| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SCE | 2019-08-09 11:15 |
茨城 | 産業技術総合研究所 | 微小Josephson接合列の輻射検出器としての利用性の評価 ○鈴木俊貴・カニョロ ゴドゥウィリ ビティ・西垣宏志・水柿義直・島田 宏（電通大）  SCE2019-11 |
微小Josephson接合列においてはその特有の電気伝導特性としてCoulomb閉塞が生じるが，マイクロ波を照射するとC... [more] | SCE2019-11 pp.15-19 |
| QIT (第二種研究会) |
2017-05-29 15:00 |
京都 | 立命館大学 朱雀キャンパス | ［ポスター講演］Controlled microwave absorption in superconducting electric circuit system based on NIS junctions ○Shumpei Masuda（TMDU）・Kuan Yen Tan・Matti Partanen・Matti Silveri（Aalto Univ.）・Hermann Grabert（Univ. of Freiburg）・Mikko Möttönen（Aalto Univ.） |
[more] | |
| NLP | 2016-12-13 10:55 |
愛知 | 中京大学 | 光電効果と電子波動周波数弁別を用いる通信系のための単電子復号回路 節家 淳・佐藤仁哉・○藤坂尚登・神尾武司（広島市大） NLP2016-96 |
テラヘルツ帯域のセンシングや通信のためのフロントエンド受信部に小型化や低電力化を求めて，量子力学的現象を応用することが検... [more] | NLP2016-96 pp.67-72 |
| SDM, ED (共催) |
2015-02-06 11:05 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | グラフェン単キャリアトランジスタの作製と特性評価 ○岩崎拓哉・ムルガナタン マノハラン・水田 博（北陸先端大） ED2014-150 SDM2014-159 |
単一量子ドット(QD)を持つグラフェン単キャリアトランジスタ(SCT)を作製し, 単キャリア輸送特性の評価・解析を行った... [more] | ED2014-150 SDM2014-159 pp.69-73 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:05 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策 ○森 貴洋・森田行則・右田真司・水林 亘・福田浩一・宮田典幸・安田哲二・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2014-67 ICD2014-36 |
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] | SDM2014-67 ICD2014-36 pp.29-34 |
| ED | 2014-08-01 15:50 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット ○上村崇史（NICT）・佐々木公平（タムラ）・黄 文海・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ）・増井建和（光波）・山越茂伸（タムラ）・東脇正高（NICT） ED2014-60 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、A... [more] | ED2014-60 pp.41-46 |
| SDM | 2013-06-18 13:35 |
東京 | 機械振興会館 | Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定 石部貴史・中村芳明・○松井秀紀・竹内正太郎・酒井 朗（阪大） SDM2013-54 |
Si基板上鉄酸化物薄膜は、安価で環境低負荷な抵抗変化型メモリ（ReRAM）材料として期待されている。しかし、ON/OFF... [more] | SDM2013-54 pp.51-55 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 09:50 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 散逸要素を組み込んだ単一電子素子・単一磁束量子素子での間欠発振 ○水柿義直（電通大） ED2012-139 SDM2012-168 |
単一電子トランジスタでは，微小トンネル接合での単一電子トンネリングにより，島電極上の電荷が離散的に変化する．また，超伝導... [more] | ED2012-139 SDM2012-168 pp.59-64 |
| NLP, CAS (共催) |
2012-09-21 14:50 |
高知 | 高知県立大学 永国寺キャンパス | 単電子リングオシレータ結合回路網の同相化の検討 ○野田遥華・永田啓介・藤坂尚登・神尾武司・生岩量久（広島市大） CAS2012-46 NLP2012-72 |
単電子トランジスタを用いて構成したリングオシレータは電子のトンネリングが確率的であるため非常に大きな位相雑音を持つ. 本... [more] | CAS2012-46 NLP2012-72 pp.87-91 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-07 14:35 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | KFM observation of individual dopant potentials and electron charging ○Roland Nowak・Miftahul Anwar・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2011-144 SDM2011-161 |
We utilize Kelvin probe force microscope (KFM) to measure su... [more] | ED2011-144 SDM2011-161 pp.13-18 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 09:55 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御 ○伊藤光樹・秋元俊介・白樫淳一（東京農工大） ED2011-151 SDM2011-168 |
我々は，直列に接続された複数のナノギャップに対して，電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション（アクティベーション）を... [more] | ED2011-151 SDM2011-168 pp.53-58 |
| NLP | 2011-05-26 13:50 |
香川 | 小豆島オリーブ公園オリーブ記念館大研修室 | 全結合および最近接結合単電子リングオシレータの解析 ○石田雅和・永田啓介・藤坂尚登・神尾武司・生岩量久（広島市大） NLP2011-3 |
単電子トランジスタを用いてリングオシレータを構成したとき，単独ではトンネリングが確率的であるた め位相雑音が非常に大き... [more] |
NLP2011-3 pp.9-14 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 11:10 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | Current Intermittency in SOI-FETs under Light Illumination ○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2010-204 SDM2010-239 |
あらまし 私たちは連続光照射がSOI電界効果トランジスタ(SOI-FETs)における量子ドットを介した単電子輸送に与え... [more] | ED2010-204 SDM2010-239 pp.67-72 |
| NLP, CAS (共催) |
2010-08-03 10:30 |
徳島 | 鳴門教育大学 | 単電子リングオシレータの結合による位相雑音の低減 ○石田雅和・藤坂尚登・神尾武司・生岩量久（広島市大） CAS2010-58 NLP2010-74 |
単電子トランジスタにより構成されたリングオシレータは電子の確率的トンネリング動作により非常に大きな位相雑音を持つ． 本... [more] |
CAS2010-58 NLP2010-74 pp.135-140 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yoko Sakurai・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）・Mitsuhisa Ikeda・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）・Yasuteru Shigeta（Univ. of Hyogo）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-122 SDM2010-123 |
The efficiency and stability of electron injection from the ... [more] | ED2010-122 SDM2010-123 pp.319-324 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 14:45 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 |
シリコン基板上に作製可能な単電子冷却デバイスを提案し，その単電子トンネル動作について理論的評価を行った．その構造は，単電... [more] | ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 pp.17-21 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 14:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析 ○葛西誠也（北大/JST）・白鳥悠太・三浦健輔（北大） ED2009-199 SDM2009-196 |
量子ドットの単電子充放電プロセスにおける確率共鳴的挙動を理論的に解析した．確率共鳴とはゆらぎによって系の応答が高まる現象... [more] | ED2009-199 SDM2009-196 pp.17-21 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 16:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測 ○田村伸行・菊池健人・守屋雅隆・小林忠行・島田 宏・水柿義直（電通大） ED2009-204 SDM2009-201 |
我々は，強磁性体(FM)のリード電極を持つ単一電子トランジスタ(SET)の磁気抵抗比($MRR$)に関する報告を行う． ... [more] |
ED2009-204 SDM2009-201 pp.47-52 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study on Quantum Electro-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST-CREST） ED2009-89 SDM2009-84 |
We have studied transmission property of electron in vertica... [more] | ED2009-89 SDM2009-84 pp.169-172 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 11:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Importance of the Eelectronic State on the Electrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura（Univ. of Tsukuba.）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.） ED2009-93 SDM2009-88 |
We have revealed that the electronic states in the electrode... [more] | ED2009-93 SDM2009-88 pp.185-188 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]