東大） ICD2023-4 |
我々はHZO/Si強誘電体ゲートFET(FeFET)を用いたリザバーコンピューティング(RC)を検証してきた．FeFET... [more] | ICD2023-4 p.9 |
| OCS, CS (併催) |
2023-01-12 15:50 |
福岡 | キャナルシティ博多 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［特別招待講演］高効率電気光学変調器を用いた高速光変調技術の開発 ～ EOポリマーおよび強誘電性薄膜変調器の可能性 ～ ○横山士吉（九大） CS2022-66 |
将来の高速光ネットワークに対応するため光変調デバイスの帯域拡大に向けた課題解決は重要である。これまでにも様々な材料やデバ... [more] | CS2022-66 pp.17-19 |
| OME | 2022-12-27 09:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
強誘電体ポリマー（P(VDF-TrFE)）を用いた摩擦発電デバイスのI-V測定による等価回路モデルの検討 ○岡本裕介・田口 大・間中孝彰（東工大） OME2022-58 |
近年，材料プロセスの微細化やエレクトロニクスの発展により，センサなどの自立電源として摩擦電気を利用する摩擦発電が注目され... [more] | OME2022-58 pp.34-39 |
| SDM | 2022-10-19 14:05 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電体BiFeO3薄膜表面の評価と分析 ○今泉文伸（小山高専） SDM2022-58 |
強誘電体や圧電材料を用いたデバイス，センサは現在様々な分野で使用されているが，主材料として使われているPb(Zr,Ti)... [more] | SDM2022-58 pp.16-19 |
| SDM | 2022-10-19 17:20 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2022-63 |
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] | SDM2022-63 pp.38-42 |
| SDM | 2022-06-21 14:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 ○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2022-26 |
斜方晶Hf系酸化物は5 -10 nmの薄膜においても強誘電性を示すことが知られている。一方で、斜方晶Hf系酸化物は、準安... [more] | SDM2022-26 pp.9-12 |
| SDM | 2022-01-31 14:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明 ○市原玲華（キオクシア） SDM2021-70 |
HfO2-FeFETで生じる様々な種類のチャージトラップのサイクル過程における挙動を、高速電流計測に基づく荷電中心解析に... [more] | SDM2021-70 pp.9-11 |
| SDM | 2021-11-11 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待 ○高木信一・トープラサートポン カシディット・羅 璇・名幸瑛心・王 澤宇・李 宗恩・田原建人・竹中 充・中根了昌（東大） SDM2021-55 |
2011年に、HfO2系絶縁膜において強誘電性が発見されて以来、HfO2系薄膜をゲート絶縁膜に用いたFeFETは、極めて... [more] | SDM2021-55 pp.13-18 |
| SDM | 2021-10-21 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2021-47 |
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] | SDM2021-47 pp.12-15 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ～ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ～ ○トープラサートポン カシディット・田原建人（東大）・彦坂幸信・中村 亘・齋藤 仁（富士通セミコンダクターメモリソリューション）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-38 ICD2021-9 |
本研究は、厚さ2.8～9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] | SDM2021-38 ICD2021-9 pp.42-47 |
| SDM | 2021-06-22 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ［記念講演］Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ～ MOS（MFS）界面で起こる現象 ～ ○トープラサートポン カシディット・李 宗恩・林 早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-23 |
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] | SDM2021-23 pp.7-12 |
| SDM | 2021-01-28 13:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］自発分極とトラップ電荷の分離抽出に基づく強誘電HfO2-FeFETにおけるVthウインドウ及び信頼性決定要因の解析 ○市原玲華（キオクシア） SDM2020-49 |
HfO2-FeFETでは，自発分極の反転に加え，その効果を相殺する極性の電荷トラップがHfO2/SiO2界面近傍に生じる... [more] | SDM2020-49 pp.1-2 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 11:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ニューラルネットワーク用強誘電体薄膜の誘電特性評価 ○石崎勇真・梅村浩輝・松川大毅・木村 睦（龍谷大）・徳光永輔（北陸先端大）・羽賀健一・土井利浩（三菱マテリアル） EID2020-5 SDM2020-39 |
ニューロモーフィックシステムは、ニューロンとシナプスの要素を実装するハードウェアレベルの生体模擬システムであり、低消費電... [more] | EID2020-5 SDM2020-39 pp.17-20 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 16:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ ○福井智貴・中川滉貴・木村 睦（龍谷大） EID2020-14 SDM2020-48 |
本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O... [more] | EID2020-14 SDM2020-48 pp.54-57 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2020-08-06 10:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響 ○トープラサートポン カシディット・林 早阳・李 宗恩・竹中 充・高木信一（東大） SDM2020-2 ICD2020-2 |
強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり，強誘電体/半導体界面における強誘... [more] | SDM2020-2 ICD2020-2 pp.3-7 |
| SDM | 2020-01-28 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Hf1-xZrxO2強誘電体トンネル接合を用いた強化学習 ～ ばらつき制御による性能向上 ～ ○太田健介・山口まりな（キオクシア）・ラドゥ ベルダン・丸亀孝生・西 義史（東芝）・松尾和展・高橋恒太・神谷優太・宮野信治・出口 淳・藤井章輔・齋藤真澄（キオクシア） SDM2019-84 |
Hf1-xZrxO2を用いた強誘電体トンネル接合において、メモリ内演算による強化学習性能を最大化するための構造及び組成に... [more] | SDM2019-84 p.9 |
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