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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MWPTHz
(共催)
2022-12-19
16:05
宮城 東北大学・電気通信研究所 [招待講演]テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G超高速大容量通信実現のためのInP-HEMT-IC製造技術
堤 卓也濱田裕史徐 照男杉山弘樹佐々木太郎高橋宏行中島史人NTTED2022-76 MWPTHz2022-47
無線トラヒックの需要急増に対応するためB5G もしくは6G と呼ばれるシステムの検討が始まっており,その周波数帯の一候補... [more] ED2022-76 MWPTHz2022-47
pp.23-27
OME 2022-11-11
13:00
大阪 近畿大学東大阪キャンパス ブロッサムカフェ ルームA [招待講演]有機半導体の電荷・励起子移動の計算化学研究
鬼頭宏任近畿大OME2022-25
有機半導体における電荷・励起子移動の微視的メカニズムを、量子化学計算、古典分子動力学(MD)シミュレーション、半古典シミ... [more] OME2022-25
pp.1-6
SDM 2022-11-11
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]クライオCMOSにおける電子移動度制限要因の理解
岡 博史稲葉 工飯塚将太浅井栄大加藤公彦森 貴洋産総研SDM2022-74
高集積量子コンピュータを実現するため、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させる技術が期待されている。量... [more] SDM2022-74
p.49
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-09
11:05
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 [招待講演]極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響
岡 博史稲葉 工飯塚将太浅井栄大加藤公彦森 貴洋産総研SDM2022-46 ICD2022-14
大規模な量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている。極低温... [more] SDM2022-46 ICD2022-14
pp.54-59
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
15:20
ONLINE オンライン開催 AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価
森 隆一上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に,MOVPE法を用いてチャネル膜厚1... [more] ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
pp.83-86
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:00
ONLINE オンライン開催 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長
白土達也上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
本研究では,低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80... [more] ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
pp.41-44
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:30
ONLINE オンライン開催 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究
神谷俊佑西谷高至松田 悠高野 望ジョエル タクラ アスバル徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63
窒化ガリウム(GaN)は高い破壊電界強度を持っており、シリコン(Si)に代わるパワーデバイスの材料となることが期待されて... [more] ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63
pp.45-48
MWP 2020-05-28
13:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]Beyond 5G応用を見据えたサブミリ波帯InP-HEMT-IC技術
堤 卓也杉山弘樹濱田裕史野坂秀之松崎英昭NTTMWP2020-1
あらまし第5 世代無線アクセスネットワークシステム(5G)の次世代となるBeyond 5G 実現に向けた議論が早くも進展... [more] MWP2020-1
pp.1-6
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:20
宮城 東北大学・電気通信研究所 テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
堤 卓也濱田裕史杉山弘樹野坂秀之松崎秀昭NTTED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] ED2019-82
pp.23-28
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:45
宮城 東北大学・電気通信研究所 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT
大澤幸希岩木拓也遠藤勇輝平岡瑞穂岸本尚之林 拓也東京理科大)・渡邊一世NICT/東京理科大)・山下良美原 紳介後藤高寛笠松章史NICT)・遠藤 聡藤代博記東京理科大ED2019-83
我々は,世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し,これらのHEMTの特性を評価した.我々が以前に作製... [more] ED2019-83
pp.29-32
ED, THz
(共催)
2018-12-18
09:00
宮城 東北大・通研 [招待講演]InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化
遠藤 聡渡邊一世山下良美笠松章史NICT)・藤代博記東京理科大)・三村高志NICTED2018-62
我々は,電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系,Sb系及びGaN系HEMTを作製し,これらのHEMTの特性を... [more] ED2018-62
pp.35-38
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2018-10-19
09:15
大阪 大阪大学 [招待講演]有機半導体を用いたプリンテッドエレクトロニクス・スピントロニクス
渡邉峻一郎東大MRIS2018-17
有機半導体は印刷プロセスを用いて簡便かつ安価に成膜することが可能であり, 近年その性能指標である移動度はアモルファスシリ... [more] MRIS2018-17
pp.21-26
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]アンチモン系トランジスタの開発
藤代博記磯野恭佑高橋択斗原田義彬岡 直希竹内 淳藤澤由衣東京理科大)・藤川紗千恵東京電機大)・町田龍人東京理科大)・渡邊一世山下良美遠藤 聡原 紳介笠松章史NICTED2017-81
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により,InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] ED2017-81
pp.33-36
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
10:45
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE
Kiattiwut PrasertsukTomoyuki TanikawaTakeshi KimuraShigeyuki KuboyaTetsuya SuemitsuTakashi MatsuokaTohoku Univ.ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
 [more] ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
pp.59-64
ED 2015-07-25
11:05
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性
竹鶴達哉藤川紗千恵原田義彬鈴木浩基磯野恭佑加藤三四郎辻 大介藤代博記東京理科大ED2015-45
MBE法を用いて成長させたGaAs (100) 基板上InSb量子井戸構造の電子輸送特性向上のため、新たなAlInSbバ... [more] ED2015-45
pp.45-49
EMD, CPM, OME
(共催)
2015-06-19
14:55
東京 機械振興会館 触媒反応支援CVD法によるガラス基板上ZnO膜成長におけるN2O添加初期層の効果
叶内慎吾石塚侑己大橋優樹長岡技科大)・大石耕一郎片桐裕則長岡高専)・玉山泰宏安井寛治長岡技科大EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28
触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを酸素源として用いたCVD法によるガラス基板上へのZnO膜成長において、N2O添... [more] EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28
pp.23-27
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
16:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製
古賀優太原田和也花田賢志大石敏之嘉数 誠佐賀大ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ... [more] ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
pp.31-34
MWP 2015-05-25
09:55
東京 機械振興会館 高電子移動度トランジスタを用いたテラヘルツ受信器の高感度化と帯域幅の測定
鈴木左文忽滑谷拓郎植田裕吾大塚友絢浅田雅洋東工大MWP2015-1
本研究では、高い電流感度の実現を目指し、平面型のボウタイアンテナに短チャネルのHEMTを集積したテラヘルツ受信器を提案し... [more] MWP2015-1
pp.1-5
WPT 2015-02-13
13:30
神奈川 YRPセンター1号館ホール Introduction of Qualcomm Halo Wireless Electric Vehicle Charging Technology
Kiyotaka KawashimaQualcomm Japan)・Edward van BoheemenQUALCOMM CDMA Technologies GmbH)・Anthony ThomsonQualcomm EuropeWPT2014-88
With an ever growing population & increasing urbanization, t... [more] WPT2014-88
pp.1-6
ED 2014-12-22
15:00
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 種々の形状の埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志富士通研/NICTED2014-102
InAlAs/InGaAs 系HEMT の高速化に際しては,ゲート長Lg の短縮に加えて,短チャネル効果抑制のためのゲー... [more] ED2014-102
pp.21-26
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